魅族16T日光橙版本明日開售，全面屏使用第三代OLED新材料
11月21日消息，魅族科技官方微博宣布，魅族16T日光橙版本將在明天10：00全渠道開售。
魅族16T共提供三種配色：湖光綠、鯨躍藍、日光橙三種配色，日光橙價格與其他兩色保持一致：6+128版本1999元，8+128版本2299元，8+256版本2499元。
魅族16T于10月23日發(fā)布，采用6.5英寸極邊全面屏，使用了第三代OLED新材料，搭載硬件級藍光過濾技術，有效減少58%有害藍光。同時它具備視網膜級別色彩還原，亮度可達600尼特，戶外使用清晰可見。
其搭載高通驍龍855旗艦平臺，配備UFS 3.0閃存，前置1600萬像素，后置1200萬主攝+800萬超廣角+500萬副攝，其中主攝為索尼IMX362，單位像素面積為1.4μm，電池容量為4500mAh，支持18W快充。
官方介紹，魅族16T擁有坦克級續(xù)航，可以夸張地在優(yōu)酷連續(xù)煲劇近17個小時、可以視頻從早刷到晚、可以槍戰(zhàn)游戲5小時、可以團戰(zhàn)游戲6小時40分，續(xù)航如坦克般持久。
此外，魅族16T配備雙立體揚聲器，細節(jié)更豐富、層次更分明、聲場更寬闊。而且線性振動馬達、3.5mm耳機孔等都在魅族16T上保留。
責任編輯：gt
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
OLED
+關注
關注
121文章
6375瀏覽量
234369 -
魅族
+關注
關注
7文章
2678瀏覽量
47772 -
高通驍龍
+關注
關注
7文章
1228瀏覽量
45853
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立，當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體
深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立，當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產技術，開啟了在半導體行業(yè)高速發(fā)展的征程。公司
發(fā)表于 01-31 08:46
龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺
今天，龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結 MOSFET技術平臺。
行業(yè)快訊：第三代半導體駛入快車道，碳化硅器件成本有望三年內接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導體駛入快車道，碳化硅器件成本有望三年內接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響，整體呈現“高技術投入與規(guī)?；当静⒋妗钡奶卣鳌Ｒ?、成本構成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
CINNO出席第三代半導體產業(yè)合作大會
10月25日，第三代半導體產業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
材料與應用：第三代半導體引領產業(yè)升級
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，正加速替代傳統(tǒng)硅基材料，在新能源汽車、工業(yè)控制等領域實現規(guī)模化應用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、快充設備的核心
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章：B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術認知
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數的特性。
電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用
第三代半導體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現，正在成為半導體領域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術發(fā)揮著不可或缺的作用
SiC碳化硅第三代半導體材料 | 耐高溫絕緣材料應用方案
發(fā)展最成熟的第三代半導體材料，可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè)，萬眾矚目。陶瓷方面，
第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域
隨著電子技術的快速發(fā)展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵
瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析（1）
隨著AI技術井噴式快速發(fā)展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發(fā)制人，推出的第三代超結MOSFET，能全面滿足高效能需求。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產在即
電子發(fā)燒友網綜合報道?消息人士指出，日本 TDK 公司正加速推進第三代硅陽極電池的量產進程，將出貨時間從原計劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術在于將負極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅
評論