隨時(shí)產(chǎn)品智能化和便捷程度要求越來越高，對(duì)所有電子元器件的體積也就要求越來越小，當(dāng)產(chǎn)品變小后，產(chǎn)品本身的指標(biāo)也會(huì)跟著發(fā)生變化，對(duì)于石英晶振來說，體積變小，某些關(guān)鍵參數(shù)也會(huì)發(fā)生趨勢(shì)性變化，變化隨之也會(huì)帶來使用上的問題，某些變化可以通過設(shè)備的升級(jí)得以改善甚至變得更好，比如常溫頻差，采用最先進(jìn)的自動(dòng)化生產(chǎn)線，就會(huì)比老舊的設(shè)備合格率更好，頻率一致更棒。但是也有些參數(shù)，比如由于體積變小，要用制造小尺寸的壓控晶體振蕩器，基本上就不能實(shí)現(xiàn)，因?yàn)榫冃×耍w的頻率牽引度就變小了，調(diào)頻范圍就達(dá)不到設(shè)計(jì)要求，產(chǎn)品就不實(shí)用；還有就是某些指標(biāo)因體積變小了，其值發(fā)生了變化，對(duì)晶振的使用就提出了不一樣的要求，該電路在大尺寸的晶振時(shí)可以使用，改換為小尺寸晶振，晶振卻不工作了，比如晶振的等效阻抗R，相同頻點(diǎn)的晶體，晶體尺寸越小，電阻值就越大，所以就對(duì)電路的使用提出了新的要求。下面我們來重點(diǎn)分析當(dāng)晶振阻抗增大后都可以采取何種措施。

如將晶體單元的諧振狀態(tài)置換成電氣電路，可以得到如圖所示的晶體振蕩單元的等效電路，R值相當(dāng)于等效電路中的R1，通常將晶體振蕩單元小型化時(shí)，R值會(huì)變大，這時(shí)，晶體振蕩單元的CI值對(duì)振蕩電路的影響及對(duì)策如下文所述：

當(dāng)R值較大時(shí)起振或停止電壓會(huì)變高，會(huì)出現(xiàn)即使增加電壓也難以起振，電壓稍下降振蕩就會(huì)變得不穩(wěn)定或者停止振蕩的現(xiàn)象。而且R值是晶體振蕩單元單體中的諧振頻率的等效阻抗，對(duì)振蕩的不穩(wěn)定或不振蕩產(chǎn)生影響的、決定振蕩裕度的重要參數(shù)之一。

解決辦法 ：

首先，需要確保衡量振蕩電路能否穩(wěn)定振蕩的尺度（振蕩裕度）在5倍以上。這項(xiàng)振蕩裕度可用上圖的振蕩電路的負(fù)阻抗除以晶體振蕩單元的等效串聯(lián)阻抗（R）的最大值來表示。

當(dāng)振蕩裕度不足時(shí)，將出現(xiàn)如上所述的延遲起振時(shí)間或起振電壓變高的故障。而且，當(dāng)振蕩裕度明顯不足時(shí)，振蕩將陷入不穩(wěn)定或不起振的狀態(tài)。

為了提高振蕩裕度，以下幾種方法較為有效：

1. 增加振蕩電路電流。此方法改善負(fù)阻抗的方法較為有效，根據(jù)下圖所示的振蕩電路部分功耗與負(fù)阻抗之間的關(guān)系，可使用增加振蕩部電流的方法來解決，但這種方法存在增加耗電量的缺點(diǎn)。

2. 使用CI值較小的石英晶體也可以改善振蕩裕度，但如上所述，通常晶體振蕩單元的小型化將使R值變大，如果挑選使用，勢(shì)必會(huì)增加使用成本。

3. 通常負(fù)阻抗還跟振蕩電路的匹配電容相關(guān)，匹配電容越大，電路負(fù)阻抗越小，所以如果能減小匹配電容的可以改善問題的話，首先是降低外圍電路的匹配電容，否則就只能采用前面兩種方法。

綜上所述，石英晶體的小型化，推動(dòng)了智能穿戴等便捷式產(chǎn)品的發(fā)展，同時(shí)也對(duì)晶振本身和產(chǎn)品的使用提出了更高的要求。深圳晶科鑫實(shí)業(yè)有限公司，致力于研發(fā)和推出更小尺寸的晶振，同時(shí)也能為小尺寸的晶振所帶來的問題給出更多的解決方案。