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旺宏在SLCNANDFlash市場(chǎng)開(kāi)始擴(kuò)大出貨 近期12英寸晶圓產(chǎn)能幾乎滿載

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來(lái)源:wv ? 作者:工商時(shí)報(bào) ? 2019-09-27 16:24 ? 次閱讀
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非揮發(fā)性快閃存儲(chǔ)器大廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求26日表示,近期NOR Flash價(jià)格持穩(wěn),看好5G基地臺(tái)及終端設(shè)備將會(huì)采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市場(chǎng)開(kāi)始擴(kuò)大出貨,19納米制程月投片量已超過(guò)1萬(wàn)片,其中19納米4Gb SLC NAND已大量出貨給美國(guó)客戶,第四季在訂單陸續(xù)到位下將擴(kuò)大出貨量。

吳敏求表示,19納米制程的SLC NAND已正式出貨給美國(guó)機(jī)頂盒大客戶,主要出貨產(chǎn)品為4Gb SLC NAND,而且出貨量“不是小量”。旺宏下半年進(jìn)入旺季,吳敏求透露近期12英寸晶圓產(chǎn)能幾乎滿載。

吳敏求表示,電視機(jī)頂盒因?yàn)橄到y(tǒng)愈來(lái)愈復(fù)雜,若使用高容量NOR Flash成本太高,所以轉(zhuǎn)用容量更高的SLC NAND Flash。現(xiàn)在一般機(jī)頂盒采用的NAND Flash容量大約在2Gb或4Gb,而且未來(lái)SLC NAND還會(huì)應(yīng)用在像4K/8K超高畫(huà)質(zhì)電視等消費(fèi)性產(chǎn)品。對(duì)于存儲(chǔ)器價(jià)格看法,吳敏求表示,包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)、NAND Flash及NOR Flash價(jià)格都處在穩(wěn)定狀態(tài)。

隨著5G將在明年大量商轉(zhuǎn),吳敏求認(rèn)為可增加更多存儲(chǔ)器用量。吳敏求表示,5G最大的意義是網(wǎng)絡(luò)可更快傳輸更多資料,所以5G應(yīng)用除了基地臺(tái)及手機(jī)外,支援5G物聯(lián)網(wǎng)裝置也會(huì)愈來(lái)愈多。現(xiàn)階段來(lái)看,5G基地臺(tái)及終端裝置會(huì)搭載較高容量NOR Flash,至于5G手機(jī)等產(chǎn)品也會(huì)用到更多存儲(chǔ)器,但市況好不好要看消費(fèi)者買(mǎi)不買(mǎi)單。

旺宏第三季進(jìn)入出貨旺季,受惠于NAND Flash及NOR Flash價(jià)格止跌回穩(wěn)且出貨暢旺,加上任天堂新推出游戲機(jī)及體感游戲RingFit套件,帶動(dòng)旺宏ROM出貨創(chuàng)高,8月合并營(yíng)收月增24.9%達(dá)37.91億元(新臺(tái)幣,下同),較去年同期成長(zhǎng)17.2%,并為歷年同期新高。法人預(yù)期,旺宏第三季營(yíng)收可望站上百億元大關(guān),較上季成長(zhǎng)4成以上。旺宏不評(píng)論法人預(yù)估財(cái)務(wù)數(shù)字。

旺宏今年資本支出約140億元,主要用于進(jìn)行制程微縮以降低單位制造成本,包括SLC NAND Flash由36納米轉(zhuǎn)換至19納米,每片晶圓切割出的同容量芯片可增1倍,明年可望帶來(lái)30%以上的位元成長(zhǎng)率。

NOR Flash也由75納米微縮至55納米后,每片晶圓切割出的同容量芯片可增加50%,并會(huì)增加高容量NOR Flash產(chǎn)能。旺宏投入許多資源開(kāi)發(fā)的192層3D NAND,預(yù)計(jì)2021年開(kāi)始生產(chǎn)TLC規(guī)格芯片。

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