（文章來(lái)源：機(jī)器之能）

眾所周知，手機(jī)芯片對(duì)于手機(jī)就像主機(jī)對(duì)于電腦一樣，十分重要。而在前段時(shí)間高通發(fā)布的合作伙伴中有很大一部分來(lái)自中國(guó)，像小米，OPPO，vivo等都是其重要的客戶(hù)。這在很大程度上表現(xiàn)出我國(guó)在手機(jī)芯片方面的弱勢(shì)地位。但是這也不意味著我國(guó)就沒(méi)有拿得出手的手機(jī)芯片，像華為和聯(lián)發(fā)科新推出的5G芯片天機(jī)1000就是一款能夠與高通驍龍對(duì)抗的手機(jī)芯片。

臺(tái)積電目前最先進(jìn)的就是7nm+Euv工藝制程，他也是目前全球最領(lǐng)先的芯片制造技術(shù)，華為新款的麒麟990 5G芯片就是源自臺(tái)積電的技術(shù)，指甲蓋大小的芯片里面內(nèi)置超100億個(gè)晶體管，華為首次將5G Modem集成到SoC上，也是全球首款集成5G Soc，在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了巨大的突破，也成為國(guó)產(chǎn)芯片的一座里程碑。

在過(guò)去的三十年里，中國(guó)科技力量不斷發(fā)展，不斷進(jìn)步，卻依舊與美國(guó)有著很大的差距，核心技術(shù)也被美企所壟斷，好在我們足夠努力，差距也正在一點(diǎn)點(diǎn)的縮小，正是如此，在這些年里我國(guó)也誕生了一些出色的芯片公司，就在這時(shí)，中科院傳來(lái)“好消息”，技術(shù)創(chuàng)新出現(xiàn)新突破，國(guó)芯的未來(lái)可期！

據(jù)了解中科院科學(xué)家研發(fā)出的新型垂直納米環(huán)柵晶體管技術(shù)，可以直接把我國(guó)芯片制造的技術(shù)提升到2nm以下，這項(xiàng)技術(shù)把國(guó)內(nèi)芯片技術(shù)拉高了好幾個(gè)等級(jí)，彎道超車(chē)，闖入世界芯片制造的前列。這也意味著我國(guó)在芯片制造領(lǐng)域取得了重大的突破。

大家都知道，芯片集成度越高也就意味著制造的難度越大，臺(tái)積電擁有全球最先進(jìn)的光刻機(jī)，可以實(shí)現(xiàn)7nm代工，但是目前有些技術(shù)方面還是被西方國(guó)家壟斷，先進(jìn)的芯片制程技術(shù)還被臺(tái)積電和三星等外企所壟斷，還好中國(guó)在不斷的創(chuàng)新，不斷的突破，據(jù)中科院最新研究結(jié)果表明，我國(guó)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了世界上首個(gè)具有自對(duì)準(zhǔn)柵極的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管，此項(xiàng)研究成果已經(jīng)在權(quán)威雜志《IEEE Electron Device Letters》發(fā)表，并且獲得多項(xiàng)中、美發(fā)明專(zhuān)利的授權(quán)！

在此之前，Intel首發(fā)22nm FinFET工藝，后來(lái)全區(qū)開(kāi)始有了22/16/14nmFinFET鰭式晶體管，如今已經(jīng)進(jìn)入到了最低3nm，三星也對(duì)外宣布用3nm節(jié)點(diǎn)改用GAA環(huán)繞柵極晶體管，所以對(duì)比下來(lái)中科院的這項(xiàng)研究成果意義重大，這種新型垂直納米環(huán)柵晶體管被視為2nm及以下工藝的主要技術(shù)候選，對(duì)我國(guó)芯片制造產(chǎn)業(yè)會(huì)有巨大的推動(dòng)作用，國(guó)產(chǎn)芯片技術(shù)的“破冰”，也在一定程度上表現(xiàn)出我國(guó)在向世界頂級(jí)強(qiáng)國(guó)的路上越走越遠(yuǎn)。

（責(zé)任編輯：fqj）