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zpwsmileTrikon CVD集群工具提供低至0.10微米的低k電介質(zhì)路線圖

PCB線路板打樣 ? 來源:zpwsmile ? 作者:zpwsmile ? 2020-02-14 11:07 ? 次閱讀
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Trikon CVD集群工具提供低至0.10微米的低k電介質(zhì)路線圖
威爾士NEWPORT - Trikon Technologies Inc.今天宣布推出用于化學(xué)氣相沉積的新型單晶片集群工具(CVD),Planar fxP,在單一產(chǎn)品平臺上提供0.1微米生產(chǎn)的完整介電路線圖。

Planar fxP采用Trikon專利的Flowfill和Low k Flowfill技術(shù),用于標(biāo)準(zhǔn)和低k金屬間電介質(zhì)(IMD),使邏輯和DRAM制造商能夠輕松遷移到更高級的設(shè)計規(guī)則和更高速的器件,而無需更換硬件,該公司表示。

Low k Flowfill為芯片制造商提供了一種減色鋁,“低k率”方法,0.18微米,介電常數(shù)為2.8,超出了半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的技術(shù)路線圖要求。 Trikon表示,當(dāng)用于鑲嵌技術(shù)時,Low k Flowfill將提供具有2.5的介電常數(shù)的彈性超低k薄膜,可以與其他加工步驟集成。據(jù)該公司稱,該技術(shù)甚至被證明為k = 2.2。

由于Low k Flowfill提供的間隙填充低于0.1微米,DRAM制造商可以在接下來的三個采用相同的低k解決方案切換到damascene技術(shù)之前的四個設(shè)計節(jié)點。

Trikon的標(biāo)準(zhǔn)Low k Flowfill提供高度可靠的間隙填充和自平面化,使其成為氧化物IMD的理想選擇,該公司表示。它還為0.13微米及以下的DRAM提供了一種替代的,基于非等離子的先進(jìn)金屬前介電(PMD)解決方案,具有低熱預(yù)算。

“Planar fxP的多功能性和靈活性使其成為可能目前,成本最低,風(fēng)險最低的生產(chǎn)選擇使芯片制造商能夠調(diào)整他們的晶圓廠和運營,使他們能夠在不斷變化的市場條件下領(lǐng)先一步,“Trikon市場營銷副總裁Bernard Culverhouse說。

Planar fxP為Trikon經(jīng)過生產(chǎn)驗證的CVD工藝硬件增加了額外的功能和生產(chǎn)力。新的晶圓傳輸模塊使用快速動作機(jī)器人處理器提供更高的吞吐量密度,具有雙末端執(zhí)行器,可提供三個運動軸。兩個真空盒式負(fù)載鎖為工廠提供接口,可輕松與SMIF或其他自動化系統(tǒng)集成。

晶圓定位站和冷卻模塊集成在傳輸模塊中,提供全面的過程控制和與標(biāo)準(zhǔn)塑料盒的兼容性。傳輸模塊周圍的六個過程模塊位置允許指定工具配置,以便最大化吞吐量。

“晶圓使工具完成并準(zhǔn)備好進(jìn)入下一個主要工藝步驟,大大減少了工作 - Trikon的CVD產(chǎn)品營銷經(jīng)理Andy Noakes表示,整個工廠的進(jìn)展和工作流程更加順暢。

由于Trikon的低k薄膜易于集成,因此對后處理步驟的影響微乎其微。設(shè)備。這進(jìn)一步降低了成本實施并縮短了制造商產(chǎn)品的上市時間?!?/p>

Trikon通過實施新的等離子清潔技術(shù),最大限度地減少了PFC排放,從而最大限度地減少了這種新工具對環(huán)境的影響。超過85%,并最大化室內(nèi)清潔之間的正常運行時間和處理過的晶圓吞吐量。


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