三星量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，寫入速度是SATA硬盤的兩倍以上
三星今日宣布開始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，其連續(xù)寫入速度超過1.2GB/s，是其前代產(chǎn)品寫入速度的3倍。
三星方面表示，與前代產(chǎn)品、固態(tài)硬盤及MicroSD卡相比，eUFS 3.1芯片將為智能手機提供更快的數(shù)據(jù)傳輸體驗。，新eUFS 3.1芯片的連續(xù)寫入速度是SATA硬盤（540MB / s）的兩倍以上，是 UHS-I microSD 卡（90MB / s）的十倍以上，其處理速度比市面上常見的 UFS 3.0 快 60%，擁有2，100MB/s的順序讀取速度以及100，000 IOPS（每秒輸入/輸出操作）和70，000 IOPS的隨機讀取速度和寫入速度。
此外三星的eUFS 3.1系列還將提供256GB和128GB容量，目前三星位于平澤工廠的P1生產(chǎn)線已開始生產(chǎn)第六代V-NAND。同時，位于中國西安的新X2生產(chǎn)線已開始生產(chǎn)第五代V-NAND。
責任編輯：gt
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
463文章
54463瀏覽量
469700 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15897瀏覽量
183238 -
硬盤
+關注
關注
3文章
1367瀏覽量
60081
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
三星電子業(yè)績暴漲八倍，DRAM價格第二季度再漲30%
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）近期，三星電子公布了其第一季度初步業(yè)績報告，數(shù)據(jù)令人矚目：預計營業(yè)利潤將達到57.2萬億韓元，與去年同期的6.69萬億韓元相比，增長了八倍以上，遠超市場預期的40.6
SATA/ DDR 接口的電源設計要點
我結合你正在做的12V多路電源板，給你把 **SATA/ DDR 接口的電源設計要點**一次性講清楚，直接能用到你的原理圖里：
---
## 一、SATA 接口電源設計要點
SATA
發(fā)表于 04-23 08:08
基于三星Exynos Modem的廣和通5G模組Fx550正式全球量產(chǎn)
3月31日，廣和通宣布：基于三星Exynos Modem平臺開發(fā)的5G模組Fx550（包含LGA封裝的FG550及M.2封裝的FM550）已正式實現(xiàn)規(guī)?；?b class='flag-5'>量產(chǎn)。該產(chǎn)品的推出及量產(chǎn)不僅標志著廣
電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置支持的外接存儲類型的寫入速度如何？
波形監(jiān)測等高性能需求場景，推薦使用 USB 3.0/3.1 接口的 SSD 或內(nèi)置 SATA SSD 方案，確?！?0MB/s 的持續(xù)寫入能力，以支持高采樣率數(shù)據(jù)的穩(wěn)定存儲。
爆！三星退出SATA SSD業(yè)務！
SATA SSD業(yè)務。爆料者稱已獲得多個分銷和零售渠道的消息來源證實。未來三星將重心轉向為人工智能行業(yè)供貨，其大部分產(chǎn)量將用于滿足人工智能行業(yè)對高帶寬內(nèi)存HBM等的需求。 ? 筆者采訪到閃存市場相關負責人
TE Connectivity Raychem USB 3.1 電纜技術解析與應用指南
是USB 3.0的兩倍，溫度范圍寬，為-65°C至+200°C，阻抗為90Ω（ USB 3.1對為±5Ω/傳統(tǒng)對為±13.2Ω），抗拉強度為2000psi。目標市場包括商業(yè)和軍事航空應用中的eVTOL（電動垂直起降）、UAM（城市空中交通）和UAV（無人飛行器）。
全球首款2nm芯片被曝準備量產(chǎn) 三星Exynos 2600
據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準備量產(chǎn)；三星公司已確認 Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動 SoC 芯片，目
三星最新消息：三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 三星和海力士不會被征收100%關稅
給大家?guī)?b class='flag-5'>三星的最新消息： 三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報道，三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋果公司的下一代
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
Performance Body-bias）方案的驗證。Exynos 2600是全球首款2nm手機芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測試進展順利，三星將立即啟動
比DDR5速率快兩倍以上！DDR6已進入平臺驗證
計劃提升至17600MT/s，達到現(xiàn)行DDR5最高速度（約8000MT/s）的兩倍以上。 ? 2024 年，JEDEC 開始著手研究下一代內(nèi)存標準 DDR6，目標是為存儲器領域帶來更快的讀寫速
鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲器開始送樣
融合現(xiàn)有存儲單元與先進的 CMOS 技術，實現(xiàn)投資效益最大化 ? 全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術的 512Gb TLC存儲器已開始送樣 （1
發(fā)表于 07-28 15:30
?884次閱讀
今日看點丨NAND Flash Q3將漲價超15%；阿斯麥警告 2026 年增長目標堪憂；蘋果折疊手機將采用三星無折痕方案
1、NAND Flash第三季度將漲價超15% 據(jù)業(yè)界最新預測，第三季NAND Flash漲價已成定局，其中，512Gb以下產(chǎn)品預估漲幅超過15％，1Tb以上高容量產(chǎn)品漲幅則落在5％至
發(fā)表于 07-17 10:13
?2978次閱讀
外媒稱三星與英飛凌/恩智浦達成合作，共同研發(fā)下一代汽車芯片
與處理器的協(xié)同設計”，并致力于“增強芯片的安全性能與實時處理能力”。三星據(jù)稱正在為該領域開發(fā)高集成度的 SoC 方案，以實現(xiàn)更優(yōu)的能效比。 三星和英飛凌、恩智浦這兩家公司之間已有深厚聯(lián)
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
評論