雖然沒(méi)有電子設(shè)備是100％可靠的，但作為設(shè)計(jì)師，我們確實(shí)努力實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。但某些技術(shù)，如DRAM＆amp; NAND Flash，有特殊問(wèn)題。讓我們來(lái)談?wù)劀y(cè)試策略。

NAND閃存與機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備一樣，默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過(guò)使用專(zhuān)用控制器來(lái)處理。另一方面，DRAM被認(rèn)為是“非?！笨煽康?。服務(wù)器通常具有錯(cuò)誤檢測(cè)（并且可能是校正）電路，但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專(zhuān)注于DRAM。

雖然大多數(shù)精細(xì)幾何電子設(shè)備都受到輻射引起的SEU（單事件干擾）的影響，但DRAM的另一個(gè)缺點(diǎn)是，它本質(zhì)上是一種模擬技術(shù)。數(shù)十億微型電容器必須保持充電狀態(tài)，或至少在下次刷新之前保持充電狀態(tài)。如果其中一個(gè)蓋子有點(diǎn)漏或比它應(yīng)該更小，則可能導(dǎo)致操作不可靠。令人抓狂的是，失敗機(jī)制可能是間歇性的，也可能與數(shù)據(jù)有關(guān)。

隨著內(nèi)存時(shí)間變得越來(lái)越快，我們應(yīng)該像在千兆位串行通道上那樣運(yùn)行眼睛測(cè)試。例如，這是一個(gè)1.33Gb/s的DDR3眼睛：

（來(lái)源：Micron Technology）

什么我們應(yīng)該運(yùn)行測(cè)試數(shù)據(jù)，無(wú)論是軟件生成還是硬件生成，以便鍛煉眼睛？偽隨機(jī)是一個(gè)良好的開(kāi)端。

我對(duì)內(nèi)存測(cè)試的興趣可以追溯到我的第一臺(tái)計(jì)算機(jī)。在遭受512字節(jié)內(nèi)存一年后，我添加了一塊32kB DRAM板！無(wú)論是由于糟糕的電路板設(shè)計(jì)，還是真正令人質(zhì)疑的DRAM芯片質(zhì)量，內(nèi)存錯(cuò)誤都是經(jīng)常發(fā)生的，有時(shí)甚至是微妙的。簡(jiǎn)單的模式可以檢測(cè)出最糟糕的錯(cuò)誤，但直到我實(shí)施了偽隨機(jī)測(cè)試才發(fā)現(xiàn)最罕見(jiàn)的錯(cuò)誤。

這些錯(cuò)誤是由于眼睛壞了嗎？可能不是。更有可能的是，它們來(lái)自模式靈敏度，其中DRAM芯片上的數(shù)據(jù)位以某種方式與芯片的設(shè)計(jì)者相互作用。雖然給出了PCB設(shè)計(jì)的狀態(tài)。 1980年，電力完整性也可能是根本原因。

作為支持DRAM的機(jī)器的最終用戶(hù)，我們?nèi)匀豢梢酝ㄟ^(guò)純軟件方式執(zhí)行全面的內(nèi)存測(cè)試，例如優(yōu)秀的Memtest86程序，其中包括許多測(cè)試中的偽隨機(jī)程序。根據(jù)我的經(jīng)驗(yàn)，底線(xiàn)是偽隨機(jī)是追蹤使用其他方法無(wú)法顯示的片狀錯(cuò)誤的最佳方法。

作為內(nèi)存子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者，我們可以去超越這種方法并得到探索。使用偽隨機(jī)模式不僅可以為我們的示波器創(chuàng)建一個(gè)合適的眼圖，它可能會(huì)發(fā)現(xiàn)任何模式敏感度問(wèn)題（盡管這更像是一個(gè)單元測(cè)試，而你只是在開(kāi)發(fā)中進(jìn)行眼睛測(cè)試）。