臺(tái)積電3nm技術(shù)論壇延期 三星將在3nm節(jié)點(diǎn)放棄FinFET晶體管
由于受到全球疫情影響，臺(tái)積電宣布原本4月29日在美國(guó)舉行的技術(shù)論壇延期，這次論壇本來是要公布臺(tái)積電3nm技術(shù)的。
臺(tái)積電去年宣布投資200億美元推進(jìn)3nm工藝，目前已經(jīng)在前期的建廠準(zhǔn)備中，預(yù)計(jì)2022年量產(chǎn)，比之前預(yù)告的2023年量產(chǎn)要提前一年。
在3nm節(jié)點(diǎn)上，三星已經(jīng)搶先一步，去年就宣布了3nm GAE工藝，將在3nm節(jié)點(diǎn)放棄FinFET晶體管，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，比7nm工藝，3nm GAE工藝號(hào)稱可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
臺(tái)積電的3nm很可能沒三星這么激進(jìn)，之前的消息稱3nm節(jié)點(diǎn)會(huì)繼續(xù)用FinFET工藝，在第二代3nm或者2nm節(jié)點(diǎn)才會(huì)升級(jí)到GAA晶體管技術(shù)。
原本3nm工藝的秘密會(huì)在4月29日的臺(tái)積電美國(guó)技術(shù)論壇上揭秘，不過現(xiàn)在要推遲到8月24日了，在圣克拉拉舉行技術(shù)論壇，8月25日則會(huì)緊接著舉行開放創(chuàng)新平臺(tái)論壇。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5812瀏覽量
177107 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10446瀏覽量
148713
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
小米玄戒O1芯片出貨量破百萬：3nm自研SoC開啟技術(shù)新紀(jì)元
2026年4月，小米集團(tuán)創(chuàng)始人雷軍在投資者日宣布，自研3nm旗艦SoC玄戒O1累計(jì)出貨量突破百萬顆。作為中國(guó)大陸首顆采用臺(tái)積電第二代3nm工
臺(tái)積電2026年Q1業(yè)績(jī)亮眼，1nm技術(shù)突破瞄準(zhǔn)“埃米時(shí)代”
全球半導(dǎo)體龍頭臺(tái)積電于2026年第一季度交出亮眼成績(jī)單，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收359億美元，環(huán)比增長(zhǎng)6.4%，創(chuàng)同期歷史新高。這一增長(zhǎng)主要得益于AI芯片需求的持續(xù)爆發(fā)，公司先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率維持高位，7nm
臺(tái)積電擬投資170億，在日本建設(shè)3nm芯片工廠
據(jù)報(bào)道，全球最大的半導(dǎo)體代工制造商臺(tái)積電（TSMC）已最終確定在日本熊本縣量產(chǎn)3nm線寬的尖端半導(dǎo)體芯片的計(jì)劃。預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資額將達(dá)到170億美元。日本政府正致力于提升國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造能
三星發(fā)布Exynos 2600，全球首款2nm SoC，NPU性能提升113%
）技術(shù)。相較于傳統(tǒng)的3nm FinFET工藝，GAA架構(gòu)提供了更出色的靜電控制和更高的電流密度，使芯片性能提升12%，功
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代
臺(tái)積電2納米制程試產(chǎn)成功，AI、5G、汽車芯片，誰(shuí)將率先受益？
與現(xiàn)行的3nm工藝相比，臺(tái)積電在2nm制程上首次采用了GAA（Gate-All-Around，環(huán)繞柵極）
臺(tái)積電2納米制程試產(chǎn)成功，AI、5G、汽車芯片
又近了一大步。 ? ? 這一歷史性節(jié)點(diǎn)不僅意味著制程技術(shù)的再度跨越，也預(yù)示著未來AI、通信與汽車等核心領(lǐng)域即將迎來一場(chǎng)深刻的“芯革命”。 1、技術(shù)再突破 與現(xiàn)行的3nm工藝相比，
臺(tái)積電預(yù)計(jì)對(duì)3nm漲價(jià)！軟銀豪擲54億美元收購(gòu)ABB機(jī)器人部門/科技新聞點(diǎn)評(píng)
在十一黃金周和國(guó)慶假期后第一天工作日，科技圈接連發(fā)生三件大事：1、臺(tái)積電預(yù)計(jì)將對(duì)3nm實(shí)施漲價(jià)策略；2、日本巨頭軟銀宣布54億美元收購(gòu)ABB
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)
。
叉行片：連接并集成兩個(gè)晶體管NFET和PFET，它們之間同時(shí)被放置一層不到10nm的絕緣膜，放置缺陷的發(fā)生。
CFET：屬于下一代晶體管結(jié)構(gòu)，采用3D堆疊式GAAFET，面積可縮小
發(fā)表于 09-15 14:50
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話
。
FinFET是在22nm之后的工藝中使用，而GAA納米片將會(huì)在3nm及下一代工藝中使用。
在叉形片中，先前獨(dú)立的兩個(gè)晶體管NFET和PFET被連接和集成在兩邊，從而進(jìn)一步提升了集成
發(fā)表于 09-06 10:37
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了！
，10埃）開始一直使用到A7代。
從這些外壁叉片晶體管的量產(chǎn)中獲得的知識(shí)可能有助于下一代互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）的生產(chǎn)。
目前，領(lǐng)先的芯片制造商——英特爾、臺(tái)積
發(fā)表于 06-20 10:40
蘋果A20芯片的深度解讀
以下是基于最新行業(yè)爆料對(duì)蘋果A20芯片的深度解讀，綜合技術(shù)革新、性能提升及行業(yè)影響三大維度分析： 一、核心技術(shù)創(chuàng)新 ? ? 制程工藝突破 ? ? 全球首款2nm芯片 ?：采用
臺(tái)積電2nm良率超 90%！蘋果等巨頭搶單
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道
臺(tái)積電先進(jìn)制程漲價(jià)，最高或達(dá)30%！
%，最高可能提高30%。 ? 今年1月初臺(tái)積電也傳出過漲價(jià)消息，將針對(duì)3nm、5nm等先進(jìn)制程技術(shù)
發(fā)表于 05-22 01:09
?1351次閱讀
跨越摩爾定律，新思科技掩膜方案憑何改寫3nm以下芯片游戲規(guī)則
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）在半導(dǎo)體行業(yè)邁向3nm及以下節(jié)點(diǎn)的今天，光刻工藝的精度與效率已成為決定芯片性能與成本的核心要素。光刻掩模作為光刻技術(shù)的“底片”，其設(shè)計(jì)質(zhì)量直接決定了晶體管
評(píng)論