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派瑞半導體擬在深交所創(chuàng)業(yè)板上市 首次公開發(fā)行不超過8000萬股

半導體動態(tài) ? 來源:全球半導體觀察 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2020-04-14 15:13 ? 次閱讀
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4月14日,西安派瑞功率半導體變流技術股份有限公司(以下簡稱“派瑞半導體”)發(fā)布首次公開發(fā)行A股并在創(chuàng)業(yè)板上市初步詢價及推介公告顯示,派瑞半導體擬在深交所創(chuàng)業(yè)板上市,

據(jù)披露,派瑞半導體首次公開發(fā)行不超過8,000萬股人民幣普通股(A股)的申請已獲中國證監(jiān)會證監(jiān)許可[2020]146號文核準。本次發(fā)行的保薦人(主承銷商)為中金公司。發(fā)行人的股票簡稱為“派瑞股份”,股票代碼為“300831”。本次擬公開發(fā)行股票不超過8,000萬股,發(fā)行股數(shù)占公司本次發(fā)行后總股本的比例為25.00%,全部為公開發(fā)行新股,不設老股轉讓。

資料顯示,派瑞半導體的主營業(yè)務為電力半導體器件和裝置的研發(fā)、生產、實驗調試和銷售服務。電力半導體器件也可稱為電力電子器件或功率半導體器件,是發(fā)電、輸配電、電能變換、儲能等裝備的核心變流器件,用于電能分配、轉換和控制。2017年-2019年,公司實現(xiàn)凈利潤分別為6029.97萬元、5779.1萬元和 6241.35萬元。

派瑞半導體表示,本次擬運用本次公開發(fā)行股票募集資金投資建設大功率電力半導體器件及新型功率器件產業(yè)化項目,對8英寸功率器件、IGCT及SiC等新型半導體器件進行研發(fā)投入。

該公司指出,通過研發(fā)生產8英寸晶閘管和大功率IGCT,將自身已有的雙極型器件研發(fā)生產能力推向新的高度,使之持續(xù)保持該類高端產品的領先優(yōu)勢;通過建立第三代器件研發(fā)中心研發(fā)SiC器件,以期在第三代功率器件的技術和產品化方面獲得突破。發(fā)行人募投項目的實施,不僅是其提升自身綜合競爭力的需要,也是中國功率半導體行業(yè)打破國際封鎖、形成高端產品核心競爭力的需要,對于國內半導體行業(yè)的發(fā)展也將形成良好的示范效應。
責任編輯:wv

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