新唐科技N588H170介紹
N588H170是一種先進(jìn)的3通道語(yǔ)音(Speech)/音樂(lè)(melody) IC芯片，結(jié)合8位65C02微處理器核心，提供4位元或5位元的MDPCM語(yǔ)音壓縮技術(shù)，透過(guò)語(yǔ)音合成來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的高音質(zhì)的應(yīng)用。
N588H170改進(jìn)了架構(gòu)，為各種應(yīng)用盡量減少外部組件。此外，它允許客戶使用內(nèi)部振蕩電阻(internal Rosc)，其具有精確的中心頻率控制，這樣可以節(jié)省BOM成本，并可達(dá)到較低的頻率偏差。
N588H170提供了多種的功能，包括16個(gè)I/O端口、其中8個(gè)I/O端口具有高驅(qū)動(dòng)電流、128位元隨機(jī)存取內(nèi)存、提供H/W紅外線載波輸出、2組比較器(Comparator)和4級(jí)電壓檢測(cè)(LVD)。同時(shí)，N588H170建立3對(duì)輸出引腳并具有64級(jí)脈寬調(diào)變控制(PWM)，可應(yīng)用于微型馬達(dá)控制或LED燈淡入淡出的漸變控制。N588H170還提供了看門(mén)狗定時(shí)器(WDT)、低電壓復(fù)位(LVR)，以防止閂鎖(Latch-Up)情況的發(fā)生。
規(guī)格數(shù)據(jù)
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
新唐科技
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1092瀏覽量
43397 -
嵌入式主板
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
6107瀏覽量
37175
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
安森美SiC MOSFET NVHL1000N170M1：性能與應(yīng)用解析
安森美SiC MOSFET NVHL1000N170M1：性能與應(yīng)用解析 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天我們就來(lái)深入了解安森美
Onsemi BS170和MMBF170場(chǎng)效應(yīng)晶體管深度解析
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，憑借其出色的性能和可靠性，成為了眾多工程師的首選。今天，我們就來(lái)深入了解一下這兩款產(chǎn)品。 文件下載： MMBF170-D.PDF 二、產(chǎn)品概述 2.1 技術(shù)
汽車(chē)應(yīng)用FlexInput IC——L9966介紹
汽車(chē)應(yīng)用FlexInput IC——L9966介紹 在汽車(chē)電子領(lǐng)域，傳感器接口的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入了解一款專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的FlexInput IC——L9966。 文件下載
解析 onsemi NTBLS1D7N08H 單通道 N 溝道功率 MOSFET
解析 onsemi NTBLS1D7N08H 單通道 N 溝道功率 MOSFET 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET 是常用的功率半導(dǎo)體器件之一。今天我們就來(lái)深入了解一下 onsemi 推出
安森美NTMFS6D1N08H N溝道功率MOSFET深度解析
安森美NTMFS6D1N08H N溝道功率MOSFET深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET作為關(guān)鍵元件，對(duì)電路性能起著至關(guān)重要的作用。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）推出
探索 onsemi NTMTS1D2N08H N 溝道功率 MOSFET
探索 onsemi NTMTS1D2N08H N 溝道功率 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，它廣泛應(yīng)用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換電路中。今天，我們來(lái)深入
Onsemi NVMFS6H800N N溝道功率MOSFET：設(shè)計(jì)利器解析
Onsemi NVMFS6H800N N溝道功率MOSFET：設(shè)計(jì)利器解析 引言 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，其性能直接影響到整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。Onsemi
深入解析 onsemi NVBLS1D1N08H N 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi NVBLS1D1N08H N 溝道 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入剖析
安森美NVMFS6H818N：高性能N溝道MOSFET的卓越之選
安森美NVMFS6H818N：高性能N溝道MOSFET的卓越之選 引言 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。安森美（onsemi）推出
64通道24位電流轉(zhuǎn)數(shù)字ADC——ADAS1127介紹
64通道24位電流轉(zhuǎn)數(shù)字ADC——ADAS1127介紹 引言 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，對(duì)于高精度、多通道的模擬 - 數(shù)字轉(zhuǎn)換需求日益增長(zhǎng)。今天我們要介紹的ADAS1127就是一款能很好滿足這類(lèi)需求的產(chǎn)品
請(qǐng)問(wèn)-88dBm的接收靈敏度是什么個(gè)概念？
-88dBm的接收靈敏度是什么個(gè)概念？我看官方的CW32R030介紹說(shuō)其靈敏度達(dá)到-88dBm，是說(shuō)明其接收的靈敏度非常好嗎？
發(fā)表于 01-16 07:14
Infineon DD170N36K整流二極管模塊技術(shù)解析
Infineon DD170N36K整流二極管模塊技術(shù)解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，整流二極管模塊是非常關(guān)鍵的電子元件，它在各類(lèi)電子電路中承擔(dān)著將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的重要任務(wù)。今天，我們來(lái)
基于onsemi NVH4L050N170M1碳化硅MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET性能卓越，在V~GS~ = 20V時(shí)，典型R~DS(on)~ 為53mΩ。onsemi NVH4L050N170
E203 代碼結(jié)構(gòu)梳理
一、隊(duì)伍介紹
本篇為蜂鳥(niǎo)E203系列分享第五篇，本篇介紹的內(nèi)容是E203 代碼結(jié)構(gòu)梳理。
二、層次圖
三、模塊具體功能
發(fā)表于 10-30 06:56
合科泰N溝道增強(qiáng)型MOSFET HKTS80N06介紹
合科泰HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用SGT屏蔽柵技術(shù)，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優(yōu)化散熱，產(chǎn)品均符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，以低導(dǎo)通電阻和高電流承載，可適配封閉環(huán)境應(yīng)用，如儲(chǔ)能電池包BMS和車(chē)載OBC應(yīng)用。
評(píng)論