美浦森：我們的碳化硅器件裕量高，產(chǎn)能足
12月19日，Elexcon2019深圳國際電子展順利開幕，作為本屆會展唯一的視頻直播合作方，<電子發(fā)燒友>在展會期間，通過現(xiàn)場直播方式采訪了眾多企業(yè)，就相關(guān)的行業(yè)、技術(shù)、市場和產(chǎn)品等話題進(jìn)行了廣泛的交流。
在12月19日上午，深圳美浦森半導(dǎo)體有限公司（Maplesemi）董事長兼總經(jīng)理朱勇華在視頻直播間接受了<電子發(fā)燒友>的采訪。在采訪中朱勇華介紹了美浦森的發(fā)展現(xiàn)狀，以及本次展會展示的特色產(chǎn)品，他還特別介紹了該公司碳化硅器件的特性。
圖：深圳美浦森半導(dǎo)體有限公司（Maplesemi）董事長兼總經(jīng)理朱勇華。
電子發(fā)燒友：對中國工程師來說，美浦森這個品牌可能還比較陌生，可以請朱總簡要介紹一下美浦森嗎？
朱勇華：美浦森成立于2008年，工廠位于韓國的工業(yè)城市浦項(xiàng)，主營Power MOSFET及碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。目前8英寸月產(chǎn)能12000片，6英寸月產(chǎn)能10000片。公司的主要技術(shù)骨干均來自韓國三星半導(dǎo)體和美國Fairchild半導(dǎo)體，在產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)工藝方面具有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。
經(jīng)過11年的發(fā)展，目前產(chǎn)品覆蓋高中壓MOSFET，超結(jié)MOSFET，以及碳化硅器件，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于逆變器、鎮(zhèn)流器、適配器、充電器、PC電源、電視機(jī)電源、電焊機(jī)電源等各領(lǐng)域。目前韓國三星電子、韓國現(xiàn)代汽車、韓國LG電子等公司均為Maplesemi的客戶。
電子發(fā)燒友：這次ELEXCON深圳國際電子展，美浦森帶來了哪些比較有特色的產(chǎn)品？
朱勇華：此次展會我們有展出推出的有超結(jié)MOSFET和碳化硅器件。相比競爭對手的產(chǎn)品，我們的超結(jié)MOSFET具有更好的EMI/EMC特性。
碳化硅器件方面，一顆美浦森的10A碳化硅二極管，可以替代傳統(tǒng)的3顆15A的二極管，而且我們使用碳化硅的新電源方案，體積可以縮小2/3，能效可以提高10%。
電子發(fā)燒友：這幾年有很多公司開始涉及碳化硅技術(shù)產(chǎn)品，美浦森的碳化硅產(chǎn)品有什么不一樣？
朱勇華：美浦森從2012年跟韓國現(xiàn)代汽車一同開發(fā)碳化硅器件以來，一直致力于第三代半導(dǎo)體的研發(fā)與制造，經(jīng)過這幾年的技術(shù)積累，我們現(xiàn)在的產(chǎn)品線覆蓋得非常全面。電流從2A到60A，電壓從650V到3000V。
美浦森的碳化硅產(chǎn)品具有以下幾個特點(diǎn)：
一是裕量留得特別高，我們650V的碳化硅產(chǎn)品，實(shí)際耐壓有1000V，1200V的碳化硅產(chǎn)品，實(shí)際耐壓做到了1700V。即便是這樣，由于韓國工程師對工藝的精益求精，我們的電流密度做得非常好，Vf始終控制在BLD的水平，因此，有的產(chǎn)品綜合性能甚至要優(yōu)于歐美公司。
二是我們的產(chǎn)能非常充足，歐美廠商一般要5到6個月的交期，我們最長的交期只需要58天。
當(dāng)然，我們也非常重視客戶服務(wù)，而且始終將客戶服務(wù)放在第一位。
電子發(fā)燒友：這兩年MOSFET在市場很搶手，現(xiàn)在也快到年尾了，您對2019年的MOSFET市場有什么感受？您如何評價今年美浦森的市場表現(xiàn)？
朱勇華：2019年整個的半導(dǎo)體市場先揚(yáng)后抑，由于受貿(mào)中美貿(mào)易摩擦的影響，整體出貨都比較疲軟，客戶端的需求比平常也降低了很多。但是，最近貿(mào)易摩擦已經(jīng)有了很大的緩和，相信2020年會有一個比較大的提升。
相比大環(huán)境，美浦森今年的市場表現(xiàn)非常不錯，我們的產(chǎn)品出貨量與2018年相比，有13%的增長。
另外，我們也在不斷拓展新的客戶，比如我們不僅有消費(fèi)類的客戶，而且也增加了不少工業(yè)類的客戶。我們第一季度推出來的產(chǎn)品，客戶的認(rèn)知度非常高，已經(jīng)成為了我們一個新的增長點(diǎn)。
電子發(fā)燒友：請問朱總對明年有什么期望？
朱勇華：為了響應(yīng)國家節(jié)能減排，提高能效的號召，我們需要提高產(chǎn)品性能。隨著電源功率能效的大幅提升，也對電源的核心器件------半導(dǎo)體芯片提出了更高的要求。未來，美浦森會推出更多的產(chǎn)品，讓更多的行業(yè)，更多的客戶，用上我們更高性能的產(chǎn)品。我們也會配合“中國制造”向“中國智造”的轉(zhuǎn)變，為中國半導(dǎo)體的發(fā)展做出自己的貢獻(xiàn)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10838瀏覽量
235096 -
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
2227瀏覽量
95511 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3559瀏覽量
52682
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
《氧化鋁、碳化硅、氮化硅，誰才是工業(yè)陶瓷老大？》
如果非要在氧化鋁、碳化硅和氮化硅這三大工業(yè)陶瓷中選出一個“老大”，我們不妨借用一個形象的比喻來理解它們各自的“江湖地位”：坐鎮(zhèn)中樞的氧化鋁是“丞相”，攻城拔寨的碳化硅是“征北大將軍”，
發(fā)表于 04-29 07:23
技術(shù)突圍與市場破局：碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級路徑
廢物、高熱值工業(yè)危廢焚燒領(lǐng)域，工況溫度常需維持在1200℃以上，且煙氣腐蝕性強(qiáng)。采用高純氮化硅結(jié)合碳化硅的復(fù)合內(nèi)膽，其服役壽命較傳統(tǒng)高鋁或普通碳化硅
發(fā)表于 03-20 11:23
碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)與工程實(shí)踐
在電力電子行業(yè)向高效化、高功率密度轉(zhuǎn)型的背景下，碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的核心代表，正憑借其優(yōu)異的物理特性重塑功率器件市場格局。電子聚焦新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力
200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響
我們能將碳化硅 (SiC) 襯底厚度推進(jìn)到多薄而不影響性能？這是我們幾十年來一直在追問的問題，同時我們也在不斷突破碳化硅 (SiC) 材料性
森國科發(fā)布SOD123封裝1200V/1A碳化硅二極管
深圳市森國科科技股份有限公司將原本用于硅基器件的小型封裝SOD123成功應(yīng)用于1200V/1A碳化硅二極管，這一突破彰顯了其在碳化硅器件設(shè)計
基于SiC碳化硅功率器件的c研究報告
基于SiC碳化硅功率器件的一級能效超大功率充電樁電源模塊深度報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)
)、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件，碳化硅技術(shù)更具優(yōu)勢，尤其是在功率轉(zhuǎn)換效率和熱敏感性方面。碳化硅對電子、電力行業(yè)的整體影響可帶來更強(qiáng)的盈利能力和可持續(xù)性。 來自兩家行業(yè)領(lǐng)先半導(dǎo)體
Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用
的專利申請量就增長了約 200%。Wolfspeed 強(qiáng)大的知識產(chǎn)權(quán)組合支撐著材料和器件方面的關(guān)鍵突破，這些突破使得碳化硅 (SiC) 技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用。
碳化硅功率器件的基本特性和主要類型
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料，正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性，成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討碳化硅功率
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)
的不同，碳化硅襯底可分為兩類：一類是具有高電阻率（電阻率≥10^5Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，另一類是低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。02
簡述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅（SiliconCarbide,SiC）是一種新興的半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性，正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅（Si）材料，成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)
技術(shù)發(fā)展具有重要價值。
技術(shù)原理分析
梯度調(diào)節(jié)依據(jù)
碳化硅硬度高、脆性大，切割起始階段，材料表面完整，刀具與材料接觸狀態(tài)穩(wěn)定，可采用相對較大的進(jìn)給量提高加工效率
切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化
引言
在碳化硅襯底加工過程中，切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進(jìn)行工藝優(yōu)化，對提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。
量化關(guān)系
碳化硅功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用
隨著全球汽車行業(yè)向電動化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型，碳化硅（SiC）功率器件以其優(yōu)越的性能，正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）的各類應(yīng)用中，SiC
評論