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SK Hynix的DDR5內(nèi)存路線圖公布,下一代DRAM芯片今年實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)

牽手一起夢(mèng) ? 來源:科技不翻車官方 ? 作者:佚名 ? 2020-04-03 17:31 ? 次閱讀
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智能手機(jī)中的運(yùn)行內(nèi)存與存儲(chǔ)內(nèi)存是作為手機(jī)存儲(chǔ)的硬件搭配,在PC電腦硬件平臺(tái)上面的話,則是對(duì)應(yīng)內(nèi)存和硬盤的組合,而其中電腦PC的內(nèi)存對(duì)應(yīng)手機(jī)的運(yùn)存,而電腦PC的硬盤則是對(duì)應(yīng)手機(jī)的存儲(chǔ)內(nèi)存。

而目前主流電腦PC平臺(tái)所使用的內(nèi)存速度規(guī)格為DDR4,不過速度更快性能更強(qiáng)的下一代DDR5內(nèi)存的芯片已經(jīng)進(jìn)入到有不少存儲(chǔ)芯片廠商的產(chǎn)品路線圖上。最近國(guó)外媒體報(bào)道了SK Hynix士公布了最新的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品路線圖,并已確認(rèn)今年將開始批量生產(chǎn)下一代的DRAM芯片。而早在2018年11月,SK Hynix就宣布開發(fā)了業(yè)界首個(gè)根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建的1Ynm 16Gb DDR5 DRAM,下面就來大致了解一下DDR5內(nèi)存的一些特點(diǎn)吧。

據(jù)SK Hynix的資料呈現(xiàn),與DDR4內(nèi)存相比,DDR5內(nèi)存可以提供兩倍以上的帶寬。而追溯到2013年從DDR3到DDR4的時(shí)代,帶寬增加了33%。而在即將到來的DDR5時(shí)代,SK Hynix的目標(biāo)是使每個(gè)DIMM的帶寬增加50%以上。

SK Hynix的DDR5規(guī)格表中提到,DDR5的內(nèi)存速度范圍涵蓋了從3200MHz一直到8400 MHz區(qū)間。相比之下,按照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn),DDR4的速度范圍為1600至3200MHz,但是現(xiàn)在已經(jīng)能看到不少內(nèi)存制造商將DDR4內(nèi)存的頻率迭代推到5000MHz。以類似的方式,雖然我們可能不會(huì)一開始就看到8400MHz這么速度高的內(nèi)存產(chǎn)品,不過一旦內(nèi)存技術(shù)的成熟和穩(wěn)定,這一高頻設(shè)定的開發(fā)也自然而然的會(huì)被廠商們所啟動(dòng)。

就密度而言,DDR5最高可支持64 Gb的DRAM密度,在單個(gè)DIMM上最多可支持64 GB DDR5內(nèi)存。還計(jì)劃生產(chǎn)24 Gb和32 Gb DRAM,這將產(chǎn)生24GB或48GB的容量,具體取決于內(nèi)存供應(yīng)商是否要采用雙容量路線。當(dāng)前有多家內(nèi)存制造商提供雙容量DDR4內(nèi)存,而主板供應(yīng)商在各自的平臺(tái)上增加了對(duì)此類內(nèi)存的支持。這始于Intel Z390平臺(tái),此后也被推到某些X299主板上。

責(zé)任編輯:gt

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