Kilopass Technology，Inc。宣布其XPM技術(shù)現(xiàn)在可用于ASIC和SoC，使用標(biāo)準(zhǔn)邏輯CMOS 90納米硅工藝，以及目前使用0.18，0.15和0.13微米工藝的產(chǎn)品。

XPM，a獨特的嵌入式一次性可編程（OTP）NVM技術(shù)，提供可擴(kuò)展性與先進(jìn)硅工藝的組合，例如90納米，低標(biāo)準(zhǔn)邏輯CMOS制造成本，從幾位到多兆位的存儲密度以及高度安全的存儲。憑借其完整的位尺寸范圍和廣泛的應(yīng)用，XPM幾乎可以增強(qiáng)任何芯片設(shè)計。

博士。 Kilopass Technology首席執(zhí)行官Jack Peng指出，“我們已經(jīng)將我們的專利XPM技術(shù)發(fā)送給了十幾個客戶，我們非常高興地宣布，我們已經(jīng)測試并驗證了90納米的硅，1000小時的老化，我們的客戶希望在未來幾個月內(nèi)從硅原型轉(zhuǎn)向大批量生產(chǎn)。“

作為外部存儲芯片的替代品，XPM技術(shù)可用于高密度嵌入式存儲器應(yīng)用，用于發(fā)布游戲，電影和其他多媒體內(nèi)容，以及嵌入式MCU和基于DSP的系統(tǒng)中的安全固件存儲。 XPM還可用于智能卡的安全I(xiàn)D和數(shù)據(jù)存儲，嵌入式ID和參數(shù)存儲，存儲加密密鑰，模擬微調(diào)和校準(zhǔn)參數(shù)存儲，存儲唯一配置代碼和嵌入式存儲器修復(fù)。

有關(guān)XPM技術(shù)的更多信息

XPM專利的熔絲可編程技術(shù)每個存儲器單元使用1.5個晶體管，可通過外部或內(nèi)部電壓源以低編程電流進(jìn)行編程，并提供快速讀取訪問時間40nsec - 70nsec（1Mbit，0.18微米工藝）。需要多次編程的應(yīng)用可以使用多扇區(qū)方法，最小的芯片面積損失。例如，從1K位基于XPM的存儲器到8K位的大小調(diào)整提供了8個扇區(qū)，用于有限時間的可重新編程，并且它增加了可忽略不計的裸片面積。

XPM內(nèi)存技術(shù)可靠性＆amp;安全性

XPM技術(shù)非常安全。數(shù)據(jù)在大多數(shù)系統(tǒng)（超過20年）的使用壽命期間永久保留，并且不受逆向工程的影響，因為無法通過顯微鏡或電壓對比測試來檢測存儲的數(shù)據(jù)。

可用性

現(xiàn)在可以獲得XPM內(nèi)存技術(shù)的許可證，包括GDSII布局以及模擬和時序模型。