安森美1200V碳化硅MOSFET NTHL030N120M3S技術(shù)剖析

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其優(yōu)越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選器件。今天，我們就來(lái)深入剖析安森美（onsemi）的一款29毫歐、1200V的碳化硅MOSFET——NTHL030N120M3S。

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產(chǎn)品概述

NTHL030N120M3S是一款N溝道MOSFET，采用TO - 247 - 3L封裝。它具有超低的導(dǎo)通電阻（Typ. (R{DS(on)} = 29 mOmega @ V{GS} = 18 V)）、超低的柵極電荷（(Q{G(tot)} = 107 nC)）以及低電容（(C{oss} = 106 pF)），能夠?qū)崿F(xiàn)高速開(kāi)關(guān)。此外，該器件經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試，并且符合無(wú)鹵和RoHS標(biāo)準(zhǔn)（豁免7a，二級(jí)互連無(wú)鉛）。

主要參數(shù)

最大額定值

熱特性

推薦工作條件

電氣特性

關(guān)態(tài)特性

• 漏源擊穿電壓（(V_{GS} = 0 V)，(I_D = 1 mA)）：1200 V
• 漏源擊穿電壓溫度系數(shù)： - 0.3 V/(^{circ}C)
• 零柵壓漏極電流（(V{GS} = 0 V)，(V{DS} = 1200 V)，(T_J = 25^{circ}C)）：100 μA
• 柵源泄漏電流（(V{GS} = +22 / - 10 V)，(V{DS} = 0 V)）：±1 μA

開(kāi)態(tài)特性

• 柵極閾值電壓（(V{GS} = V{DS})，(I_D = 15 mA)）：2.04 - 4.4 V
• 漏源導(dǎo)通電阻（(V_{GS} = 18 V)，(I_D = 30 A)，(T_J = 25^{circ}C)）：Typ. 29 mΩ，Max. 39 mΩ
• 正向跨導(dǎo)（(V_{DS} = 10 V)，(I_D = 30 A)）：Typ. 30 S

電荷、電容和柵極電阻

• 輸入電容（(V{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz)，(V{DS} = 800 V)）：2430 pF
• 輸出電容：106 pF
• 反向傳輸電容：9.4 pF
• 總柵極電荷（(V{GS} = - 3 / 18 V)，(V{DS} = 800 V)，(I_D = 30 A)）：107 nC
• 閾值柵極電荷：6 nC
• 柵源電荷：17 nC
• 柵漏電荷：28 nC
• 柵極電阻（(f = 1 MHz)）：2 Ω

開(kāi)關(guān)特性

• 開(kāi)通延遲時(shí)間：17 ns
• 上升時(shí)間：39 ns
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：46 ns
• 下降時(shí)間：14 ns
• 開(kāi)通開(kāi)關(guān)損耗：未給出具體值
• 關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗：198 μJ
• 總開(kāi)關(guān)損耗：949 μJ

源 - 漏二極管特性

• 連續(xù)源 - 漏二極管正向電流（(V_{GS} = - 3 V)，(T_C = 25^{circ}C)）：Max. 62 A
• 脈沖源 - 漏二極管正向電流：193 A
• 正向二極管電壓（(V{GS} = - 3 V)，(I{SD} = 30 A)，(T_J = 25^{circ}C)）：Typ. 4.6 V
• 反向恢復(fù)時(shí)間：19 ns
• 反向恢復(fù)電荷：100 nC
• 反向恢復(fù)能量：6.9 μJ
• 峰值反向恢復(fù)電流：11 A
• 充電時(shí)間：11 ns
• 放電時(shí)間：7.8 ns

典型應(yīng)用

NTHL030N120M3S適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電站、不間斷電源（UPS）、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）等。這些應(yīng)用都對(duì)功率器件的性能和可靠性有較高要求，而該器件的特性正好能夠滿(mǎn)足這些需求。

封裝與外形尺寸

該器件采用TO - 247 - 3LD封裝，文檔中給出了詳細(xì)的外形尺寸信息，包括各部分的最小、標(biāo)稱(chēng)和最大尺寸。在進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)時(shí)，工程師需要根據(jù)這些尺寸來(lái)合理布局，確保器件能夠正確安裝和散熱。

總結(jié)

安森美NTHL030N120M3S碳化硅MOSFET以其優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，為電子工程師在功率設(shè)計(jì)方面提供了一個(gè)可靠的選擇。不過(guò)，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師還需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)要求和工作條件，對(duì)器件的參數(shù)進(jìn)行進(jìn)一步的評(píng)估和驗(yàn)證。大家在使用這款器件時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題或者挑戰(zhàn)呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。