SK海力士展出兩款新的高端SSD 持續(xù)讀寫最高3.5GB/s
去年8月份，閃存巨頭SK海力士重返消費級SSD市場，首發(fā)產(chǎn)品Gold S31只是個試水之作，常規(guī)的2.5英寸SATA形態(tài)，最大容量1TB。
CES 2020展會上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點采用了SK海力士自己家的4D TLC NAND閃存。
其實這里所謂的4D閃存，本質(zhì)上還是3D堆疊閃存，依然基于3D CTF（電荷捕獲閃存）設(shè)計、PUC（Peri. Unde，只不過SK海力士在存儲單元陣列之下增加了一個電路層。
SK海力士已在半年前開始量產(chǎn)這種4D閃存，128層堆疊，號稱堆疊密度、容量密度都是最高，單顆芯片容量1Tb（128GB），集成超過3600億個閃存單元。
回到兩款新SSD，都是M.2 22110形態(tài)，支持PCIe 3.0 x4、NVMe 1.3，采用自家主控，持續(xù)讀寫最高3.5GB/s、3.2GB/s，支持掉電保護。
區(qū)別只在于容量和壽命：Gold P31 500GB/1TB，最大寫入量375TBW、750TBW，Platinum P31 2TB，最大寫入量1500TBW。
責任編輯：wv
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
SSD
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
3152瀏覽量
122633 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1015瀏覽量
41947
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
192GB，SK海力士開始為英偉達Vera Rubin量產(chǎn)SOCAMM2
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文 / 吳子鵬）日前，SK 海力士宣布正式量產(chǎn)基于第六代 10 納米級（1c）LPDDR5X DRAM 的 192GB 容量 SOCAMM2（Small Outline
SK海力士榮獲2026年IEEE企業(yè)創(chuàng)新獎
SK海力士（或‘公司’）26日宣布，公司于當?shù)貢r間24日在美國紐約舉行的“2026年IEEE*榮譽頒獎典禮”上，榮獲企業(yè)創(chuàng)新獎（Corporate Innovation Award）。
AI浪潮下的業(yè)績狂飆：SK海力士2026年一季度財報深度解析
北京時間4月23日早間，全球存儲芯片巨頭SK海力士發(fā)布2026年第一季度財報，數(shù)據(jù)一經(jīng)披露便引發(fā)資本市場熱議。盡管營收52.6萬億韓元略低于市場預(yù)期的53.6萬億韓元，但凈利潤40.33萬億韓元
SK海力士正式量產(chǎn)基于1c LPDDR5X的192GB容量SOCAMM2
SK海力士20日宣布，正式量產(chǎn)基于第六代10納米級（1c）LPDDR5X低功耗DRAM的192GB（千兆字節(jié)）容量SOCAMM2產(chǎn)品。 ? SOCAMM2*是一款將主要適用于智能手機等
KV緩存黑科技！SK海力士“H3存儲架構(gòu)”，HBM和HBF技術(shù)加持！
structure）”，同時采用了HBM和HBF兩種技術(shù)。 ? 在SK海力士設(shè)計的仿真實驗中，H3架構(gòu)將HBM和HBF顯存并置于GPU旁，由GPU負責計算。該公司將8個HBM3E和8個HBF置于英偉達
人均64萬！SK海力士發(fā)出史上最高年終獎
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，SK海力士宣布將向全體3.3萬名員工發(fā)放人均1.36億韓元（約合64萬元人民幣）的績效獎金，這一金額較往年大幅提升，創(chuàng)下公司歷史以來最高記錄。 引 ? 那么此次巨額年終獎
SK海力士HBS存儲技術(shù)，基于垂直導(dǎo)線扇出VFO封裝工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃，該技術(shù)
SK海力士發(fā)布未來存儲路線圖
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日，韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全線AI存儲創(chuàng)造者”（Full
SK海力士ZUFS 4.1閃存，手機端AI運行時間縮短47%！
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布，已正式向客戶供應(yīng)其全球率先實現(xiàn)量產(chǎn)的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作，于今年6月成功完成了該產(chǎn)
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡稱NAND
SK海力士在微細工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實力
SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術(shù)的支撐，其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理，SK海力士憑借壓倒性的技術(shù)實力，引領(lǐng)著全球半導(dǎo)體
SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的
SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章
SK海力士宣布，5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀念儀式”上，來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領(lǐng)跑者
近年來，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商，這些
評論