日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

關于華虹半導體第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺介紹和應用

0oS6_華虹宏 ? 來源:djl ? 2019-10-17 10:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

華虹半導體一直深耕嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術領域,通過不斷的技術創(chuàng)新,第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%,再創(chuàng)全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點嵌入式閃存技術的最小尺寸紀錄。Flash IP具有更明顯的面積優(yōu)勢,使得芯片整體面積進一步減小,從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數(shù)量。與此同時,光罩層數(shù)也隨之進一步減少,有效縮短了流片周期。而可靠性指標繼續(xù)保持著高水準,可達到10萬次擦寫及25年數(shù)據保持能力。近年來,華虹半導體在90納米工藝節(jié)點連續(xù)成功推出三代閃存工藝平臺,在保持技術優(yōu)勢的同時,不斷探求更高性價比的解決方案。第三代工藝平臺的大規(guī)模穩(wěn)定量產,為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產品以及微控制器MCU)等多元化產品提供持續(xù)穩(wěn)定的支持和解決方案。

華虹半導體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示:“華虹半導體是嵌入式非易失性存儲器技術的領航者,未來將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術的研發(fā)創(chuàng)新,面向高密度智能卡與高端微控制器市場,同時不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化,將200mm現(xiàn)有的技術優(yōu)勢向300mm延伸,更好地服務國內外半導體芯片設計公司,滿足市場需求。”

華虹半導體有限公司(“華虹半導體”,股份代號:1347.HK)是全球領先的特色純晶圓代工企業(yè),專注于嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬電源管理和邏輯及射頻等差異化特色工藝平臺,其卓越的質量管理體系亦滿足汽車電子芯片生產的嚴苛要求。華虹半導體是華虹集團的一員,而華虹集團是國家“909”工程的載體,是以集成電路制造為主業(yè)、面向全球市場、具有自主創(chuàng)新能力和市場競爭力的高科技產業(yè)集團。

華虹半導體在上海金橋和張江建有三座200mm晶圓廠(華虹一廠、二廠及三廠),月產能17.5萬片;同時在無錫高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)內在建一條月產能4萬片的300mm集成電路生產線(華虹七廠)。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    31279

    瀏覽量

    266786
  • 嵌入式
    +關注

    關注

    5210

    文章

    20680

    瀏覽量

    337383
  • 存儲器
    +關注

    關注

    39

    文章

    7758

    瀏覽量

    172278
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    碳化硅 VS 氮化鎵:第三代半導體的“雙雄對決”

    以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體,正憑借更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率,逐步取代傳統(tǒng)硅器件,成為電源系統(tǒng)的“新引擎”。然而,兩者雖同屬寬禁帶半導體,卻在材料特性
    的頭像 發(fā)表于 04-28 14:44 ?885次閱讀
    碳化硅 VS 氮化鎵:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>的“雙雄對決”

    基本半導體推出第三代碳化硅MOSFET頂部散熱封裝系列產品

    基于第三代碳化硅MOSFET技術平臺,基本半導體推出QDPAK、TOLT、T2PAK-7款頂部散熱封裝產品。該系列產品聚焦工業(yè)與車載功率電子應用的實際痛點,在芯片性能與封裝設計上進行
    的頭像 發(fā)表于 04-23 15:32 ?347次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>推出<b class='flag-5'>第三代</b>碳化硅MOSFET頂部散熱封裝系列產品

    高頻交直流電流探頭在第三代半導體功率模塊動態(tài)測試中的精準測量

    高頻交直流電流探頭克服磁飽和問題,實現(xiàn)超寬頻帶響應,適用于第三代半導體動態(tài)測試,提升電流測量精度與效率。
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:56 ?223次閱讀

    深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體

    深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產技術,開啟了在半導體行業(yè)高速發(fā)
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺

    今天,龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結 MOSFET技術平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?1142次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術<b class='flag-5'>平臺</b>

    行業(yè)快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望年內接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望年內接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?585次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?409次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導體市場開拓領航獎

    2025年12月4日,深圳高光時刻!由第三代半導體產業(yè)標桿機構「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產業(yè)盛事。
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?1162次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>市場開拓領航獎

    第三代半導體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習! 碳化硅是第三代半導體材料的代表;而半導體這個行業(yè)又過于學術,為方便閱讀,以下這篇文章的部分章
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?802次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    CINNO出席第三代半導體產業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導體產業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1589次閱讀

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章:B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體(BASIC
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?1080次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>B3M<b class='flag-5'>平臺</b>深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用

    第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導體領域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?929次閱讀
    電鏡技術在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>中的關鍵應用

    第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域

    隨著電子技術的快速發(fā)展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導體已無法滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應運而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2900次閱讀

    瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)

    隨著AI技術井噴快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出的第三代超結MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?1102次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術解析(1)
    四会市| 金门县| 平乡县| 溧水县| 邵阳市| 且末县| 庄河市| 留坝县| 遵义市| 二连浩特市| 务川| 汉川市| 南皮县| 泸定县| 启东市| 建水县| 海原县| 即墨市| 泾源县| 伊通| 洛南县| 南京市| 五常市| 伊春市| 澳门| 静宁县| 南华县| 永川市| 远安县| 古丈县| 桂林市| 施甸县| 武夷山市| 湖北省| 北碚区| 鹿泉市| 高邮市| 佛坪县| 沙田区| 蕲春县| 城口县|