傳臺(tái)積電第二代5nm工藝表現(xiàn)超預(yù)期，性能提升到7%
臺(tái)積電今年量產(chǎn)了5nm工藝，蘋果的A14、華為麒麟9000系列都是臺(tái)積電最早的5nm工藝產(chǎn)品，明年則會(huì)有第二大5nm工藝N5P，日前有消息稱N5P工藝性能及能效都超過(guò)了預(yù)期。
根據(jù)臺(tái)積電之前的說(shuō)法，5nm工藝會(huì)是他們大面積使用EUV光刻的工藝，光罩層數(shù)從7nm EUV的4層提升到14層，制造難度及成本都會(huì)提升的。
今年量產(chǎn)的是第一代5nm工藝N5，2021年還會(huì)有升級(jí)版的二代5nm工藝N5P，臺(tái)積電之前稱N5P的性能提升5%，能效提升10%。
不過(guò)日前有消息稱臺(tái)積電的N5P工藝表現(xiàn)超過(guò)預(yù)期，性能提升可提升到7%，能效提升可達(dá)到15%，超過(guò)宣稱指標(biāo)。
對(duì)于今年的兩款5nm芯片，特別是最早的A14來(lái)說(shuō)，雖然性能很強(qiáng)大，但是有一種觀點(diǎn)認(rèn)為A14翻車了，提升不如預(yù)期，能效表現(xiàn)不太好看，iPhone 12就有過(guò)熱的問(wèn)題。
如今N5P工藝表現(xiàn)超過(guò)預(yù)期，那對(duì)iPhone 13使用的A15處理器來(lái)說(shuō)是個(gè)大好事了，明年希望不要在翻車了。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54463瀏覽量
469724 -
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5812瀏覽量
177103 -
5nm
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
343瀏覽量
26677
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
1500kW閃充樁+第二代刀片電池，9分鐘充滿，比亞迪“顛覆性技術(shù)”亮相！
，實(shí)現(xiàn)車輛電量從10%充至70%只需5分鐘，從10%充至97%只需9分鐘，在零下30℃環(huán)境下從20%充至97%電量也僅需12分鐘，再次將電動(dòng)汽車的充電速度以及續(xù)航里程提升到新的高度。 ? ? 第二代刀片電池，快充、安全、密度、壽
RZ/G 系列第二代產(chǎn)品：性能強(qiáng)勁的多功能芯片解決方案
RZ/G 系列第二代產(chǎn)品：性能強(qiáng)勁的多功能芯片解決方案 在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，電子設(shè)備對(duì)于高性能、多功能芯片的需求愈發(fā)迫切。Renesas 的 RZ/G 系列第二代產(chǎn)品，包括 RZ
信號(hào)干擾、軌跡漂移成過(guò)去式？第二代UWB技術(shù)在復(fù)雜工況下的硬核突圍
四相科技第二代UWB通過(guò)物理層協(xié)議和信號(hào)頻段的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了測(cè)距、功耗與安全性的全面升級(jí)，致力于為復(fù)雜工業(yè)環(huán)境提供更精準(zhǔn)穩(wěn)定、更具“確定性”價(jià)值的解決方案。隨著技術(shù)生態(tài)的持續(xù)完善與應(yīng)用場(chǎng)景的不斷拓展，第二代UWB的性能與成本優(yōu)勢(shì)將
比亞迪正式發(fā)布第二代刀片電池及閃充技術(shù)
發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，王傳福還宣布：所有搭載第二代刀片電池的閃充車車主，均享有重磅“閃充權(quán)益”，自交車之日起，在全國(guó)閃充站可享受1年的免費(fèi)閃充權(quán)益，讓閃充體驗(yàn)更暢快。并且，在閃充免費(fèi)期結(jié)束后，也會(huì)同行業(yè)保持一致，不會(huì)額外收費(fèi)。
新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)
新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET技術(shù)打造，通過(guò)
1.4nm制程工藝！臺(tái)積電公布量產(chǎn)時(shí)間表
供應(yīng)一度面臨緊張局面。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)激增的訂單，臺(tái)積電已啟動(dòng)新建三座工廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，旨在進(jìn)一步提升產(chǎn)能，保障客戶供應(yīng)鏈的穩(wěn)定交付。 ? 與此同時(shí)，臺(tái)
新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件
新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
TeledyneLeCroy發(fā)布第二代DisplayPort 2.1 PHY合規(guī)測(cè)試與調(diào)試解決方案
TeledyneLeCoy（Teledyne子公司）宣布第二代QualiPHY 2自動(dòng)化合規(guī)測(cè)試框架現(xiàn)已支持DisplayPort 2.1物理層（PHY）合規(guī)性測(cè)試。
新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
新品采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件
、有源中性點(diǎn)鉗位（ANPC）、維也納整流器和飛跨電容（FCC）等硬開關(guān)拓?fù)渲?b class='flag-5'>表現(xiàn)卓越。更值得注意的是，第二代產(chǎn)品顯著降低了輸出電容（Coss），使其在循環(huán)變流器、
臺(tái)積電Q2凈利潤(rùn)3982.7億新臺(tái)幣 暴增60% 創(chuàng)歷史新高
電在第二季度毛利率達(dá)到58.6％；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為49.6%，凈利率為42.7%。 在2025年第二季度，臺(tái)積
AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能
我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列，這兩款產(chǎn)品是對(duì) Versal 產(chǎn)品組合的擴(kuò)展，可為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能。
臺(tái)積電2nm良率超 90%！蘋果等巨頭搶單
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道
恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級(jí)開發(fā)平臺(tái)
第二代OrangeBox開發(fā)平臺(tái)集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力，應(yīng)對(duì)快速演變的信息安全威脅。
評(píng)論