2020年5月27日，華潤(rùn)微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)微”）代工事業(yè)群旗下的無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）與成都銳成芯微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“成都銳成芯微”）宣布，雙方聯(lián)合推出高可靠性eFlash解決方案， 該方案基于華潤(rùn)上華0.153μm 5V EN CMOS工藝，并具有獨(dú)特的成本優(yōu)勢(shì)。

華潤(rùn)微0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺(tái)由上一代明星工藝平臺(tái)（0.18μm EN CMOS工藝平臺(tái)）優(yōu)化而來。優(yōu)化后的工藝成本大大縮減，在未增加光刻層次的情況下，將N/P MOS溝道尺寸進(jìn)一步縮小。該工藝平臺(tái)器件種類多樣，適用于MCU、LED顯示屏、音頻功放、DC-DC等多種應(yīng)用場(chǎng)景。

成都銳成芯微的LogicFlash? IP具有顯著的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，成本優(yōu)、性能高、可靠性高，并兼容標(biāo)準(zhǔn)CMOS 平臺(tái)?；谌A潤(rùn)上華0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺(tái)，成都銳成芯微能同時(shí)提供高可靠性和高密度兩個(gè)版本的LogicFlash? IP，高密度版本擦寫次數(shù)可達(dá)10K，高可靠性版本擦寫次數(shù)可達(dá)50K；兩款I(lǐng)P讀取速度可達(dá)25MHz，寫入速度可達(dá)20μS/byte（超快的寫入速度可滿足終端客戶各種應(yīng)用場(chǎng)景下對(duì)高速讀寫的需求，并有效降低客戶測(cè)試成本）；兩款I(lǐng)P可在150℃ 結(jié)溫下工作，滿足125℃ 結(jié)溫下10年的數(shù)據(jù)保持能力的要求，同時(shí)滿足消費(fèi)類和工業(yè)類產(chǎn)品需求。

基于華潤(rùn)微0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺(tái)，成都銳成芯微已完成高密度版本Logic Flash? IP的功能、性能和1000小時(shí)可靠性測(cè)試，以及高可靠性版本LogicFlash? IP的功能測(cè)試。目前，兩個(gè)版本的IP均有客戶使用并成功導(dǎo)入量產(chǎn)，客戶反饋該技術(shù)方案相比其他解決方案具有高性價(jià)比、高靈活性等特點(diǎn)。

華潤(rùn)上華設(shè)計(jì)服務(wù)工程中心總監(jiān)王浩表示：“0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺(tái)是公司近些年重點(diǎn)打造的基礎(chǔ)工藝平臺(tái)，其關(guān)鍵工藝參數(shù)（On-BV、ESD、Rdson）在業(yè)界處于領(lǐng)先地位。公司具備極具市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的數(shù)字單元庫(kù)（縮小到60%）和SRAM（縮小到58%）。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研，公司發(fā)現(xiàn)其核心客戶應(yīng)用領(lǐng)域從功能單一的ASIC芯片向智能化可編程化的MCU類芯片發(fā)展，eNVM是MCU類芯片不可或缺的核心IP。此次與成都銳成芯微的合作，補(bǔ)齊了公司0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺(tái)缺少核心eNVM IP的短板，為客戶提供了更高價(jià)值的服務(wù)，能夠幫助客戶提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力?！?/p>

成都銳成芯微首席執(zhí)行官向建軍表示：“銳成芯微一直致力于eNVM IP的開發(fā)，通過不斷加大研發(fā)投入，優(yōu)化設(shè)計(jì)，確保在保持高性能的條件下，不斷提升成本競(jìng)爭(zhēng)力，滿足客戶對(duì)于eNVM IP的多樣性需求。此次和華潤(rùn)上華在0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺(tái)的合作，也是為了更好地滿足市場(chǎng)需求，為全球客戶提供極具成本優(yōu)勢(shì)的高性能eNVM 技術(shù)。”