2020年8月19日，三安光電公告三安光電股份有限公司全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司擬以現(xiàn)金38,150.00萬元收購福建省安芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）（持股比例為99.50%）和泉州安瑞科技有限公司（持股比例為0.50%）合計(jì)持有的福建北電新材料科技有限公司100%股權(quán)。

公司于2020年8月18日召開第十屆董事會(huì)第三次會(huì)議，審議通過《關(guān)于全資子公司購買資產(chǎn)暨關(guān)聯(lián)交易》的議案，同意公司全資子公司湖南三安以現(xiàn)金38,150.00萬元收購安芯基金和安瑞科技合計(jì)持有的北電新材100%股權(quán)。

湖南三安分別與安芯基金、安瑞科技簽署了《股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議》。公司2020年1-7月與北電新材發(fā)生交易金額7,931,977.13元,過去12個(gè)月與北電新材發(fā)生的交易金額為11,177,523.08元。

北電新材最近一年又一期的主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)如下：

（單位：萬元人民幣）

亞化咨詢資料顯示，北電新材于2019年擬投資約5.8億元在福建安溪縣湖頭鎮(zhèn)橫山村建設(shè)碳化硅襯底生產(chǎn)項(xiàng)目，租賃了福建晶安光電有限公司已建的應(yīng)用廠房作為生產(chǎn)經(jīng)營場所。項(xiàng)目主要從事碳化硅襯底的生產(chǎn)，項(xiàng)目規(guī)劃年產(chǎn)能3.6萬片（折合6英寸）

項(xiàng)目規(guī)劃的產(chǎn)品方案

2020年7月20日，長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長沙高新區(qū)舉行。根據(jù)公告顯示，項(xiàng)目投資總額160億元，投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，在甲方園區(qū)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SiC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

2020年7月20日，長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長沙高新區(qū)舉行。項(xiàng)目預(yù)計(jì)于2020年完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。

碳化硅襯底主要可有導(dǎo)電型及半絕緣型兩種。其中，在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進(jìn)一步制成碳化硅功率器件，應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層可以制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進(jìn)一步制成微波射頻器件，應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域。

來源：天科合達(dá)招股說明書

與半導(dǎo)體硅片發(fā)展情況類似，碳化硅襯底也在不斷向更大尺寸發(fā)展。隨著全球6英寸碳化硅襯底生產(chǎn)技術(shù)的成熟完善、產(chǎn)品質(zhì)量與穩(wěn)定性的逐步提高，預(yù)計(jì)未來下游外延及器件廠商對(duì)于碳化硅襯底的需求將逐漸從以往的4英寸產(chǎn)品為主過渡到6英寸產(chǎn)品為主。在8英寸碳化硅襯底尚未實(shí)現(xiàn)成熟商業(yè)化的前提下，預(yù)計(jì)未來幾年內(nèi)6英寸碳化硅襯底產(chǎn)品將成為碳化硅襯底市場的主流。

而伴隨著新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等行業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅器件及碳化硅基氮化鎵器件產(chǎn)品的需求也將不斷攀升，從而拉動(dòng)全球碳化硅襯底的需求。

碳化硅襯底的生產(chǎn)工藝難度極高，產(chǎn)業(yè)存在較高的技術(shù)壁壘。目前，碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)重心主要在美國。以導(dǎo)電型碳化硅襯底為例，2018年美國占有全球碳化硅襯底產(chǎn)量的70%以上，僅Cree一家就占了一半以上的市場份額。

中國碳化硅襯底領(lǐng)域的研究從20世紀(jì)90年代末開始，在行業(yè)發(fā)展初期受到技術(shù)水平、設(shè)備規(guī)模產(chǎn)能的限制，未能進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)。21世紀(jì)，中國企業(yè)歷經(jīng)20年的研發(fā)與摸索，已經(jīng)掌握了2-6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)加工技術(shù)。

近年來，以山東天岳、世紀(jì)金光、天科合達(dá)為首的國內(nèi)各地多個(gè)碳化硅襯底項(xiàng)目陸續(xù)簽約、開工、投產(chǎn)，并在國家大基金、哈勃投資等支持下，中國碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)迎來了蓬勃式發(fā)展。三安光電收購北電新材完成后，中國SiC襯底項(xiàng)目情況如下所示：

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、材料、設(shè)備與市場論壇定于2020年9月8-9日在廈門召開。

會(huì)議由亞化咨詢主辦，多家國內(nèi)外龍頭企業(yè)重點(diǎn)參與。會(huì)議將討論全球第三代半導(dǎo)體市場、技術(shù)情況及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇，中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局及項(xiàng)目規(guī)劃，SiC PVT長晶技術(shù)&液相法的現(xiàn)狀及發(fā)展，新能源汽車等產(chǎn)業(yè)對(duì)SiC器件的需求，GaN射頻器件及模塊在5G基站方面的應(yīng)用，GaN在快充市場中的發(fā)展及替代情況,其他化合物半導(dǎo)體材料如GaAs等等相關(guān)內(nèi)容。