日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SK海力士發(fā)布最新款SSD,首次應用128層4D TLC NAND

Carol Li ? 來源:電子發(fā)燒友整理 ? 作者:李彎彎 ? 2020-04-08 10:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

SK海力士今天正式發(fā)布了最新款的企業(yè)級SSDPE8000系列,包括PE8010、PE8030、PE8111三款型號,這也是其首款PCIe4.0SSD,無論存儲密度、容量還是性能都是世界一流的,甚至是超一流的。

PE8010、PE8030都配備了SK海力士自產(chǎn)的96層堆疊4DTLCNAND閃存顆粒,搭配自研主控,最大容量8TB,兼容U.2、U.3接口,其中PE8010面向讀取密集型應用,PE8030則為讀寫混合應用而優(yōu)化。

性能方面,持續(xù)讀寫速度最高均可達8.3GB/s、3.7GB/s,隨機讀寫速度最高則可達1100KIOPS、320KIOPS。相比于去年的上代產(chǎn)品,持續(xù)讀取性能提升103%,隨機寫入性能提升357%,另外最大功耗為17W。

PE8111則是針對讀取密集型負載的超大容量版本,應用了世界第一的128層堆疊4DTLCNAND閃存顆粒,單顆容量1Tb(128GB),相比于上一代的512Gb顆粒只需一半數(shù)量的閃存芯片就可以達成同等容量,同樣數(shù)量閃存芯片則容量輕松翻番。

PE8111現(xiàn)有最大容量為16TB,E1.L接口形態(tài),同時正在開發(fā)32TB版本。

它特別針對OCP(開放計算項目)存儲平臺而優(yōu)化,持續(xù)讀寫速度最高3.4GB/s、3.0GB/s,隨機讀寫速度最高700KIOPS、100KIOPS。

SK海力士表示,PE8010、PE8030SSD已經(jīng)向客戶出樣,PE8111下半年出樣。

資料圖:SK海力士的NAND、SSD

原廠128層3D NAND出貨節(jié)點:集中在2020年Q3季度

隨著3DNAND技術(shù)的快速發(fā)展,三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等均已研發(fā)出100層+3DNAND技術(shù)。

以下是各家原廠進展:

SK海力士最早在2019年6月公開發(fā)布128層4DTLCNAND,相較于96層的生產(chǎn)效率提高40%。之后不到半年的時間,SK海力士在2019年11月份向主要客戶交付基于128層1Tb4DNAND的工程樣品,包括1TBUFS3.1、2TB客戶端cSSD、16TB企業(yè)級eSSD,2020下半年都將大規(guī)模量產(chǎn)出貨。

三星也是在2019年6月就推出了第六代V-NAND(128層256Gb3DTLCNAND),8月份宣布基于該技術(shù)已批量生產(chǎn)250GBSATASSD,同年11月實現(xiàn)了第六代128層512GbTLC3DNAND的量產(chǎn)。三星新建的平澤工廠即將投產(chǎn),按照投產(chǎn)進度,將有望在2020下半年實現(xiàn)投產(chǎn),量產(chǎn)最先進的128層3DNAND。

鎧俠在2020年1月宣布和合作伙伴WesternDigital(西部數(shù)據(jù))攜手研發(fā)出3DBiCSFLASH第5代產(chǎn)品,采用112層3DNAND技術(shù),試產(chǎn)的是512Gb(64GB),采用TLC技術(shù),于2020年第一季出樣,還計劃推出112層1Tb(128GB)TLC以及1.33TbQLC產(chǎn)品,利用雙方共同營運的四日市工廠以及北上新建工廠進行生產(chǎn)。

美光于2019年10月初第一批第四代3DNAND芯片流片出樣,在美光2020財年Q2財報中進一步透露,已在第一季度開始批量生產(chǎn)第四代128層3DNAND,將在第三季度開始出貨,預計2021年3DNAND將全面進入100層+的時代。

電子發(fā)燒友綜合報道,參考自TechWeb、閃存市場,轉(zhuǎn)載請注明以上來源和出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • SSD
    SSD
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    3152

    瀏覽量

    122633
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    SK海力士榮獲2026年IEEE企業(yè)創(chuàng)新獎

    SK海力士(或‘公司’)26日宣布,公司于當?shù)貢r間24日在美國紐約舉行的“2026年IEEE*榮譽頒獎典禮”上,榮獲企業(yè)創(chuàng)新獎(Corporate Innovation Award)。
    的頭像 發(fā)表于 04-27 11:46 ?312次閱讀

    SK海力士發(fā)布2026財年第一季度財務報告

    SK海力士(簡稱‘公司’)今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財年第一季度財務報告。公司2026財年第一季度營業(yè)收入為52.5763萬億韓元,營業(yè)利潤為37.6103萬億韓元,凈利潤為40.3459萬億韓元。2026財年第
    的頭像 發(fā)表于 04-27 11:42 ?346次閱讀
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b><b class='flag-5'>發(fā)布</b>2026財年第一季度財務報告

    AI浪潮下的業(yè)績狂飆:SK海力士2026年一季度財報深度解析

    北京時間4月23日早間,全球存儲芯片巨頭SK海力士發(fā)布2026年第一季度財報,數(shù)據(jù)一經(jīng)披露便引發(fā)資本市場熱議。盡管營收52.6萬億韓元略低于市場預期的53.6萬億韓元,但凈利潤40.3
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:48 ?1356次閱讀

    SK海力士投資19萬億韓元在韓國建設(shè)先進封裝廠

    近日,SK海力士宣布投資19萬億韓元(約合128.5億美元)在韓國清州建設(shè)新一代先進封裝工廠,專注于高帶寬存儲器(HBM)芯片的制造。該工廠預計2027年底完工,采用2.5D/3D封裝
    的頭像 發(fā)表于 04-23 09:45 ?1438次閱讀

    KV緩存黑科技!SK海力士“H3存儲架構(gòu)”,HBM和HBF技術(shù)加持!

    據(jù)韓國經(jīng)濟日報報道,SK海力士近日在IEEE(電氣與電子工程師協(xié)會)全球半導體大會上發(fā)表論文,提出了一種全新的存儲架構(gòu)。據(jù)悉,該架構(gòu)名為“H3(hybrid semiconductor
    的頭像 發(fā)表于 02-12 17:01 ?7814次閱讀
    KV緩存黑科技!<b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>“H3存儲架構(gòu)”,HBM和HBF技術(shù)加持!

    SK海力士HBS存儲技術(shù),基于垂直導線扇出VFO封裝工藝

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,據(jù)韓媒報道,存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃,該技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 11-14 09:11 ?4268次閱讀
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>HBS存儲技術(shù),基于垂直導線扇出VFO封裝工藝

    SK海力士發(fā)布未來存儲路線圖

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,近日,韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上,SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全線AI存儲創(chuàng)造者”(Full
    的頭像 發(fā)表于 11-08 10:49 ?3933次閱讀

    SK海力士ZUFS 4.1閃存,手機端AI運行時間縮短47%!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士宣布,已正式向客戶供應其全球率先實現(xiàn)量產(chǎn)的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK海力士
    的頭像 發(fā)表于 09-19 09:00 ?4228次閱讀

    SK海力士宣布量產(chǎn)HBM4芯片,引領(lǐng)AI存儲新變革

    在人工智能(AI)技術(shù)迅猛發(fā)展的當下,數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進一步飛躍的關(guān)鍵因素。2025 年 9 月 12 日,韓國半導體巨頭 SK 海力士宣布,已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 09-16 17:31 ?2076次閱讀

    SK海力士3214D NAND的誕生

    SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以
    的頭像 發(fā)表于 07-10 11:37 ?1985次閱讀

    SK海力士在微細工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實力

    SK海力士的成功神話背后,離不開眾多核心技術(shù)的支撐,其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理,SK海力士憑借壓倒性的技術(shù)實力,引領(lǐng)著全球半導體
    的頭像 發(fā)表于 07-03 12:29 ?2094次閱讀

    SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史

    SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK
    的頭像 發(fā)表于 06-18 15:31 ?2329次閱讀

    SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章

    SK海力士宣布,5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀念儀式”上,來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:36 ?1304次閱讀

    SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領(lǐng)跑者

    近年來,SK海力士屢獲創(chuàng)新成果,這些成就皆得益于“一個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品,還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應商,這些
    的頭像 發(fā)表于 05-23 13:54 ?1969次閱讀

    SK海力士UFS 4.1來了,基于3211Tb TLC 4D NAND閃存

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高3211Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4
    的頭像 發(fā)表于 05-23 01:04 ?9106次閱讀
    甘肃省| 手机| 绥中县| 临高县| 通州市| 屯留县| 沧源| 常州市| 灵宝市| 临潭县| 溧阳市| 澜沧| 安阳市| 苍山县| 钟祥市| 临城县| 江津市| 太白县| 黄山市| 湟中县| 迁西县| 辽阳市| 大港区| 都昌县| 鱼台县| 吉木乃县| 辽宁省| 电白县| 陆川县| 潞西市| 太原市| 平原县| 色达县| 多伦县| 海伦市| 昌江| 沭阳县| 建水县| 滦平县| 连云港市| 蒙山县|