近日，國際標(biāo)準(zhǔn)化組織（ISO）正式發(fā)布了微束分析領(lǐng)域中的一項國際標(biāo)準(zhǔn)“基于測長掃描電鏡的關(guān)鍵尺寸評測方法”。

據(jù)悉，該標(biāo)準(zhǔn)是半導(dǎo)體線寬測量方面的首個國際標(biāo)準(zhǔn)，也是半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域由中國主導(dǎo)制定的首個國際標(biāo)準(zhǔn)。由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院和微尺度物質(zhì)科學(xué)國家研究中心的丁澤軍團隊主導(dǎo)制定。

芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸，其中最小的特征尺寸稱為關(guān)鍵尺寸（CD），其大小代表了半導(dǎo)體制造工藝的復(fù)雜性水平。對CD測量也可稱為納米尺度線寬測量，目前半導(dǎo)體的刻蝕線寬已經(jīng)降到10 nm以下，其測量的精準(zhǔn)性直接決定著器件的性能。

測長掃描電鏡（CD-SEM）是半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中進(jìn)行實時監(jiān)控與線寬測量的最為簡便和高效的方法。然而，由于掃描電鏡的二次電子信號發(fā)射在線寬邊沿處的加強效應(yīng)，納米級線寬的CD-SEM圖像的解析需要建立高精準(zhǔn)算法。

據(jù)中國科大官方消息，與傳統(tǒng)的經(jīng)驗閾值方法相比，丁澤軍團隊的測量方法能夠給出準(zhǔn)確的CD值，并且把線寬測量從單一參數(shù)擴展到包含結(jié)構(gòu)形貌特征的信息，適用于如晶圓上的柵極、光掩模、尺寸小至10 nm的單個孤立的或密集的線條特征圖案，這不僅為半導(dǎo)體刻蝕線寬的CD-SEM準(zhǔn)確評測確定了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，也為一般性納米級尺寸的其它測量法提供了參考。