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Transphorm的GaN技術(shù)擁有逾50億小時(shí)的實(shí)際使用時(shí)間

加賀富儀艾電子 ? 來源:富士通電子 ? 2020-04-27 16:33 ? 次閱讀
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首家獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證、具有最高可靠性的650 V氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm Inc.透露,該公司已交付了逾50萬高壓GaN FET(場效應(yīng)晶體管)。這一里程碑的實(shí)現(xiàn)歸因于客戶對其高質(zhì)量、高可靠性GaN平臺的不斷采用。

一年前,Transphorm發(fā)布了第一套完整的高壓GaN功率半導(dǎo)體驗(yàn)證數(shù)據(jù)。不久前,該公司正式發(fā)布了其最新的實(shí)地可靠性數(shù)據(jù)。Transphorm的GaN技術(shù)擁有逾50億小時(shí)的實(shí)際使用時(shí)間,目前其FIT率(故障率)小于2.0,PPM(不良率)每年低于19.8。

許多工業(yè)、基礎(chǔ)設(shè)施、IT和PC游戲市場的客戶已經(jīng)公開宣布了使用Transphorm的GaN技術(shù)制造的在產(chǎn)設(shè)備。這說明了人們對于GaN解決方案的信心日益增強(qiáng),預(yù)計(jì)它將成為一個(gè)有吸引力的市場。

事實(shí)上,現(xiàn)已屬于Informa Tech旗下的行業(yè)分析公司IHS Markit Technology預(yù)測,GaN電源分立器件、模塊和系統(tǒng)IC的總收入到2028年將達(dá)到12億美元,其中約7.5億美元(占整個(gè)市場的近三分之二))來自于高壓GaN解決方案。

Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席運(yùn)營官Primit Parikh表示:“在業(yè)界普遍使用單芯片常關(guān)硅MOSFET的時(shí)候,我們就推出了最強(qiáng)大的兩芯片常關(guān)器件。正如我們眾所周知的發(fā)展勢頭以及消費(fèi)類適配器領(lǐng)域中其他知名制造商(如Power Integrations)所證明的那樣,兩芯片常關(guān)GaN解決方案是當(dāng)今最實(shí)用的高壓GaN FET設(shè)計(jì)。事實(shí)上,正是這種設(shè)計(jì)才使Transphorm的GaN實(shí)現(xiàn)了高性能和高可靠性,獲得了迄今為止超過50億小時(shí)(<2 FIT)的現(xiàn)場可靠性數(shù)據(jù)?!?/p>

Transphorm產(chǎn)品的成功很大程度上還是歸因于其產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性(Q+R)。這種Q+R以該公司強(qiáng)大的常關(guān)型GaN平臺、對外延工藝的強(qiáng)大控制以及制造能力為后盾——可以很好地滿足從消費(fèi)型適配器到汽車等各種跨行業(yè)市場的數(shù)量和質(zhì)量要求。這些因素的綜合使該公司能夠生產(chǎn)具備空前可靠性、可設(shè)計(jì)性、可驅(qū)動性和可再現(xiàn)性的GaN FET。

Transphorm全球技術(shù)營銷兼北美銷售副總裁Philip Zuk表示:“在GaN的目標(biāo)核心高功率市場中取得成功之后,我們還正與快速增長的半導(dǎo)體落后市場(如消費(fèi)類適配器和機(jī)頂盒)的客戶合作,因?yàn)榈侥壳盀橹?,我們已?jīng)交付的大多數(shù)產(chǎn)品都針對的是更高功率的應(yīng)用。超過50萬的650V FET相當(dāng)于400多萬低功率(低于100瓦)FET,這證明了我們的批量生產(chǎn)能力。”

關(guān)于Transphorm

富士通電子旗下代理品牌 Transphorm,是一家設(shè)計(jì)、生產(chǎn)氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器和模塊的企業(yè)。 2007年成立,Transphorm以美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校的教授和研究人員為主體,致力于設(shè)計(jì)、生產(chǎn)GaN(氮化鎵)功率轉(zhuǎn)換器和模塊,已獲得了包括谷歌、富士通、凱鵬華盈、考菲爾德及拜爾斯、索羅斯基金管理公司、量子戰(zhàn)略合作伙伴在內(nèi)的眾多投資機(jī)構(gòu)的青睞。 2013年,Transphorm推出了當(dāng)時(shí)業(yè)內(nèi)唯一經(jīng)過JEDEC認(rèn)證的GaN器件,建立了業(yè)界第一個(gè)也是唯一通過JEDEC認(rèn)證的600V GaN產(chǎn)品線。 2014年2月,Transphorm與富士通半導(dǎo)體的功率器件業(yè)務(wù)部進(jìn)行了業(yè)務(wù)合并,Transphorm負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、富士通半導(dǎo)體負(fù)責(zé)制造并代理銷售。 2015年,Transphorm和安森美建立合作關(guān)系,共同推出基于GAN的電源方案。公司創(chuàng)立十多年來,Transphorm一直專注于將高壓GaN FET推向市場。致力于為電力電子市場(數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、PV轉(zhuǎn)換器、感應(yīng)/伺服電機(jī)、工業(yè)及汽車等商業(yè)供電市場)設(shè)計(jì)、制造和銷售GaN產(chǎn)品。 2017年3月,又推出了市場上僅有的一款經(jīng)過AEC-Q101認(rèn)證的650V車用GaN器件。

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原文標(biāo)題:GaN的可靠性有多高?Transphorm用50億小時(shí)告訴你答案

文章出處:【微信號:Fujitsu_Semi,微信公眾號:加賀富儀艾電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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