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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>工藝/制造>安路科技徐春華:工藝與設(shè)計的時間差是良率提升的“天敵”

安路科技徐春華:工藝與設(shè)計的時間差是良率提升的“天敵”

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請問安器件分對可以設(shè)置輸出信號的電壓和擺幅嗎?

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2023-09-06 09:07:158260

如何用示波器測時間差?

示波器是一種用于檢測波形的電子設(shè)備,它可以顯示電壓隨時間的變化。在電子工程和電子測試中,示波器是一種非常重要的工具。在某些情況下,您可能需要測量兩個電子設(shè)備之間的時間差。在這種情況下,示波器可以用來測量時間差。
2023-12-04 14:24:203964

Mini LED超99.9999%+ 大為技術(shù)材料廠商打響“攻堅戰(zhàn)”

在Mini/Micro LED火熱度狂飆的今天,Mini/Micro LED應(yīng)用存在產(chǎn)品低、成本高等現(xiàn)象。
2024-01-25 13:36:181940

EDA助力提升:紫光展銳與西門子的成功合作

紫光展銳研發(fā)團隊和西門子EDA在很多領(lǐng)域都有合作,在提升方面更是合作緊密。西門子EDA工具SONR的機器學(xué)習(xí)能力非常強大,在缺陷模型在物理版圖中的匹配起到至關(guān)重要的作用。
2024-01-26 15:12:131586

SK海力士HBM3E內(nèi)存已達80%

早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均約為65%。據(jù)此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進行了顯著提升
2024-05-23 10:22:301079

傳三星電子12nm級DRAM內(nèi)存不足五成

近日,據(jù)韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%,僅達到五成左右。為了應(yīng)對這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力于迅速提升。
2024-06-12 10:53:411408

半導(dǎo)體工藝之生產(chǎn)力和工藝

晶圓實際被加工的時間可以以天為單位來衡量。但由于在工藝站點的排隊以及由于工藝問題導(dǎo)致的臨時減速,晶圓通常在制造區(qū)域停留數(shù)周。晶圓等待的時間越長,增加了污染的機會,這會降低晶圓分選。向準(zhǔn)時制制造的轉(zhuǎn)變(見后面章節(jié))是提高和降低與增加的在線庫存相關(guān)的制造成本的一次嘗試。
2024-07-01 11:18:013200

優(yōu)可測白光干涉儀:激光陀螺儀提升與精度的關(guān)鍵

激光陀螺儀廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事防御、海洋勘探、自動駕駛等領(lǐng)域,其高靈敏度、強抗干擾和可靠性源于精密制造技術(shù)。優(yōu)可測白光干涉儀助力激光陀螺儀鏡片精度提升,提高生產(chǎn)效率和。
2024-09-28 08:06:212216

淺談影響晶圓分選的因素(2)

在晶圓制造率部分討論的工藝變化會影響晶圓分選。在制造區(qū)域,通過抽樣檢查和測量技術(shù)檢測工藝變化。檢查抽樣的本質(zhì)是并非所有變化和缺陷都被檢測到,因此晶圓在一些問題上被傳遞。這些問題在晶圓分選中顯現(xiàn)為失敗的設(shè)備。
2024-10-09 09:45:301672

晶圓制造限制因素簡述(1)

下圖列出了一個11步工藝,如第5章所示。典型的站點列在第3列,累積列在第5列。對于單個產(chǎn)品,從站點計算的累積fab與通過將fab外的晶圓數(shù)量除以fab線開始的晶圓數(shù)量計算的相同
2024-10-09 09:50:462094

如何提高錫膏印刷?

要提高錫膏印刷,可以從以下幾個方面著手。
2025-01-07 16:00:03816

芯片相關(guān)知識點詳解

芯片(或成品)是指在芯片制造過程中,從一片晶圓上生產(chǎn)出的芯片中,能正常工作的比例,即合格芯片數(shù)量與總芯片數(shù)量的比率。的高低反映了生產(chǎn)工藝的成熟度、設(shè)備的精度和穩(wěn)定性、材料質(zhì)量以及設(shè)計合理性
2024-12-30 10:42:326728

集成電路制造中損失來源及分類

本文介紹了集成電路制造中損失來源及分類。 的定義 是集成電路制造中最重要的指標(biāo)之一。集成電路制造廠需對工藝和設(shè)備進行持續(xù)評估,以確保各項工藝步驟均滿足預(yù)期目標(biāo),即每個步驟的結(jié)果都處于生產(chǎn)
2025-01-20 13:54:012001

三星重啟1b nm DRAM設(shè)計,應(yīng)對與性能挑戰(zhàn)

nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P,其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似,顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解,在決定啟動D1B-P項目時,三星現(xiàn)有的12nm級DRAM工藝
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM開發(fā)里程碑延期

據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109

三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)里程碑推遲

據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的提升至70%,以達到結(jié)束開發(fā)工作、順利進入量產(chǎn)階段的要求。然而,實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

革新焊接工藝,MiniLED焊錫膏開啟精密制造超高時代

MiniLED焊錫膏在MiniLED制造領(lǐng)域,工藝的每一個細節(jié)都決定著產(chǎn)品的成敗。而焊錫膏,這一看似微小的材料,卻承載著連接精密元件、保障的核心使命。如今,東莞市大為新材料技術(shù)有限公司以創(chuàng)新破局
2025-04-25 10:37:56734

玻璃基板精密檢測,優(yōu)可測方案提升至90%

優(yōu)可測白光干涉儀(精度0.03nm)&超景深顯微鏡-高精度檢測方案,助力玻璃基板提升至90%,加速產(chǎn)業(yè)高端化進程。
2025-05-12 17:48:57696

廣立微YAD貫穿全鏈診斷分析

長期以來,一直被視為芯片廠商和晶圓代工廠的生命線,其不僅是成本控制的關(guān)鍵因素,更是提升生產(chǎn)效率、增加產(chǎn)能以及增強市場競爭力的核心驅(qū)動力。
2025-05-21 14:54:171163

屹立芯創(chuàng)半導(dǎo)體除泡技術(shù):提升先進封裝的關(guān)鍵解決方案

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,氣泡問題一直是影響產(chǎn)品和可靠性的重要因素。隨著芯片集成度不斷提高,封裝工藝日益復(fù)雜,如何有效消除制程中的氣泡成為行業(yè)關(guān)注的焦點。
2025-07-23 11:29:35670

廣立微DE-YMS系統(tǒng)助力紫光同芯管理

廣立微(Semitronix)與國內(nèi)領(lǐng)先的汽車電子及安全芯片供應(yīng)商紫光同芯,在管理領(lǐng)域已開展近兩年深度合作。期間,廣立微DE-YMS系統(tǒng)憑借其快速、精準(zhǔn)的損失根因定位能力,有效應(yīng)對了日益復(fù)雜的芯片制造挑戰(zhàn),顯著提升了紫光同芯的管理效率與水平。
2025-09-06 15:02:351354

華大九天Vision平臺重塑晶圓制造優(yōu)化新標(biāo)桿

摩爾定律驅(qū)動下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正步入復(fù)雜度空前的新紀(jì)元。先進工藝節(jié)點的持續(xù)突破疊加國產(chǎn)化供應(yīng)鏈的深度整合,不僅推動芯片性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展,更使管理面臨前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。納米級尺度下的設(shè)計缺陷被放大,工藝窗口收窄,任何偏差都可能引發(fā)驟降、產(chǎn)品延期。
2025-09-12 16:31:462003

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