日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代功率半導(dǎo)體發(fā)展面臨哪些挑戰(zhàn)?

我快閉嘴 ? 來源:愛集微 ? 作者:Jimmy ? 2020-11-27 15:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

小鵬汽車動力總成中心IPU硬件高級專家陳宏在2020第三代半導(dǎo)體支撐新能源汽車創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇上表示,智能網(wǎng)聯(lián)汽車朝著高安全性、動力性、智能化、長續(xù)航、快速充電方向發(fā)展。

陳宏表示,2020-2025年新能源汽車銷量以年均25%增長率上升,到2025年銷量過700萬輛。

陳宏指出,功率半導(dǎo)體在新能源汽車中的應(yīng)用領(lǐng)域包括:OBC、空調(diào)、逆變器、DCDC及附屬電氣設(shè)備。

碳化硅Mos相比硅基IGBT功率半導(dǎo)體具有耐高溫,低功耗及耐高壓等特點。采用碳化硅技術(shù),電機(jī)逆變器效率提升約4%,對應(yīng)整車?yán)m(xù)航里程增加約7%。

雖然第三代功率半導(dǎo)體有著諸多優(yōu)點,但在國內(nèi)市場與技術(shù)之下也面臨諸多挑戰(zhàn),如器件成本高,功率器件的良率,EMC:高頻信號干擾比硅基IGBT大,SiC器件的制造與封裝,器件并聯(lián)擴(kuò)容技術(shù),器件及系統(tǒng)散熱設(shè)計等。

陳宏表示,碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,對功率模塊的封裝要求更高,朝著耐高溫、高功率密度、低雜散電感、高可靠性封裝路線發(fā)展。

小鵬汽車希望與產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴,共同推進(jìn)碳化硅在智能網(wǎng)聯(lián)汽車中的標(biāo)準(zhǔn)化,推廣第三代功率半導(dǎo)體在智能網(wǎng)聯(lián)汽車中的應(yīng)用。
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 新能源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    27

    文章

    6878

    瀏覽量

    114694
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31284

    瀏覽量

    266826
  • asic
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    1278

    瀏覽量

    124991
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    碳化硅 VS 氮化鎵:第三代半導(dǎo)體的“雙雄對決”

    以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體,正憑借更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率,逐步取代傳統(tǒng)硅器件,成為電源系統(tǒng)的“新引擎”。然而,兩者雖同屬寬禁帶半導(dǎo)體,卻在材料特性
    的頭像 發(fā)表于 04-28 14:44 ?984次閱讀
    碳化硅 VS 氮化鎵:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的“雙雄對決”

    基本半導(dǎo)體推出第三代碳化硅MOSFET頂部散熱封裝系列產(chǎn)品

    基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺,基本半導(dǎo)體推出QDPAK、TOLT、T2PAK-7款頂部散熱封裝產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品聚焦工業(yè)與車載功率電子應(yīng)用的實際痛點,在芯片性能與封裝設(shè)計上進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 04-23 15:32 ?347次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出<b class='flag-5'>第三代</b>碳化硅MOSFET頂部散熱封裝系列產(chǎn)品

    高頻交直流電流探頭在第三代半導(dǎo)體功率模塊動態(tài)測試中的精準(zhǔn)測量

    高頻交直流電流探頭克服磁飽和問題,實現(xiàn)超寬頻帶響應(yīng),適用于第三代半導(dǎo)體動態(tài)測試,提升電流測量精度與效率。
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:56 ?224次閱讀

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開啟了在半導(dǎo)體行業(yè)高速
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?1147次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?585次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?416次閱讀

    芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎

    2025年12月4日,深圳高光時刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?1163次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場開拓領(lǐng)航獎

    上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

    與之匹配的被動元件協(xié)同進(jìn)化。 當(dāng)第三代半導(dǎo)體器件以其高頻、高效、耐高溫高壓的優(yōu)勢,在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、光伏儲能逆變器、工業(yè)伺服電源、AI服務(wù)器電源及數(shù)據(jù)中心供電等場景中加速普及時,供電系統(tǒng)中的電容正面臨前所未有的
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:34 ?490次閱讀

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1590次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?1081次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?930次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面,
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1748次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2908次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MO
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?1103次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)
    西青区| 上林县| 胶南市| 吉木乃县| 九江市| 子长县| 岳池县| 荃湾区| 象山县| 开平市| 肥城市| 阳曲县| 肇庆市| 江口县| 东山县| 固安县| 沙湾县| 安吉县| 鄂托克旗| 门头沟区| 乌拉特后旗| 宿松县| 炉霍县| 商洛市| 临邑县| 繁峙县| 万全县| 宜州市| 莱阳市| 湖北省| 巴彦县| 德州市| 饶阳县| 孝感市| 古丈县| 汝阳县| 清流县| 奇台县| 大同市| 竹山县| 汝城县|