日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

安森美半導體匹配GaN功率晶體管的門極驅動器方案

科訊視點 ? 2020-10-10 12:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

無論是家電消費品,或者是我們身邊的電子設備,還有日趨電子化的汽車,我們無時無刻不在接觸電子產品。在這些設備中,都需要一種叫做“門極驅動器”的電子器件,在電路中起到“開關”和“門”的作用,它在將電能流向最終應用的過程中非常重要。在電子產品領域,電力電子系統(tǒng)以極高能效在交流和直流形式之間以及直流電壓之間轉換著電力。而好的門極驅動方案可以幫助電子電力系統(tǒng)更高效穩(wěn)定的完成電力的轉換。

電源轉換的主要動力是開關:功率MOSFETIGBT、寬禁帶(WBG)半導體器件、SiC MOSFET和氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。在大多數(shù)拓撲中,這些晶體管以kHz至MHz的頻率開和關。門極電壓控制開關是打開還是關斷,這就是門極驅動器的用武之地,門極驅動器用于控制電源開關的門極電壓,復雜而又要求很高。

在實際運用中,門極驅動器的選擇會影響能效,可靠性,安全性和方案尺寸。獲得《21IC中國電子網》 2019年度“Top 10電源產品獎” 的安森美半導體門極驅動器NCP51820,就充分展現(xiàn)了高效能、低功耗在GaN技術中的完美應用。

門極驅動器NCP51820 (圖片來源:ON Semiconductor)

GaN對門極驅動器性能要求非常高。GaN是高速器件,因其電容很低,在硬開關應用中很有優(yōu)勢,但是沒有雪崩電壓額定值,所以門極驅動器選用相當關鍵。門極電路中的功耗隨門極驅動電壓和頻率的變化而變化,開關是納秒級的,峰值電流可為安培級,因此驅動電路需要匹配這速度,同時仍然需要提供大量的電流。

安森美半導體門極驅動器方案NCP51820 GaN門極驅動器及NCP1568有源鉗位反激控制器電路采用具有調節(jié)的+5.2V幅值的門極驅動器,用于高邊和低邊輸出最佳增強型GaN。并且采用了先進的結隔離技術,以定制導通和關斷邊沿率,達到最佳的EMI/能效。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    安森美FFSB10120A碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的卓越之選

    安森美FFSB10120A碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的卓越之選 在功率半導體領域,碳化
    的頭像 發(fā)表于 05-07 14:05 ?47次閱讀

    安森美FFSB2065B - F085碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的卓越之選

    安森美FFSB2065B-F085碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的卓越之選 在功率半導體
    的頭像 發(fā)表于 05-06 17:20 ?551次閱讀

    安森美FFSB3065B碳化硅肖特基二極管:開啟功率半導體新世代

    安森美FFSB3065B碳化硅肖特基二極管:開啟功率半導體新世代 在電子工程領域,功率半導體器件
    的頭像 發(fā)表于 05-06 17:10 ?547次閱讀

    安森美FFSH1265BDN - F085碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的卓越之選

    安森美FFSH1265BDN - F085碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的卓越之選 在功率半導體
    的頭像 發(fā)表于 05-06 16:20 ?239次閱讀

    安森美FFSH20120A - F085碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的佼佼者

    安森美FFSH20120A-F085碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的佼佼者 在電子工程師的日常設計工作中,選擇合適的功率
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:50 ?160次閱讀

    安森美FFSH30120ADN - F155碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的佼佼者

    安森美FFSH30120ADN - F155碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的佼佼者 在電子工程領域,功率
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:50 ?149次閱讀

    安森美FFSP2065A碳化硅肖特基二極管:新一代功率半導體的卓越之選

    安森美FFSP2065A碳化硅肖特基二極管:新一代功率半導體的卓越之選 在電子工程領域,功率半導體
    的頭像 發(fā)表于 05-06 11:50 ?282次閱讀

    安森美NDSH20120CDN碳化硅肖特基二極管:高效功率半導體解決方案

    安森美NDSH20120CDN碳化硅肖特基二極管:高效功率半導體解決方案 在當今電子設備不斷追求更高性能、更小尺寸和更低能耗的時代,
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:25 ?241次閱讀

    安森美NDS355AN場效應晶體管:小封裝大性能

    個引腳,尺寸僅為1.4x2.9。它是采用安森美專有的高單元密度DMOS技術生產的N溝道邏輯電平增強型功率場效應晶體管
    的頭像 發(fā)表于 04-20 11:10 ?175次閱讀

    意法半導體推出氮化鎵功率開關半橋模塊MasterGaN6

    意法半導體推出了MasterGaN系列氮化鎵功率開關半橋的第二代產品MasterGaN6,該功率系統(tǒng)級封裝(SiP)在一個封裝內集成新的BCD柵極
    的頭像 發(fā)表于 03-20 15:44 ?1823次閱讀

    安森美隔離式雙通道IGBT柵極驅動器:NCx575y0系列的深度解析

    在電子工程領域,IGBT(絕緣柵雙晶體管)的應用極為廣泛,而其柵極驅動器的性能對整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著關鍵作用。今天我們就來深入探討安森美(onsemi)的NCx575y0系列
    的頭像 發(fā)表于 12-05 11:18 ?2006次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>隔離式雙通道IGBT柵極<b class='flag-5'>驅動器</b>:NCx575y0系列的深度解析

    意法半導體GaN柵極驅動器助力打造運動控制解決方案

    了解專為N溝道增強模式GaN晶體管打造的高壓半橋柵極驅動器的最新技術成果。此類器件具有無與倫比的效率和可靠性,堪稱SMPS、電池充電器、適配器、泵、壓縮機等各種消費類和工業(yè)應用的理想選擇。意法
    的頭像 發(fā)表于 12-03 10:03 ?982次閱讀

    安森美NCx5710y:高性能IGBT驅動器的卓越之選

    在電力電子領域,IGBT(絕緣柵雙晶體管)作為關鍵的功率開關器件,被廣泛應用于各種高功率場景。而IGBT
    的頭像 發(fā)表于 12-01 14:24 ?697次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>NCx5710y:高性能IGBT<b class='flag-5'>門</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>的卓越之選

    安森美榮獲2025全球電子成就獎之年度功率半導體/驅動器產品獎

    (World Electronics Achievement Awards, 簡稱WEAA)年度功率半導體/驅動器產品獎,彰顯了安森美在第三代半導體
    的頭像 發(fā)表于 11-27 13:55 ?1680次閱讀

    安森美推出垂直氮化鎵功率半導體

    隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體,為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破
    的頭像 發(fā)表于 10-31 13:56 ?2391次閱讀
    开化县| 响水县| 黔西| 盖州市| 即墨市| 博客| 双江| 绿春县| 蓬安县| 固原市| 五寨县| 蓝田县| 常宁市| 肥城市| 四会市| 宝清县| 永吉县| 涞水县| 斗六市| 乌什县| 东港市| 准格尔旗| 凤冈县| 托克逊县| 宁阳县| 无极县| 蕉岭县| 桦川县| 溧阳市| 石渠县| 奉贤区| 固镇县| 喜德县| 西丰县| 东安县| 台江县| 安福县| 闻喜县| 改则县| 临颍县| 安福县|