日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

我快閉嘴 ? 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 作者:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 2020-11-18 14:59 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

第三代半導(dǎo)體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來了革新,基于其高速,小體積,低功耗的特點,越來越廣泛應(yīng)用在消費電子電力電子行業(yè)。不同技術(shù)的功率器件的性能區(qū)別??梢钥吹?,傳統(tǒng)的Si基IGBT或者MOSFET管要么分布在高壓低速的區(qū)間,要么分布在低壓高速的區(qū)間,市面上傳統(tǒng)的探測技術(shù)可以覆蓋器件特性的測試需求。但是第三代半導(dǎo)體器件SiC 或GaN的技術(shù)卻大大擴展了分布的區(qū)間,覆蓋以往沒有出現(xiàn)過的高壓高速區(qū)域,這就對器件的測試工具提出非常嚴苛的挑戰(zhàn)。

今年在國家發(fā)布的新基建中,5G通訊電源、新能源逆變器和電動汽車驅(qū)動等領(lǐng)域,SiC和GaN器件將得到越來越廣泛的應(yīng)用,這給工程師進行電源轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品設(shè)計帶來更多的機遇,也帶來了全新的設(shè)計挑戰(zhàn)。本文將和大家探討當下的行業(yè)現(xiàn)狀以及如何攻克測試難題。

目前很多工程師在橋式電路設(shè)計中都是以低壓側(cè)開關(guān)特性來評價器件及設(shè)計驅(qū)動電路,因為有“接地”參考,似乎只要帶寬滿足,電壓范圍滿足就可以了,但是事實上很多人忽略了其實高壓側(cè)和低壓側(cè)在驅(qū)動和特性本身并不是相同的,不能通過下管測試推算上管測試,但是為什么工程師不真正來測試高壓側(cè)Vgs呢?主要是因為目前沒有合適的探頭和方法能測試準確高壓側(cè)驅(qū)動信號,它會受到帶寬限制,共模抑制比的限制,信號干擾等影響,所以只能用推測或者仿真等方式來預(yù)估,很大程度上增加了產(chǎn)品設(shè)計的不確定性,甚至存在很大安全隱患。

泰克作為測試儀器及方案的提供商,為了解決工程師的困擾,打造了全新的IsoVu光隔離探頭來完成相關(guān)的測試挑戰(zhàn)。

我們先看傳統(tǒng)差分探頭和IsoVu光隔離探頭測試相同高壓側(cè)Vgs信號效果對比?;疑牟ㄐ问莻鹘y(tǒng)差分探頭測試的效果,紅色的波形是泰克TIVP光隔離探頭測試的效果,能真實反饋高壓側(cè)Vgs的驅(qū)動波形,真實呈現(xiàn)工程師想了解的驅(qū)動波形,不用再依賴經(jīng)驗或者猜測。

新的Tektronix IsoVu?Generation 2探頭提供了無與倫比的帶寬、動態(tài)范圍、共模抑制以及多功能MMCX連接器的組合,為上管Vgs測量設(shè)置了新的標準,設(shè)計者終于能看到以前隱藏的信號特征,再一次引領(lǐng)了高壓隔離探頭的技術(shù)革新。

1GHz光隔離探頭

更小的尺寸提升了DUT連接的便攜性

行業(yè)領(lǐng)先的CMRR特性

完全光隔離技術(shù)

完整測試系統(tǒng)

比第一代探頭體積縮小80%

使用傳統(tǒng)差分探頭幾乎不可能在高速不接地系統(tǒng)上進行準確的測量。由于涉及更高的頻率和開關(guān)速度,使用SiC和GaN等寬禁帶技術(shù)的工程師面臨準確測量和表征器件的巨大挑戰(zhàn)。通過將探頭與示波器電流隔開,IsoVu探頭完全改變了功率研究人員和設(shè)計人員進行寬禁帶功率測量的方式。

“第一代產(chǎn)品面世時,IsoVu探頭對我們的客戶來說代表著真正的突破,因為他們可以真正了解半橋設(shè)計高側(cè)的性能,消除重大的盲點?!碧┛丝萍贾髁鹘鉀Q方案總經(jīng)理Suchi Srinivasan說,“這次在第二代IsoVu中,將有更廣泛的客戶能夠獲得這種尖端隔離測量技術(shù),完成產(chǎn)品級研發(fā)、驗證和EMI故障排除等任務(wù)?!?/p>

“IsoVu技術(shù)對于支持客戶在設(shè)計中采用我們的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)至關(guān)重要。”Cree科銳旗下企業(yè)Wolfspeed全球汽車現(xiàn)場應(yīng)用工程師主管Cam Pham說,“由于電流隔離功能,IsoVu技術(shù)使我們及我們的客戶能夠滿懷信心地準確地表征高側(cè)事件?!?/p>

我們來看看第二代光隔離探頭和第一代IsoVu探頭對比,由于低壓側(cè)開關(guān)、高壓側(cè)門級和開關(guān)節(jié)點之間的寄生耦合,低壓側(cè)開關(guān)有振鈴現(xiàn)象。再次,將IsoVu第一代的結(jié)果與第二代IsoVu的結(jié)果進行比較。第二代IsoVu的性能如何比IsoVu第一代的性能有了很大的改善。IsoVu Gen 2提供更詳細,準確。

我們再來看看第二代光隔離探頭和第一代IsoVu探頭對比。下圖顯示由于低壓側(cè)開關(guān)、高壓側(cè)門級和開關(guān)節(jié)點之間的寄生耦合,低壓側(cè)開關(guān)有振鈴現(xiàn)象。將IsoVu第一代的結(jié)果與第二代IsoVu的結(jié)果進行比較,第二代更加詳細、準確,比第一代的性能有了很大改善。

IsoVu第二代探頭的特點

與第一代產(chǎn)品一樣,最新IsoVu第二代探頭采用已獲專利的光電技術(shù)來捕獲信號并為探頭供電,且不需要電氣連接示波器。與傳統(tǒng)高壓差分探頭相比,IsoVu探頭以獨一無二的方式同時提供了高帶寬、寬動態(tài)范圍,并在探頭整個帶寬上實現(xiàn)了同類最優(yōu)秀的共模抑制比(CMRR)。非隔離探頭的CMRR額定值會隨著頻率提高迅速下降,所以不可能進行更高頻率的測量。使用光纜還可以支持長電纜,大大提高探頭抗EMI能力。

在第一代IsoVu系列基礎(chǔ)上,IsoVu第二代探頭進行了大量的升級和增強,包括:

更小的尺寸 ——TIVP系列探頭的體積大約是第一代探頭的五分之一,可以更簡便地接入以前不可能接入的難達測量點。此外,原來單獨的控制器盒已經(jīng)精簡,現(xiàn)在自含在探頭的補償盒內(nèi)部。

更高的靈敏度 ——新探頭更加靈敏,在+/- 50V測量時噪聲更低,在寬帶隙測量中具有更高的可見度和電壓靈敏度。

更高的精度 ——新探頭在許多方面增強了準確度,包括改善了DC準確度,在全部輸入范圍上加強了增益準確度,改善了溫度漂移校正功能。這些增強功能可以更加深入地表征寬帶隙設(shè)計特點,提高了能效。

更少的針尖更換 ——傳感器頭上的動態(tài)范圍更廣,與IsoVu Gen 1相比,相同的電壓范圍所需的針尖更少。這縮短了執(zhí)行器件測試所需的時間,消除了更換探頭時可能發(fā)生的錯誤,也降低了客戶的成本。
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    173

    文章

    6090

    瀏覽量

    178999
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31338

    瀏覽量

    267084
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3885

    瀏覽量

    70237
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    碳化硅 VS 氮化鎵:第三代半導(dǎo)體的“雙雄對決”

    以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體,正憑借更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率,逐步取代傳統(tǒng)硅器件,成為電源系統(tǒng)的“新引擎”。然而,兩者雖同屬寬禁帶半導(dǎo)體,卻在
    的頭像 發(fā)表于 04-28 14:44 ?1550次閱讀
    碳化硅 VS 氮化鎵:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的“雙雄對決”

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開啟了在半導(dǎo)體行業(yè)高速
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?1185次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化?b class='flag-5'>器件成本有望年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化?b class='flag-5'>器件成本有望年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?600次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?425次閱讀

    芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎

    2025年12月4日,深圳高光時刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標桿機構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?1172次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場開拓領(lǐng)航獎

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)功率器件可靠性的詳解;

    如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代表,憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性,正在新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)電源
    的頭像 發(fā)表于 12-04 08:21 ?1278次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅(Sic)功率<b class='flag-5'>器件</b>可靠性的詳解;

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個行業(yè)又過于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章節(jié)會以要點列示為主,如果遺漏
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?828次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    第三代半導(dǎo)體半橋上管電壓電流測試方案

    第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評估中,對半橋電路上管進行精確的電壓與電流參數(shù)測試,是優(yōu)化電路設(shè)計、驗證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測試方案可為技術(shù)開發(fā)提供堅實的數(shù)據(jù)支撐,加速技
    的頭像 發(fā)表于 11-19 11:01 ?370次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>半橋上管電壓電流測試方案

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1606次閱讀

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、快充設(shè)備的核心
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?1089次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?1106次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?942次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    )和碳化硅(SiC),它們在電力電子、射頻和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2948次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?1114次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)
    稻城县| 漾濞| 盈江县| 织金县| 兰州市| 邛崃市| 临安市| 武定县| 普宁市| 和平区| 错那县| 崇文区| 漯河市| 肥城市| 罗定市| 贵德县| 崇州市| 宜黄县| 图木舒克市| 绩溪县| 桐城市| 若羌县| 南靖县| 兴文县| 东乡族自治县| 麦盖提县| 长垣县| 西昌市| 深圳市| 犍为县| 蒲江县| 和田县| 桃江县| 镇沅| 密云县| 扬中市| 潮安县| 孝义市| 涪陵区| 平武县| 嘉定区|