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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。
硅是由石英砂所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。
硅是由石英砂所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
薄膜是現(xiàn)代微電子、光子學(xué)與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件最基礎(chǔ)的構(gòu)成單元，小到芯片里的導(dǎo)電層、絕緣層，大到光學(xué)鏡頭的鍍膜、MEMS傳感器的微結(jié)構(gòu)，都離不開薄...
炎懷科技TPS導(dǎo)熱測(cè)試儀器-晶圓導(dǎo)熱測(cè)試案例-瞬態(tài)平面熱源法
炎懷科技TPS導(dǎo)熱測(cè)試儀器-晶圓導(dǎo)熱測(cè)試案例。瞬態(tài)平面熱源法可在小溫升、短時(shí)間條件下完成測(cè)試，更適合用于晶圓等高價(jià)值、薄片材料的無損導(dǎo)熱性能測(cè)量。
在半導(dǎo)體制造中，晶圓檢測(cè)正從“發(fā)現(xiàn)缺陷”逐步走向“精確量化缺陷”。隨著工藝不斷向微納尺度推進(jìn)，缺陷形態(tài)更加復(fù)雜，往往具有低對(duì)比度、多層結(jié)構(gòu)疊加等特征。傳...
從DUV到EUV，掩膜版為什么越來越難？Reticle的結(jié)構(gòu)、制造與缺陷在晶圓廠里，最像“押運(yùn)黃金”的物件之一不是晶圓，而是Reticle（倍縮式掩模/...
2D、2.5D和3D立體封裝技術(shù)已廣泛應(yīng)用于倒裝芯片和晶圓級(jí)封裝工藝中，成為后摩爾時(shí)代芯片性能提升的核心支撐技術(shù)。
本文主要介紹扇出型（先上晶芯片面朝下）晶圓級(jí)封裝（FOWLP）。首個(gè)關(guān)于扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）的美國(guó)專利由英飛凌（Infineon）于2001年...
用于3D集成的精細(xì)節(jié)距Cu/Sn微凸點(diǎn)倒裝芯片互連工藝研究
芯片異構(gòu)集成的節(jié)距不斷縮小至 10 μm 及以下，焊料外擴(kuò)、橋聯(lián)成為焊料微凸點(diǎn)互連工藝的主要技術(shù)問題。通過對(duì)微凸點(diǎn)節(jié)距為 8 μm 的 Cu/Sn 固液...
第一次對(duì)非平面襯底上的光刻曝光的詳細(xì)研究出現(xiàn)在20世紀(jì)80年代后期,Matsuzawa等人72]采用有限元方法來描述硅襯底上高臺(tái)階的光散射,他們證明了散...
集成電路的制造，堪稱現(xiàn)代工業(yè)體系中最復(fù)雜精密的系統(tǒng)工程之一。一片硅晶圓從進(jìn)入晶圓廠到最終完成電路結(jié)構(gòu)，需要經(jīng)歷數(shù)百乃至上千道工序。為了便于工藝管理、質(zhì)量...
聚焦晶圓鍵合檢測(cè)：深度解析探頭三大核心參數(shù)的權(quán)衡與選擇
在半導(dǎo)體制造和后道封裝工藝中，晶圓鍵合技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)三維集成、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）封裝等先進(jìn)工藝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。而如何確保鍵合質(zhì)量，尤其是對(duì)于厚度達(dá)到75...
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「聚焦半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試系統(tǒng)」“測(cè)什么？為什么測(cè)！用在哪？”「深度解讀」
標(biāo)簽：IGBT光耦半導(dǎo)體分立器件 6616 0
NanoStar?晶圓級(jí)和SOT-23中的低噪聲、高PSRR、RF、200 mA低壓降線性穩(wěn)壓器TPS793數(shù)據(jù)表立即下載
類別：電子資料 2024-04-02 標(biāo)簽：晶圓線性穩(wěn)壓器低噪聲
半導(dǎo)體設(shè)備零部件國(guó)產(chǎn)化加速，開啟千億新藍(lán)海立即下載
類別：電子資料 2023-11-28 標(biāo)簽：晶圓零部件半導(dǎo)體設(shè)備
WD4000無圖晶圓檢測(cè)機(jī)：助力半導(dǎo)體行業(yè)高效生產(chǎn)的利器立即下載
類別：電子資料 2023-10-26 標(biāo)簽：晶圓表面檢測(cè)半導(dǎo)體晶圓
Wet bench （低氧型）濕法工作站- 關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)與性能指標(biāo)
在半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體濕法制程中，低氧控制、潔凈度、耐腐蝕性與安全運(yùn)行是決定工藝穩(wěn)定性與產(chǎn)品良率的核心要素。低氧型 Wet bench 作為專為高精密、強(qiáng)腐...
爆發(fā)式增長(zhǎng)全球光電子產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，光通信、激光雷達(dá)、太赫茲通信等領(lǐng)域?qū)α谆煹男枨蟪尸F(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。磷化銦在光模塊器件中占據(jù)了80%的市場(chǎng)份額。近年隨著A...
矽芯微成都基地首片8寸晶圓下線，賦能集成電路新質(zhì)生產(chǎn)力
近日，四川矽芯微科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱 “矽芯微”）成都基地項(xiàng)目迎來關(guān)鍵里程碑 —— 首片 8 寸晶圓成功加工下線，并順利完成小批量試生產(chǎn)，以**5 個(gè)...
晶圓清洗設(shè)備技術(shù)規(guī)范全解析：核心標(biāo)準(zhǔn)與關(guān)鍵要求體系
晶圓清洗設(shè)備的技術(shù)規(guī)范要求標(biāo)準(zhǔn)主要圍繞設(shè)備性能、工藝控制、環(huán)境適配及安全環(huán)保等核心維度展開，結(jié)合行業(yè)最新發(fā)布的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)與工藝實(shí)踐，具體規(guī)范如下：核心性能...
晶圓智造的通訊密碼：Ethernet IP轉(zhuǎn)Modbus RTU網(wǎng)關(guān)，讓協(xié)議無縫對(duì)話
晶圓智造的通訊密碼：Ethernet IP轉(zhuǎn)Modbus RTU網(wǎng)關(guān)，讓協(xié)議無縫對(duì)話 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓搬運(yùn)機(jī)械臂的精準(zhǔn)定位與穩(wěn)定運(yùn)行是保障芯片生產(chǎn)...
2026-04-17 標(biāo)簽：晶圓網(wǎng)關(guān)Ethernet IP 197 0
長(zhǎng)電科技2025年全年?duì)I收創(chuàng)歷史新高
2026年4月9日，長(zhǎng)電科技（600584.SH）公布了2025年年度報(bào)告。報(bào)告顯示，公司2025全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入人民幣388.7億元，同比增長(zhǎng)8.1%...
2026-04-10 標(biāo)簽：晶圓封裝長(zhǎng)電科技 663 0
隨著半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)持續(xù)迭代升級(jí)，晶圓尺寸從早期的150mm、200mm，逐步普及至300mm及更大規(guī)格。晶圓尺寸不斷擴(kuò)大，產(chǎn)線自動(dòng)化輸送設(shè)備也隨之增...
SEMVision? G9：引領(lǐng)高產(chǎn)能缺陷檢測(cè)新時(shí)代
SE MVision? G9： 引領(lǐng)高產(chǎn)能缺陷檢測(cè)新時(shí)代 ? SEMVision G9 面向邏輯、存儲(chǔ)器及其他器件的缺陷檢測(cè)應(yīng)用，通過更可靠的成像質(zhì)量以...
2026-04-07 標(biāo)簽：晶圓應(yīng)用材料公司 2.9k 0
“芯”鏈聯(lián)動(dòng)，共謀發(fā)展 | 上海市浦東新區(qū)祝橋鎮(zhèn)黨委副書記、鎮(zhèn)長(zhǎng)范葉青一行蒞臨江西薩瑞微電子考察指導(dǎo)
在這春意盎然的時(shí)節(jié)，江西薩瑞微電子技術(shù)有限公司迎來了遠(yuǎn)道而來的貴賓。近日，上海市浦東新區(qū)祝橋鎮(zhèn)黨委副書記、鎮(zhèn)長(zhǎng)范葉青率考察團(tuán)一行，蒞臨江西薩瑞微電子南昌...
三星力爭(zhēng)2030年量產(chǎn)1nm芯片，引入“fork sheet”新結(jié)構(gòu)
在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門正全力沖刺，計(jì)劃在2030年前推出1nm工藝，這一技術(shù)被譽(yù)為“夢(mèng)想半導(dǎo)體”工藝，每個(gè)計(jì)算單元大小僅相當(dāng)...
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