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SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計(jì)2026年面市

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-14 10:23 ? 次閱讀
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HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場(chǎng)需求,SK 海力士將提速研發(fā)進(jìn)程,預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。

IT之家早先發(fā)布消息稱,SK 海力士計(jì)劃在 2025 年下半年推出首款采用 12 層 DRAM 堆疊的 HBM4 產(chǎn)品,而 16 層堆疊 HBM 則會(huì)在 2026 年稍后推出。

這一“加速”的 HBM4/HBM4E 研發(fā)過程反映出 AI 巨頭對(duì)高性能內(nèi)存的強(qiáng)烈需求,因?yàn)槿找鎻?qiáng)大的 AI 處理器需要更大的內(nèi)存帶寬支持。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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