電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1。該產(chǎn)品具備全球領(lǐng)先的順序讀取性能與低功耗特性，專為端側(cè)AI進(jìn)行優(yōu)化；產(chǎn)品厚度減薄15%，適用于超薄旗艦智能手機(jī)。

SK海力士表示：“為了在移動(dòng)設(shè)備上實(shí)現(xiàn)端側(cè)（On-device）AI的穩(wěn)定運(yùn)行，所搭載的NAND閃存解決方案產(chǎn)品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對(duì)AI工作負(fù)載優(yōu)化的UFS 4.1產(chǎn)品，公司將進(jìn)一步鞏固其在旗艦智能手機(jī)市場(chǎng)中的存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。”

隨著端側(cè)AI的需求持續(xù)增長(zhǎng)，終端設(shè)備的計(jì)算性能與電池效率之間的平衡日趨關(guān)鍵，超薄設(shè)計(jì)和低功耗特性已成為移動(dòng)設(shè)備的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

順應(yīng)這一趨勢(shì)，公司此次開發(fā)的新品較上一代基于238層NAND閃存的產(chǎn)品能效提升了7%。同時(shí)，成功產(chǎn)品厚度從1mm減薄至0.85mm，使其能夠適配超薄智能手機(jī)。

此外，該產(chǎn)品支持第四代UFS產(chǎn)品的順序讀取峰值，數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)4300MB/s。決定移動(dòng)設(shè)備多任務(wù)處理能力的隨機(jī)讀取和寫入速度，相較上一代產(chǎn)品分別提升了15%與40%，達(dá)到現(xiàn)存UFS 4.1產(chǎn)品中全球領(lǐng)先水平。

通過(guò)該方式，能夠?qū)崟r(shí)提供對(duì)端側(cè)AI所需的數(shù)據(jù)，顯著提升應(yīng)用程序的運(yùn)行效率與響應(yīng)速度，從而有效增強(qiáng)用戶的實(shí)際性能體驗(yàn)。

該產(chǎn)品提供512GB（千兆字節(jié)）和1TB（太字節(jié)）兩種容量規(guī)格。公司計(jì)劃于今年內(nèi)向客戶交付樣品以進(jìn)行驗(yàn)證流程，并將于明年第一季度正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

在新產(chǎn)品方面，近日SK海力士成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗(yàn)證，是基于CXL12.0標(biāo)準(zhǔn)的DRAM解決方案產(chǎn)品。

SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長(zhǎng)了50%，寬帶擴(kuò)展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶在構(gòu)建并運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)中心時(shí)所需的總體擁有成本?！?br />
繼96GB產(chǎn)品驗(yàn)證，公司正在與其他客戶開展128GB產(chǎn)品的驗(yàn)證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級(jí)（1b）32Gb（千兆位）DDR5 DRAM，具備優(yōu)越的性能功耗比。公司計(jì)劃盡早完成這一驗(yàn)證，以完善CXL產(chǎn)品組合，從而在客戶需要時(shí)能夠及時(shí)供貨。

SK海力士截至2025年3月31日的2025財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告顯示，公司2025財(cái)年第一季度結(jié)合并收入為17.6391萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為7.4405萬(wàn)億韓元，凈利潤(rùn)為8.1082萬(wàn)億韓元。2025財(cái)年第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為42%，凈利潤(rùn)率為46%。

公司本季度的收入和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)是在繼前一季度創(chuàng)下歷史最高業(yè)績(jī)后，達(dá)到了第二高的業(yè)績(jī)水平。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率環(huán)比改善了1個(gè)百分點(diǎn)，增至42%，并以連續(xù)八個(gè)季度呈現(xiàn)出穩(wěn)健上升趨勢(shì)。
SK海力士表示：“第一季度，受人工智能開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)加劇和庫(kù)存補(bǔ)充需求等影響，存儲(chǔ)器市場(chǎng)情況改善速度顯著快于預(yù)期。順應(yīng)這一趨勢(shì)，公司擴(kuò)大了12層HBM3E、DDR5等高附加值產(chǎn)品的銷售。”