嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）是現(xiàn)代SoC中的重要組成部分；伴隨著工藝前進(jìn)的腳步，對(duì)于SRAM的研究也從未終止過。其中雙端口SRAM可以為系統(tǒng)提供更高的通信效率和并行性，隨著系統(tǒng)吞吐率的提升應(yīng)用也越來越廣泛。

從用途來看SRAM可以分為獨(dú)立式SRAM和嵌入式SRAM（e-SRAM），其中獨(dú)立式SRAM主要應(yīng)用在板級(jí)電路中，而集成到芯片中的則稱為嵌入式SRAM；上述中的Cache便屬于嵌入式SRAM。

從讀寫端口的個(gè)數(shù)看，SRAM主要可分為單端口SRAM、兩端口SRAM（2P-SRAM）和雙端口SRAM等，后兩者是基于穩(wěn)定性和帶寬的要求發(fā)展起來的。

另外從輸入信號(hào)有無時(shí)鐘來看，SRAM可分為同步SRAM和異步SRAM。前者的各輸入信號(hào)在時(shí)鐘的上升沿被采樣，然后根據(jù)采樣的信號(hào)對(duì)電路進(jìn)行控制；而異步SRAM是根據(jù)某些輸入信號(hào)的變化對(duì)電路發(fā)起操作。雖然異步SRAM功耗小，但速度較慢、控制也復(fù)雜，而同步SRAM更符合用時(shí)鐘進(jìn)行同步的SoC，所以嵌入式的SRAM多是同步類型的。

單端口、兩端口和雙端口SRAM三者除了存儲(chǔ)單元外的其它部分都是大同小異的，在整體結(jié)構(gòu)、存取方法上都極其類似，所以本章主要針對(duì)同步單端口SRAM的基本電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究分析。