什么是RAM?

RAM(Random Access Memory)中文是隨機存取存儲器。為什么要強調(diào)隨機存儲呢？因為在此之前，大部分的存儲器都是順序存儲（Direct-Access)，比較常見的如硬盤，光碟，老式的磁帶，磁鼓存儲器等等。隨機存取存儲器的特點是其訪問數(shù)據(jù)的時間與數(shù)據(jù)存放在存儲器中的物理位置無關(guān)。

RAM的另一個特點是易失性（Volatile),雖然業(yè)界也有非易失(non-volatile）的RAM，例如，利用電池來維持RAM中的數(shù)據(jù)等方法。

RAM主要的兩種類別是SRAM（Static RAM）和DRAM（Dynamic RAM）。

SRAM和DRAM的區(qū)別

SRAM的S是Static的縮寫，全稱是靜態(tài)隨機存取存儲器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫，全稱是動態(tài)隨機存取存儲器。這兩者有什么區(qū)別呢？首先我們看看SRAM的結(jié)構(gòu)，你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的，比較出名的是6場效應(yīng)管組成一個存儲bit單元的結(jié)構(gòu)：

工作原理相對比較簡單，我們先看寫0和寫1操作。

寫0操作

寫0的時候，首先將BL輸入0電平，（～BL）輸入1電平。

然后，相應(yīng)的Word Line（WL）選通，則M5和M6將會被打開。

0電平輸入到M1和M2的G極控制端

1電平輸入到M3和M4的G極控制端

因為M2是P型管，高電平截止，低電平導(dǎo)通。而M1則相反，高電平導(dǎo)通，低電平截止。

所以在0電平的作用下，M1將截止，M2將打開。（～Q)點將會穩(wěn)定在高電平。

同樣，M3和M4的控制端將會輸入高電平，因NP管不同，M3將會導(dǎo)通，而M4將會截止。Q點將會穩(wěn)定在低電平0。

最后，關(guān)閉M5和M6，內(nèi)部M1,M2,M3和M4處在穩(wěn)定狀態(tài)，一個bit為0的數(shù)據(jù)就被鎖存住了。

此時，在外部VDD不斷電的情況下，這個內(nèi)容將會一直保持。

下面通過動畫來觀察一下寫0的過程。

寫1操作

這里不再重復(fù)，大家可以自己推演一下過程。這里仍然提供寫1過程動畫。

讀操作

讀操作相對比較簡單，只需要預(yù)充BL和（~BL）到某一高電平，然后打開M5和M6，再通過差分放大器就能夠讀出其中鎖存的內(nèi)容。

DRAM（Dynamic RAM）是指動態(tài)隨機存取存儲器。與SRAM最大的不同是，DRAM需要通過刷新操作來保持其存儲的內(nèi)容。讓我們先來看看其一個bit存儲單元（Cell）的結(jié)構(gòu)：

其核心部件是4號位的電容C，這個電容大小在pF級別，用來存儲0和1的內(nèi)容。由于電容會慢慢放電，其保存的內(nèi)容將會隨時間推移而慢慢消失。為了保證其內(nèi)容的完整性，我們需要把里面的內(nèi)容定期讀出來再填寫回去。這個操作稱為刷新操作（Refresh）。

其寫操作相對簡單：（我們以寫1為例）

當(dāng)需要寫1的時候，先將BL（Bit Line）輸入高電平1，然后選中對應(yīng)的Word Line（同一時間將只有一根WL被選中）,打開相應(yīng)的MOS管，如圖中所示3號位。此時，外部驅(qū)動能力很強，通過一定的時間，4號位的電容將會被充滿。此時，關(guān)閉3號位的MOS管。內(nèi)容1將在一定時間內(nèi)被保存在4號位的電容中。寫0的操作與之相反，不同的是將4號位電容中的電荷通過Bit Line放光。然后關(guān)閉3號位的MOS管，鎖存相應(yīng)數(shù)據(jù)。

而讀操作相對來說，較為復(fù)雜。我們可以觀察到4號位電容非常小，只有pF級別，而Bit Line往往都很長，上面掛了非常多個存儲單元（cell），我們可以通過5號位的電容來表示。所以當(dāng)我們直接把3號位的MOS管打開，Bit Line上將基本看不到什么變化。

于是有人提出是否能夠采用放大器來放大4號位電容的效果。結(jié)構(gòu)圖如下圖所示：

我們可以定Vref為1/2的VDD電壓，在讀取電容里數(shù)據(jù)之前，我們先將所有Bit Line預(yù)充1/2 VDD的電壓。然后，打開Word Line讓選中的電容連接到Bit Line上面，如果原本的內(nèi)容是1，則Bit line的總電壓將會小幅攀升。否則，則會小幅下降。再通過差分放大器，將結(jié)果放大從而實現(xiàn)讀操作。

這套方案是可以工作的，但Bit Line的數(shù)量不能太大。否則會導(dǎo)致距離Vref供電處較遠(yuǎn)的放大器Vref的值偏低，而導(dǎo)致差分放大器工作異常。同時，對于所謂的1/2 VDD預(yù)充，也存在不準(zhǔn)的情況。

為了解決這個問題，有人提出，不如將原來的一根Bit Line設(shè)計成一對Bit Line，當(dāng)其中一根Bit Line上的Cell被選中時，另一根Bit Line將不會有Cell被選中。從而沒有Cell被選中的Bit Line可以充當(dāng)放大器的Vref輸入，其長度，負(fù)載以及寄生參數(shù)將會和另一根Bit Line十分一致，這樣一來，放大器的工作就更加穩(wěn)定了。結(jié)構(gòu)圖如下所示：

當(dāng)讀操作之前，我們先將1/2 VDD電壓同時注入到BL和（~BL）上，這個動作被稱為（pre-charge預(yù)充電）然后其中一根作為參考，來觀察另一根Bit Line在某個Cell導(dǎo)通后的變化。

最后，我們總結(jié)一下區(qū)別：

SRAM成本比較高（6個場效應(yīng)管組成一個存儲單元）

DRAM成本較低（1個場效應(yīng)管加一個電容）

SRAM存取速度比較快

DRAM存取速度較慢（電容充放電時間）

SRAM一般用在高速緩存中

DRAM一般用在內(nèi)存條里