集微網(wǎng)消息 華為對技術的追求真是無止境。

近日，據(jù)知情人士透露，華為有意在憶阻器芯片領域進行布局。華為分別于2019年3月（2015年6月申請）、2020年1月（2018年6月申請）在中國知網(wǎng)公開了兩份相關專利信息。

憶阻器（Memristor）的概念由華裔的科學家蔡少棠在1971年提出，得名于其電阻對所通過電量的依賴性，被認為是電阻、電容和電感之外的第四種基本電路元件。

對電阻的時間記憶特性使其在模型分析、基礎電路設計、電路器件設計和對生物記憶行為的仿真等眾多領域具有廣闊的應用前景。由于缺乏實驗的支撐，在被提出后的二十幾年間，相關理論雖有發(fā)展卻并沒有引起足夠的關注，直到2008年惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。

2013年，比勒菲爾德大學物理學系的高級講師安迪·托馬斯博士研制的憶阻器被內置于比人頭發(fā)薄600倍的芯片中，利用這種憶阻器作為人工大腦的關鍵部件，他的研究結果將發(fā)表在《物理學學報D輯：應用物理學》雜志上。憶阻器尺寸小、能耗低，所以能很好地儲存和處理信息，一個憶阻器的工作量，相當于一枚CPU芯片中十幾個晶體管共同產生的效用。

利用憶阻器的特性來打造存儲器，即使關閉電源也能保存資料的內容，而且能以更小的空間儲存資料，足以取代現(xiàn)有的快閃存儲器。此外，憶阻器與人腦神經突觸的屬性類似，可能可以幫助模擬人腦的特征，加速人工智能的進展。