Global Foundries 12nm工藝的3D封裝安謀芯片面世
根據(jù)外媒Tom“s Hardware的報道， GlobalFoundries （格羅方德）本周宣布，已經(jīng)使用其12nm FinFET工藝成功制成了高性能的3D Arm芯片。
格羅方德表示：“這些高密度的3D芯片將為計算應(yīng)用，如AI/ML（人工智能和機器學(xué)習(xí)）以及高端消費級移動和無線解決方案，帶來新的性能和能源效率。”
據(jù)報道，格羅方德和Arm這兩家公司已經(jīng)驗證了3D設(shè)計測試（DFT）方法，使用的是格羅方德的混合晶圓對晶圓鍵合。這項技術(shù)每平方毫米可支持多達100萬個3D連接，使其具有高度可擴展性，并有望為12nm 3D芯片提供更長的使用壽命。
對于3D封裝技術(shù)，英特爾去年宣布了其對3D芯片堆疊的研究，AMD也談到了在其芯片上疊加3D DRAM和SRAM的方案。
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