2020年10月28日，由深圳市工信局、深圳市福田區(qū)人民政府指導(dǎo)，高科技行業(yè)門戶OFweek維科網(wǎng)主辦、OFweek維科網(wǎng)·電子工程承辦的“2020中國國際集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇”在深圳會展中心（福田）5樓牡丹廳隆重舉行。瑞薩電子（中國）有限公司技術(shù)支持經(jīng)理王乾最后登場為大家?guī)怼断冗M制程工藝助力智能環(huán)保型社會創(chuàng)建》主題報告。在演講報告中SOTB制程工藝多次被提及。

瑞薩電子（中國）有限公司技術(shù)支持專家 王乾

SOTB制程工藝

SOTB制程工藝是采用 SOI （Silicon on Insulator） 的新型晶體管技術(shù)。

王乾表示，作為瑞薩電子的獨家制程工藝，SOTB能夠?qū)⑼ǔｋy以兼顧的活動時功耗與休眠時功耗均降低到極限，同時還兼容在一枚芯片上的SOTB與Bulk混合結(jié)構(gòu)。在晶片基板上的薄硅層下方形成了極薄的絕緣層（BOX:Buried Oxide）。通過避免讓雜質(zhì)混入硅層，可實現(xiàn)穩(wěn)定的低電壓運行，能效更佳，發(fā)揮更好的運算性能。同時，通過在待機時控制BOX層下方的硅基板電位（反偏壓控制），可減少泄漏電流，降低待機耗能。

由于SOTB的晶片采用薄BOX結(jié)構(gòu)，容易除去BOX，可以在同一芯片上形成SOTB晶體管和Bulk CMOS晶體管。由此可以使用現(xiàn)有Bulk產(chǎn)品的IP、I/O端口、充電泵、各類模擬IP等。

RE家族特性

瑞薩RE產(chǎn)品家族采用瑞薩突破性的SOTBTM（Silicon on Thin Buried Oxide薄氧化埋層覆硅）制程工藝、基于Arm? Cortex?-M0+內(nèi)核構(gòu)建，且針對用于傳感器控制的更緊湊的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的產(chǎn)品設(shè)計進行了優(yōu)化，適用于智能家居、智能樓宇、環(huán)境感測、（建筑物/橋梁）結(jié)構(gòu)監(jiān)測、跟蹤器和可穿戴設(shè)備等應(yīng)用。

王乾特別介紹了RE01，RE01在操作和待機期間都具有極低的功耗。在1．62V時最高可運行64MHz，ULP-CP得分705已通過EEMBC認(rèn)證。在只有少量電流的環(huán)境中，它可以實現(xiàn)較長的電池壽命和高速運行，并提供以前無法實現(xiàn)的值。

那它們是如何助力環(huán)保的呢？

王乾表示，RE家族通過支持3種省電功能降低功耗：電源模式、低功耗模式和電源控制模式。

1． 通過切斷不必要的電源來降低功耗。

2． 通過停止時鐘并運行所需的最少功能來降低功耗。

3． 功率控制模式控制內(nèi)部LDO，通過使用高效的外部DCDC可以顯著降低有功電流。

隨著可持續(xù)發(fā)展觀念的深入人心，環(huán)保也成為科技企業(yè)發(fā)展道路上不可忽略的重要一環(huán)。如何通過科技發(fā)展來保護環(huán)境，值得每個科技企業(yè)深入探索?？萍嫉膬r值在于讓一切變得可能，瑞薩電子身為一家具有領(lǐng)導(dǎo)性和值得信賴的智能晶片解決方案供應(yīng)商，將會繼續(xù)努力為人類創(chuàng)造出更舒適美好的生活。

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