三款集成PowiGaN技術(shù)的新器件
InnoSwitch3-MX隔離式開關(guān)電源IC產(chǎn)品系列擴大陣容，再添三款集成PowiGaN技術(shù)的新器件。作為采用InnoMux控制器IC的芯片組一部分，新的開關(guān)電源IC現(xiàn)可支持電視機、顯示器和采用LED顯示屏的家電等應用，可提供高達75 W的連續(xù)輸出功率，并且無需散熱片。
InnoMux芯片組可輸出恒流LED驅(qū)動和恒壓電子系統(tǒng)功率， 去除了常見的DC-DC變換器，并將元件數(shù)量減少50％以上。
該芯片組采用獨特的單級功率架構(gòu)，可降低損耗并將整體效率提高到91％。這使制造商可以在歐盟能效標識方案中獲得更高的評分。由于具有750 V的擊穿電壓，新款開關(guān)電源IC還非?？煽磕陀茫軌虮ＷC電源在市電電壓不穩(wěn)的地區(qū)使用時耐受輸入浪涌和電壓驟升的沖擊。
深入了解InnoSwitch3-MX和InnoMux芯片組
下載數(shù)據(jù)手冊
訪問PowiGaN技術(shù)頁面
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
開關(guān)電源
+關(guān)注
關(guān)注
6573文章
8914瀏覽量
499448 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
2387瀏覽量
84686
原文標題：基于PowiGaN的InnoSwitch3-MX IC 可為高達75 W的顯示器電源帶來91%的高效率
文章出處：【微信號：Power_Integrations，微信公眾號：PI電源芯片】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
長電科技成功完成晶圓級射頻集成無源器件工藝驗證
上構(gòu)建三維集成無源器件的可制造性與性能優(yōu)勢，為5G及面向6G的更寬帶寬射頻前端與系統(tǒng)級封裝優(yōu)化提供了新的工程化路徑。
系統(tǒng)集成高頻溫濕度傳感器（10款）技術(shù)參數(shù)與應用對比
系統(tǒng)集成常用溫濕度傳感器/變送器技術(shù)特性與集成應用分析 摘要：針對工業(yè)自動化、智慧建筑、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的系統(tǒng)集成需求，本文對10款主流溫濕度傳
PI 1250V/1700V GaN HEMT助力英偉達800VDC架構(gòu)
Power Integrations公司的PowiGaN技術(shù)實現(xiàn)了1250V和1700V GaN開關(guān)器件，使設計人員能夠構(gòu)建高密度、高效率的電源。
DRV8316：三相集成FET電機驅(qū)動器的技術(shù)剖析與應用指南
DRV8316：三相集成FET電機驅(qū)動器的技術(shù)剖析與應用指南 在電機驅(qū)動領(lǐng)域，一款性能卓越的驅(qū)動器能顯著提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。TI的DRV8316
Power Integrations高壓PowiGaN技術(shù)助力新興800VDC數(shù)據(jù)中心總線架構(gòu)發(fā)展
Power Integrations正利用其高壓PowiGaN技術(shù)，助力新興800VDC數(shù)據(jù)中心總線架構(gòu)的發(fā)展。作為已實現(xiàn)量產(chǎn)1250V和1700V高壓GaN開關(guān)的重點供應商，PI正與NVIDIA合作，加速推動向800VDC供電和兆瓦級機架的轉(zhuǎn)型。
先進拓撲與SiC碳化硅集成在三相混合逆變器中的應用：技術(shù)分析與器件級評估
傾佳電子先進拓撲與SiC碳化硅集成在三相混合逆變器中的應用：技術(shù)分析與器件級評估 深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者： 傾佳電子成立于20
淺談三維集成封裝技術(shù)的演進
在半導體封裝領(lǐng)域，堆疊技術(shù)作為推動高集成度與小型化的核心趨勢，正通過垂直堆疊芯片或封裝實現(xiàn)更緊湊的封裝尺寸及優(yōu)化的電氣性能——其驅(qū)動力不僅源于信號傳輸與功率分布路徑的縮短，更體現(xiàn)在對系統(tǒng)級封裝（SiP）與三維
PI技術(shù)白皮書 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應用
白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢，展示了其經(jīng)過實際應用驗證的可靠性以及滿足800VDC架構(gòu)的功率密度和效率要求(>98
Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)
，2025年10月13日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發(fā)布一份新的技術(shù)白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵
?LMX2582高性能寬帶RF合成器（集成VCO）技術(shù)文檔總結(jié)
LMX25 82 器件是一款低噪聲、寬帶 RF PLL，集成了 VCO，支持 20 MHz 至 5.5 GHz 的頻率范圍。該器件支持小數(shù) N 和整數(shù) N 模式，并具有 32 位小數(shù)分
詳解WLCSP三維集成技術(shù)
。然而，當系統(tǒng)級集成需求把 3D 封裝/3D IC 技術(shù)推向 WLCSP 時，傳統(tǒng)方案——引線鍵合堆疊、PoP、TSV 硅通孔——因工藝窗口、CTE 失配及成本敏感性而顯著受限。
詳解電力電子器件的芯片封裝技術(shù)
電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換與功率控制的核心載體，正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導體器件的迭代升級，功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的
基于TSV的三維集成電路制造技術(shù)
三維集成電路工藝技術(shù)因特征尺寸縮小與系統(tǒng)復雜度提升而發(fā)展，其核心目標在于通過垂直堆疊芯片突破二維物理極限，同時滿足高密度、高性能、高可靠性及低成本的綜合需求。
電子元器件檢測技術(shù)
電子元器件檢測的重要性電子元器件作為現(xiàn)代電子裝備的核心組成部分，其可靠性和性能直接決定了整個電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性和功能表現(xiàn)。隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電子元器件的種類日益豐富，包括
揚杰科技出席2025功率半導體器件與集成電路會議
此前，5月22日至24日，“2025功率半導體器件與集成電路會議”在南京熹禾涵田酒店順利召開。揚杰科技受邀參加，董事長梁勤女士親自參加會議，功率器件事業(yè)部副總經(jīng)理施俊先生作為技術(shù)領(lǐng)隊全
評論