SK海力士新款PCIe NVMe固態(tài)硬盤將于CES 2020展會上亮相
根據(jù)消息報道，韓國全球半導體制造商SK海力士將在2020年國際消費電子展（CES）上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe NVMe固態(tài)硬盤，采用SK海力士的128層4D NAND閃存。
SK 海力士發(fā)言人稱：“SK海力士的新款SSD是為運行大型軟件的用戶和游戲玩家準備的，SK 海力士將在CES上首次推出Gold P31 SATA固態(tài)硬盤、Gold P31 PCIe固態(tài)硬盤以及Platinum P31 PCIe固態(tài)硬盤。”
CES 2020展會將于1月7日至10日在美國內(nèi)華達州拉斯維加斯舉行。
責任編輯：gt
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31284瀏覽量
266826 -
固態(tài)硬盤
+關(guān)注
關(guān)注
12文章
1650瀏覽量
60703 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1015瀏覽量
41947
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
SK海力士榮獲2026年IEEE企業(yè)創(chuàng)新獎
SK海力士（或‘公司’）26日宣布，公司于當?shù)貢r間24日在美國紐約舉行的“2026年IEEE*榮譽頒獎典禮”上，榮獲企業(yè)創(chuàng)新獎（Corporate Innovation Award）。
AI浪潮下的業(yè)績狂飆：SK海力士2026年一季度財報深度解析
北京時間4月23日早間，全球存儲芯片巨頭SK海力士發(fā)布2026年第一季度財報，數(shù)據(jù)一經(jīng)披露便引發(fā)資本市場熱議。盡管營收52.6萬億韓元略低于市場預(yù)期的53.6萬億韓元，但凈利潤40.33萬億韓元
SK海力士攜AI存儲器產(chǎn)品亮相NVIDIA GTC 2026
韓國首爾，2026年3月17日——SK海力士（簡稱‘公司’，https://www.skhynix.com）17日宣布，將于3月16日至19日（當?shù)貢r間）參加在美國加利福尼亞州圣何塞舉行的“英偉達GTC 2026（GPU技術(shù)大會
KV緩存黑科技！SK海力士“H3存儲架構(gòu)”，HBM和HBF技術(shù)加持！
據(jù)韓國經(jīng)濟日報報道，SK海力士近日在IEEE（電氣與電子工程師協(xié)會）全球半導體大會上發(fā)表論文，提出了一種全新的存儲架構(gòu)。據(jù)悉，該架構(gòu)名為“H3（hybrid semiconductor
SK海力士在CES 2026展示面向AI的下一代存儲器解決方案
SK海力士（或‘公司’）6日宣布，公司將于當?shù)貢r間1月6日至9日，在美國拉斯維加斯舉辦的“CES 2026”威尼斯人會展中心設(shè)立專屬客戶展館，并集中展示面向AI的下一代存儲器解決方案。
SK海力士HBS存儲技術(shù)，基于垂直導線扇出VFO封裝工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃，該技術(shù)
SK海力士發(fā)布未來存儲路線圖
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日，韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全線AI存儲創(chuàng)造者”（F
SK海力士ZUFS 4.1閃存，手機端AI運行時間縮短47%！
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布，已正式向客戶供應(yīng)其全球率先實現(xiàn)量產(chǎn)的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作，于今年6月成功完成了該產(chǎn)
紫光閃存UNIS S5 Ultra PCIe 5.0固態(tài)硬盤評測
在2025年北京國際廣播電影電視展覽會（BIRTV）上，紫光閃芯公司產(chǎn)品紫光閃存UNIS S5 Ultra PCIe 5.0 M.2固態(tài)硬盤與ARECA公司ARC-1689-8N型號控制器強強聯(lián)手，在
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡稱NAND
SK海力士在微細工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實力
SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術(shù)的支撐，其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理，SK海力士憑借壓倒性的技術(shù)實力，引領(lǐng)著全球半導體
SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK
SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章
SK海力士宣布，5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀念儀式”上，來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領(lǐng)跑者
近年來，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商，這些
NVMe固態(tài)和SSD哪個好？一文解析存儲技術(shù)差異
SSD（固態(tài)硬盤）通過NAND閃存替代機械硬盤的盤片，實現(xiàn)讀寫速度的飛躍。而NVMe（Non-VolatileMemoryExpress）并非物理硬件，而是一種基于
評論