電動車如何提升續(xù)航？開放性地探索這個問題的話，給車輛減重、提高電池密度……甚至減小車輛風阻系數(shù)都會成為探究方向。

但是日前，知名的半導體設(shè)計＆制造廠商德州儀器（TI），給出了他們在另一個方向上的探索成果。

TI推出的是面向汽車和工業(yè)應用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）產(chǎn)品，與TI現(xiàn)有解決方案相比，新的GaN FET系列采用快速切換的2．2 MHz集成柵極驅(qū)動器，可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達99％的效率，與此同時，還將電源磁性器件的尺寸減少59％。

圖片來源：TI

TI官方資料顯示，與現(xiàn)有的Si或SiC解決方案相比，使用TI新型車用GaN FET可將電動汽車（EV）車載充電器和DC／DC轉(zhuǎn)換器的尺寸減少多達50％，從而使工程師能夠延長電池續(xù)航，提高系統(tǒng)可靠性并降低設(shè)計成本。而在工業(yè)設(shè)計中，這些新器件則可以在更低功耗和更小電路板空間占用的情況下，在AC／DC電力輸送應用（例如超大規(guī)模的企業(yè)計算平臺以及5G電信整流器）中實現(xiàn)更高的效率和功率密度。

德州儀器高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示：「工業(yè)和汽車應用日益需要在更小的空間內(nèi)提供更多的電力，設(shè)計人員必須提供能在終端設(shè)備長久的生命周期內(nèi)可靠運行的電源管理系統(tǒng)。憑借超過4，000萬個小時的器件可靠性測試和超過5 GWh的功率轉(zhuǎn)換應用測試，TI的GaN技術(shù)為工程師提供了能滿足任何市場需求的可靠的全生命周期保障?！?/p>

TI推出面積汽車和工業(yè)應用的GaN FET產(chǎn)品背后，是其在電源管理領(lǐng)域的長期探索。他們挑戰(zhàn)了五個「最具挑戰(zhàn)的前沿領(lǐng)域」：功率密度、低EMI、低靜態(tài)電流、低噪聲高精確度和隔離。

圖片來源：TI

TI對GaN采取的硅基氮化鎵，我們將驅(qū)動集成在了硅基層上，這使得我們可以提供更可靠、更具成本優(yōu)勢、更加實用的GaN解決方案。

TI GaN的發(fā)展線路圖，GaN對于TI來說是非常具有戰(zhàn)略意義

實際上，TI從十年前就開始研發(fā)GaN，認為GaN會在工業(yè)、電信、以及個人電子消費品、企業(yè)的電源中會有非常廣闊的應用，因為這些領(lǐng)域需要非常高的功率密度，并且對可靠性的要求也非常高。

針對這些需求，TI開始在內(nèi)部研發(fā)相應解決方案，以保證開發(fā)產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性。TI還與其工業(yè)領(lǐng)域伙伴緊密合作，例如，與西門子推出了首個10千瓦連接云電網(wǎng)的轉(zhuǎn)換器。同時，我們也在氮化鎵上完成了超過4000萬小時的可靠性測試。

圖片來源：TI

得益于TI GaN集成的一些優(yōu)勢，TI可以將功率密度增加到非常大，能夠提供大于150 V ／ns和大于2．2 MHz的業(yè)界更快切換速度。高壓擺率和高切換速度能夠?qū)㈦娐分械拇旁p少的更小，通過集成可以將功率磁元件體積減少59％，以及減少十多個組件需求。

新材料的使用或新工藝的開發(fā)，往往是半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)品更新?lián)Q代的關(guān)鍵。

選用硅基GaN材料而不是碳化硅基GaN材料的原因，德州儀器高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部氮化鎵功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom在解答記者提問時表示，硅基GaN的成本要比碳化硅低很多，在開關(guān)頻率表現(xiàn)方面也有更快、更好的開關(guān)特征，再加上更低的損耗、更好的可靠性……硅基GaN材料在多方面都表現(xiàn)出了優(yōu)勢。

與此同時，TI的驅(qū)動也基于硅，采用硅基GaN材料可以讓TI做到可以更好的集成，可以進行非常大規(guī)模和可靠的生產(chǎn)。

基于TI GaN的優(yōu)異表現(xiàn)，在汽車與工作領(lǐng)域之外，相信不遠的未來，它會在更廣闊的領(lǐng)域為我們的現(xiàn)代生活帶來便利。

責任編輯：PSY