據(jù)韓媒 ZDNet Korea 于今日的報(bào)導(dǎo)，三星電子正醞釀在HBM4內(nèi)存上采用1c納米制程（即第六代10+nm級(jí)）的DRAM裸片，以此增強(qiáng)其產(chǎn)品在能效競(jìng)爭(zhēng)力方面的優(yōu)勢(shì)。

早前在Memcon 2024行業(yè)會(huì)議上，三星電子代表曾表示，該公司計(jì)劃在年底前實(shí)現(xiàn)對(duì)1c納米制程的大規(guī)模生產(chǎn)；而關(guān)于HBM4，他們預(yù)見(jiàn)在明年會(huì)完成研發(fā)，并在2026年開(kāi)始量產(chǎn)。

盡管作為已有HBM3E量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的三星電子，卻未能如其主要競(jìng)爭(zhēng)者SK海力士及美光那樣，采用1b納米制程的DRAM裸片，反而選擇了1a納米顆粒，從而在能耗方面略顯不足。

有消息人士指出，這可能是促使三星決定在HBM4上引入1c納米DRAM顆粒的關(guān)鍵因素之一。

據(jù)悉，同一制程節(jié)點(diǎn)的首批DRAM產(chǎn)品通常面向桌面與移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)的標(biāo)準(zhǔn)DDR/LPDDR產(chǎn)品，待技術(shù)成熟后再應(yīng)用于高價(jià)值且良率較低的HBM領(lǐng)域。

此外，消息人士還透露，三星電子HBM業(yè)務(wù)的高層及團(tuán)隊(duì)也有意將HBM4的開(kāi)發(fā)周期縮短，以滿足AI處理器制造商的需求。然而，這無(wú)疑將增加良率風(fēng)險(xiǎn)。

目前，在HBM內(nèi)存領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位的SK海力士已經(jīng)表明計(jì)劃在HBM4E上引入1c納米制程顆粒，但尚未明確HBM4內(nèi)存將采用何種制程的DRAM。