新唐科技N584L030芯片介紹
N584L030是一顆以4位元微處理控制器為基礎(chǔ)的語音IC芯片，提供H/W的語音合成器和混頻器實(shí)現(xiàn)1個(gè)信道語音(Speech)并加雙音旋律(Dual Tone)的聲音效果。結(jié)合其采用的低電壓技術(shù)，實(shí)現(xiàn)在玩具市場中一顆電池的應(yīng)用。
N584L30內(nèi)部升壓器(booster voltage)電壓將達(dá)到3V。
它提供128 組4位元隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)、8個(gè)I/O腳位、語音合成器(Speech synthesizer)、旋律生成器(Melody generator)、看門狗監(jiān)視定時(shí)器(Watch Dog Timer)、語音脈沖寬度調(diào)變器(Audio PWM)，此PWM輸出可以直接驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器(Speaker)。
規(guī)格數(shù)據(jù)
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
新唐科技
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1092瀏覽量
43397 -
嵌入式主板
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
6107瀏覽量
37175
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
安森美1200V碳化硅MOSFET NTHL030N120M3S技術(shù)剖析
安森美1200V碳化硅MOSFET NTHL030N120M3S技術(shù)剖析 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其優(yōu)越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選器件。今天，我們就來深入剖析安森美
onsemi碳化硅MOSFET NVBG030N120M3S技術(shù)剖析
）MOSFET——NVBG030N120M3S。 文件下載： NVBG030N120M3S-D.PDF 一、產(chǎn)品概述 NVBG030N120M3S是一款采用D2PAK - 7L封裝的
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L030N120M3S：高性能解決方案
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L030N120M3S：高性能解決方案 在電子工程領(lǐng)域，功率器件的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新興的功率器件
安森美FDMS030N06B N溝道MOSFET：高性能解決方案
安森美FDMS030N06B N溝道MOSFET：高性能解決方案 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）的FDMS030N06B
深入解析FDP030N06B-F102 N溝道PowerTrench? MOSFET
深入解析FDP030N06B-F102 N溝道PowerTrench? MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來詳細(xì)探討
Onsemi NTLUS030N03C MOSFET 深度解析
Onsemi NTLUS030N03C MOSFET 深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，其性能和特性對電路設(shè)計(jì)的成敗起著至關(guān)重要的作用。今天我們來深入了解 Onsemi
安森美NTMFD030N06C雙N溝道MOSFET：緊湊設(shè)計(jì)與高性能的完美結(jié)合
安森美NTMFD030N06C雙N溝道MOSFET：緊湊設(shè)計(jì)與高性能的完美結(jié)合 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET的性能和特性對電路的效率和穩(wěn)定性起著關(guān)鍵作用。今天，我們將深入探討安森美（onsemi
安森美NTTFS030N06C MOSFET的特性與應(yīng)用解析
安森美NTTFS030N06C MOSFET的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為一種關(guān)鍵的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。安森美（onsemi）的NTTFS030N06C N
深入解析 NTTFS030N10G 功率 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用
深入解析 NTTFS030N10G 功率 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件，它廣泛應(yīng)用于各種電源管理和功率控制電路中。今天，我們就來深入探討
深入解析 onsemi NVTFS030N06C N 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi NVTFS030N06C N 溝道 MOSFET 引言 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。onsemi 的 NVTFS030N06C
解析NVMFD030N06C雙N溝道功率MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用
解析NVMFD030N06C雙N溝道功率MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET作為關(guān)鍵的電子元件，廣泛應(yīng)用于各類電路設(shè)計(jì)中。今天，我們來深入了解一款由
onsemi NVTFS030N06C MOSFET：緊湊設(shè)計(jì)與高效性能的完美結(jié)合
onsemi NVTFS030N06C MOSFET：緊湊設(shè)計(jì)與高效性能的完美結(jié)合 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們就來深入探討 onsemi 推出
HMC584LP5 / 584LP5E：高性能MMIC VCO的卓越之選
HMC584LP5 / 584LP5E：高性能MMIC VCO的卓越之選 在射頻和微波領(lǐng)域，壓控振蕩器（VCO）是至關(guān)重要的組件，它為眾多應(yīng)用提供了穩(wěn)定的頻率源。今天，我們就來深入了解一款性能出色
CW32F030芯片沒使用的IO是什么狀態(tài)？
CW32F030芯片，沒使用的IO是什么狀態(tài)？
為什么會(huì)這么問呢？主要是之前遇到過一個(gè)比較有意思的事兒，用的PB3，但實(shí)際初始化時(shí)鐘是PA，IO和配置是PB3，讀取這個(gè)IO狀態(tài)就是一直下拉狀態(tài)。
就很好奇，CW32F030
發(fā)表于 12-04 08:20
請問新唐Nu-Link調(diào)試工具是否支持8051系列芯片？
新唐Nu-Link調(diào)試工具包括Nu-Link-Me（ICE）、Nu-Link-Pro（ICE）和Nu-Link（ICE），并支持1T 8051芯片，如N76E003、N76E616和
發(fā)表于 08-18 08:20
評論