本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果，來(lái)探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請(qǐng)結(jié)合上一篇文章的內(nèi)容來(lái)閱讀本文。

通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET反向恢復(fù)特性

為了評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性，我們使用4種MOSFET實(shí)施了雙脈沖測(cè)試。4種MOSFET均為超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復(fù)型和普通型分別進(jìn)行了比較。

先來(lái)看具有快速恢復(fù)特性的SJ MOSFET R6030JNZ4（PrestoMOS?）和具有通常特性的SJ MOSFET R6030KNZ4的試驗(yàn)結(jié)果。除了反向恢復(fù)特性之外，這些SJ MOSFET的電氣規(guī)格基本相同，在試驗(yàn)中，將Q1和Q2分別替換為不同的SJ MOSFET。

圖1為上次給出的工作③的導(dǎo)通時(shí)的ID_L波形，圖2為導(dǎo)通損耗Eon_L的波形。

圖1：快速反向恢復(fù)型PrestoMOS?和普通型SJ MOSFET的漏極電流ID_L的波形

圖2：快速反向恢復(fù)型PrestoMOS?和普通型SJ MOSFET的功率損耗Eon_L的波形

從圖1可以看出，快速反向恢復(fù)型R6030JNZ4（PrestoMOS?）的Q1的反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)電荷Qrr要比普通型R6030KNZ4小得多。

從圖2可以看出，Qrr較大的普通型MOSFET的導(dǎo)通損耗Eon_L要比快速反向恢復(fù)型大，可見(jiàn)當(dāng)Q1的Qrr變大時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗就會(huì)增加。

接下來(lái)請(qǐng)看相同條件下快速反向恢復(fù)型R6030JNZ4（PrestoMOS?）和另一種快速反向恢復(fù)型SJ MOSFET之間的比較結(jié)果。圖3為與圖1同樣的ID_L波形比較，圖4為與圖2同樣的Eon_L比較。

圖3：快速反向恢復(fù)型R6030JNZ4和另一種快速反向恢復(fù)型SJ MOSFET的漏極電流ID_L的波形

圖4：快速反向恢復(fù)型R6030JNZ4和另一種快速反向恢復(fù)型SJ MOSFET的功率損耗Eon_L的波形

如圖3所示，與另一種快速反向恢復(fù)型SJ MOSFET相比，R6030JNZ4（PrestoMOS?）的Irr和Qrr更小，因此ID_L的峰值較小，如圖4所示，其結(jié)果是Eon_L較小。

從這些結(jié)果可以看出，將MOSFET體二極管特性中的反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)電荷Qrr控制在較小水平的MOSFET，其導(dǎo)通損耗Eon_L較小。這一點(diǎn)對(duì)快速反向恢復(fù)型之間進(jìn)行比較也是同樣的結(jié)論。所以，在設(shè)計(jì)過(guò)程中，要想降低損耗時(shí)，需要通過(guò)這樣的方法對(duì)MOSFET的反向恢復(fù)特性進(jìn)行評(píng)估，并選擇最適合的MOSFET。

最后，提一個(gè)注意事項(xiàng)：在本次研究中，設(shè)定的前提是具有快速反向恢復(fù)特性的MOSFET是可以降低損耗的，但在某些情況下，具有快速反向恢復(fù)特性的MOSFET是無(wú)法降低導(dǎo)通損耗的。其原因之一是誤啟動(dòng)現(xiàn)象。這是由MOSFET的柵極電容引起的現(xiàn)象。關(guān)于誤啟動(dòng)，將會(huì)在下一篇文章中進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

關(guān)鍵要點(diǎn)：

?反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)電荷Qrr較低的MOSFET，導(dǎo)通損耗EON_L也較小。

?快速反向恢復(fù)型MOSFET之間進(jìn)行比較也得出同樣的結(jié)論。

?對(duì)MOSFET的反向恢復(fù)特性進(jìn)行評(píng)估對(duì)于降低損耗非常重要。

?請(qǐng)注意，受誤啟動(dòng)現(xiàn)象的影響，有時(shí)即使MOSFET具有快速恢復(fù)特性，也無(wú)法降低導(dǎo)通損耗。
編輯：hfy