日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基于MEMS技術(shù)的1×N端口光開關(guān)詳解

工程師鄧生 ? 來源:HYC億源通 ? 作者:HYC億源通 ? 2020-01-26 17:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

互聯(lián)網(wǎng)應用的快速發(fā)展推動了基于ROADM技術(shù)的智能光網(wǎng)絡的建設(shè),新一代的CDC(無色、無方向性和無競爭)ROADM,其主流技術(shù)方案是1×N端口WSS (波長選擇開關(guān))+ N×M端口WSS,或者1×N端口WSS+N×M端口MCS(多播開關(guān)),如圖1所示。基于成本考量,后者即1×N端口WSS+N×M端口MCS更受電信運營商和設(shè)備制造商歡迎。因此隨著基于ROADM的智能光網(wǎng)絡的發(fā)展,市場對MCS光開關(guān)的需求增長迅猛,特別是當ROADM技術(shù)由骨干網(wǎng)下沉至城域網(wǎng)時。

基于MEMS技術(shù)的1×N端口光開關(guān)詳解

圖1. 基于1×N端口WSS + N×M端口WSS或者1×N端口WSS+N×M端口MCS的CDC ROADM節(jié)點

8×16端口MCS光開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖2所示,它包括8個1×16端口的PLC光分路器和16個8×1端口的光開關(guān),光分路器通常以PLC技術(shù)制備,而1×N端口光開關(guān)通常采用MEMS技術(shù)。最常用的是1×8和1×16端口光開關(guān)。

圖2. 8×16端口MCS光開關(guān)結(jié)構(gòu)(PS:光分路器,SW:光開關(guān))

基于MEMS技術(shù)的1×N端口光開關(guān),其結(jié)構(gòu)如圖3所示,它包括一個MEMS微鏡、一個準直透鏡和一個多纖插針。MEMS微鏡通常貼裝在一個TO管座上,然后通過TO管帽將準直透鏡與TO管座組裝成一個組件,最后在有源調(diào)試狀態(tài)下,將多纖插針與前述組件對準并固定在一起。

圖3. 基于MEMS技術(shù)的1×N端口光開關(guān)結(jié)構(gòu)

圖3中的器件結(jié)構(gòu)非常簡單,然而,要制作一個大端口數(shù)、低損耗的1×N端口光開關(guān)并不容易。最大損耗發(fā)生在離軸距離最遠(Δmax)的端口處,該端口受離軸像差的影響最大。隨著光學系統(tǒng)的相對孔徑Δmax/f(f為準直透鏡的焦距)增加,光學像差劣化。增加焦距f有助于減小像差,但長焦距會增加入射在MEMS微鏡上的準直光斑直徑,如是(1)

其中ω0為光纖中的光斑半徑,ωc為微鏡上的光斑半徑。

準直光斑的尺寸受限于MEMS微鏡直徑Ф,為了保證覆蓋到準直光斑能量的99%,要求Ф》3ωc。然而,由于MEMS技術(shù)本身的限制,微鏡的直徑Ф與最大偏轉(zhuǎn)角度θmax存在相互制約關(guān)系,比如一個典型的MEMS微鏡參數(shù)為Ф=1mm、θmax=±4°。鏡面直徑Ф越大則最大偏角θmax=Δmax/f越小,從而反過來限制了光開關(guān)的端口數(shù)。因此我們知道,增加準直透鏡的焦距f并不能提高光開關(guān)的端口數(shù)N。

考慮到上述困境,有三個途徑可提高光開關(guān)的端口數(shù),其一是改變多纖插針中的光纖排列方式,如圖4所示,左圖只需要單軸MEMS微鏡,但端口數(shù)少一些;右圖可以得到更多的端口數(shù),但需要雙軸MEMS微鏡。一個雙軸MEMS微鏡的價格比單軸微鏡貴得多。

圖4. 多纖插針中的光纖排列方式

增加光開關(guān)端口數(shù)的第二個途徑是減小光纖直徑。我們知道,典型單模光纖的包層直徑是125μm,通常以化學腐蝕工藝來減小光纖直徑。腐蝕之后的光纖直徑通常為60~80μm,但仍然不夠小,因此光開關(guān)的端口數(shù)受限為N≤16。另外,腐蝕工藝的控制并不容易,這會增加多纖插針的成本。

增加光開關(guān)端口數(shù)的第三個途徑是選用一個像差較小的準直透鏡,非球面或者自聚焦透鏡的性能,都會比C-Lens好一些。

隨著運營商轉(zhuǎn)型和用戶需求對網(wǎng)絡靈活性要求的增加, 基于WSS+MCS的ROADM技術(shù)實現(xiàn)方式,將成為城域網(wǎng)建設(shè)中的理想解決方案。而1×N MEMS光開關(guān)是MCS中的重要組成部分。

基于現(xiàn)有業(yè)務的需求以及面向未來網(wǎng)絡發(fā)展的需求,億源通推出了一系列自主研發(fā)的MEMS技術(shù)產(chǎn)品, 包括1×48通道的光開關(guān)。1×48 MEMS光開關(guān)是基于MEMS(微機電系統(tǒng))技術(shù)和自由空間平臺,具有體積小、延遲低、高效切換等特性,可廣泛應用于光線路監(jiān)控、OADM和測量儀器系統(tǒng)中。

圖5. 1×48通道的光開關(guān)

關(guān)于億源通

億源通是一家專注于光通信無源基礎(chǔ)器件研發(fā)、制造、銷售與服務于一體的國家級高新技術(shù)企業(yè)。公司主營產(chǎn)品為:光纖連接器(數(shù)據(jù)中心高密度光連接器),WDM波分復用器,PLC光分路器,MEMS光開關(guān)等四大核心光無源基礎(chǔ)器件,廣泛應用于光纖到戶、4G/5G移動通信、互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心、國防通信等領(lǐng)域。
責任編輯:wv

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 開關(guān)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    3322

    瀏覽量

    98494
  • mems
    +關(guān)注

    關(guān)注

    129

    文章

    4534

    瀏覽量

    199670
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    ADGM1144:高性能MEMS開關(guān)的詳細解析

    ADGM1144:高性能MEMS開關(guān)的詳細解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,開關(guān)的性能對于整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能起著至關(guān)重要的作用。ADGM1144作為一款采用MEMS
    的頭像 發(fā)表于 04-27 15:45 ?115次閱讀

    ADGM1004:高性能MEMS開關(guān)的卓越之選

    ADGM1004:高性能MEMS開關(guān)的卓越之選 在電子工程師的日常設(shè)計工作中,開關(guān)是不可或缺的元件。而ADGM1004這款采用模擬器件公司微機電系統(tǒng)(MEMS
    的頭像 發(fā)表于 04-27 15:45 ?123次閱讀

    5.3A、1200V NPT系列N溝道IGBT:HGTD1N120BNS與HGTP1N120BN詳解

    5.3A、1200V NPT系列N溝道IGBT:HGTD1N120BNS與HGTP1N120BN詳解 一、前言 在電子工程師的日常設(shè)計中,選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天我們要介紹
    的頭像 發(fā)表于 04-22 14:25 ?145次閱讀

    onsemi FDMS86101DC N溝道MOSFET:特性與應用詳解

    onsemi FDMS86101DC N溝道MOSFET:特性與應用詳解 在電子工程師的日常工作中,MOSFET是不可或缺的元件之一,今天咱們就來聊聊 onsemi 的一款高性能N溝道MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 04-16 09:10 ?386次閱讀

    安森美 NTMYS1D2N04CL 單通道 N 溝道功率 MOSFET 詳解

    安森美 NTMYS1D2N04CL 單通道 N 溝道功率 MOSFET 詳解 在電子設(shè)備的設(shè)計中,功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件,它直接影響著設(shè)備的性能和效率。今天,我們就來詳細了解一下安森美
    的頭像 發(fā)表于 04-10 09:35 ?131次閱讀

    onsemi NVCR4LS1D6N10MCA N溝道功率MOSFET詳解

    onsemi NVCR4LS1D6N10MCA N溝道功率MOSFET詳解 在電子設(shè)備的設(shè)計中,功率MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們就來深入了解一下 onsemi 公司
    的頭像 發(fā)表于 04-08 09:45 ?341次閱讀

    Onsemi NVMJST1D3N04C:高性能N溝道MOSFET的技術(shù)剖析

    Onsemi NVMJST1D3N04C:高性能N溝道MOSFET的技術(shù)剖析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET作為功率開關(guān)器件,廣泛應用于各類電路中。Onsemi推出的NVMJST
    的頭像 發(fā)表于 04-03 10:30 ?195次閱讀

    onsemi FDP20N50F/FDPF20N50FT MOSFET:高效開關(guān)的理想之選

    : FDPF20N50FT-D.pdf 1. 技術(shù)背景與概述 1.1 UniFET 技術(shù) UniFET MOSFET 是 onsemi 基于平面條紋和 DMOS
    的頭像 發(fā)表于 03-29 14:45 ?188次閱讀

    燒結(jié)銀膏在硅技術(shù)和EML技術(shù)的應用

    ℃·cm/W 抗熱循環(huán)>1000次,適配數(shù)據(jù)中心長期高負載 4激光雷達LiDAR光學模組集成 硅芯片與 MEMS/透鏡/探測器無損互連,提升測距精度 二)燒結(jié)銀膏在硅技術(shù)
    發(fā)表于 02-23 09:58

    珠海首條MEMS芯片產(chǎn)線投產(chǎn) 云際芯6英寸MEMS芯片生產(chǎn)基地通線

    珠海首條自主6英寸MEMS產(chǎn)線投產(chǎn) 深耕壓電MEMS工藝及關(guān)鍵技術(shù) 1月15日,云際芯(珠海)微電子有限公司(簡稱:云際芯
    的頭像 發(fā)表于 01-19 18:20 ?2550次閱讀
    珠海首條<b class='flag-5'>MEMS</b>芯片產(chǎn)線投產(chǎn) 云際芯<b class='flag-5'>光</b>6英寸<b class='flag-5'>MEMS</b>芯片生產(chǎn)基地通線

    汽車級 USB 充電端口控制器 TPS2586x-Q1 詳解

    汽車級 USB 充電端口控制器 TPS2586x-Q1 詳解 在汽車電子領(lǐng)域,USB 充電端口的需求日益增長,對其控制器的性能和可靠性也提出了更高要求。TPS2586x-Q
    的頭像 發(fā)表于 12-17 09:25 ?654次閱讀

    MEMS真空封裝新突破:NEG薄膜技術(shù)受關(guān)注

    mems
    北京中科同志科技股份有限公司
    發(fā)布于 :2025年12月08日 15:22:56

    光通信測試領(lǐng)域的精準利器:Agilent N7768A 多端口開關(guān)解析

    N7768A 多端口開關(guān) ,憑借其卓越的切換性能、靈活的端口配置和穩(wěn)定的運行表現(xiàn),成為光通信系統(tǒng)測試、網(wǎng)絡運維及研發(fā)環(huán)節(jié)的核心設(shè)備,為
    的頭像 發(fā)表于 09-18 17:39 ?1251次閱讀
    光通信測試領(lǐng)域的精準利器:Agilent <b class='flag-5'>N</b>7768A 多<b class='flag-5'>端口</b><b class='flag-5'>光</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>解析

    晶臺耦 KL6N137 :以精密光電技術(shù)驅(qū)動智能開關(guān)性能提升

    在智能家居領(lǐng)域,晶臺高速耦KL6N137正成為智能開關(guān)升級的關(guān)鍵元件。傳統(tǒng)機械式智能開關(guān)受限于觸點壽命與電磁干擾,而KL6N137通過光電
    的頭像 發(fā)表于 09-15 15:22 ?759次閱讀
    晶臺<b class='flag-5'>光</b>耦 KL6<b class='flag-5'>N</b>137 :以精密光電<b class='flag-5'>技術(shù)</b>驅(qū)動智能<b class='flag-5'>開關(guān)</b>性能提升

    ADGM1121 0 Hz/DC 至 18 GHz,DPDT MEMS開關(guān)技術(shù)手冊

    ADGM1121 是一款寬帶雙刀雙擲 (DPDT) 開關(guān),使用 ADI 公司的微機電系統(tǒng) (MEMS) 開關(guān)技術(shù)制造。該技術(shù)可實現(xiàn)小尺寸、寬
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:14 ?1178次閱讀
    ADGM1121 0 Hz/DC 至 18 GHz,DPDT <b class='flag-5'>MEMS</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>手冊
    岳阳市| 清涧县| 紫金县| 双流县| 张家口市| 钟祥市| 石门县| 诸暨市| 如东县| 太仆寺旗| 榕江县| 锦州市| 维西| 雷山县| 墨江| 临泽县| 富川| 玛曲县| 黄平县| 兰考县| 湖州市| 夹江县| 阿城市| 西乌| 博野县| 县级市| 牙克石市| 论坛| 栖霞市| 澎湖县| 灵璧县| 新蔡县| 中西区| 松潘县| 千阳县| 城口县| 寿宁县| 南通市| 道孚县| 苏尼特右旗| 武宁县|