三星S21+的GeekBench 5跑分曝光
日前，@三星Exynos 在推特上預(yù)告將于12月15日舉辦活動(dòng)，將揭曉專門為粉絲準(zhǔn)備的神秘驚喜，同時(shí)還發(fā)布一則CG預(yù)告短片用以鳴謝粉絲對(duì)其的喜愛和支持。盡管官方?jīng)]有明確表示，但是有相關(guān)媒體指出，屆時(shí)三星很有可能會(huì)發(fā)布定位旗艦的Exynos 2100。
三星Exynos
這款芯片采用5nm制程工藝，但值得注意的是，這款新品將采用與高通驍龍888相同的Cortex-X1、Cortex-A78、Cortex-A55大中小三叢集CPU架構(gòu)，GPU部分集成Mail-G78。就這一角度而言，Exynos 2100的性能相當(dāng)值得期待。這款芯片預(yù)計(jì)將由三星S21系列首發(fā)，在歐洲市場(chǎng)發(fā)售。
值得注意的是，此前便有一款搭載Exynos 2100的三星S21+的GeekBench 5跑分在網(wǎng)上曝光。這款手機(jī)單核1040分，多核3107分，與搭載高通驍龍888的同款手機(jī)在分?jǐn)?shù)有一點(diǎn)差距，后者單核1120分，多核跑分3319分。不過不排除是工程機(jī)，不代表最終零售機(jī)的跑分水平。
責(zé)任編輯:pj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15899瀏覽量
183263 -
cpu
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
11357瀏覽量
226210 -
高通驍龍
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
1228瀏覽量
45910
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
三星貼片電容0603型號(hào)的CL21B224KQNCBNE容值精度分析
三星貼片電容0603型號(hào)CL21B224KQNCBNE的容值精度為±10%(K檔)，符合ClassII類X7R陶瓷電容的典型精度范圍。
三星電容的溫度系數(shù)如何選擇？
在電子元件選型中，溫度系數(shù)是決定電容性能穩(wěn)定性的核心參數(shù)之一。三星電容憑借X5R、X7R等主流溫度特性材料，為不同場(chǎng)景提供了精準(zhǔn)匹配方案。今天從溫度系數(shù)的物理意義出發(fā)，結(jié)合典型應(yīng)用場(chǎng)景，解析選型邏輯
三星DDR5低調(diào)突破：原生速率突破7200Mbps
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2025年末，存儲(chǔ)行業(yè)超級(jí)周期熱潮下，一則技術(shù)動(dòng)態(tài)引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注——三星半導(dǎo)體官網(wǎng)更新DRAM產(chǎn)品目錄，低調(diào)上架多款處于“樣品”階段的DDR5內(nèi)存顆粒新品。其中
三星陶瓷電容的電壓系數(shù)對(duì)性能有何影響？
變化的程度，這一特性在Class-II/III陶瓷電容(如X5R、X7R材質(zhì))中尤為明顯。以X7R材質(zhì)的三星CL21B106KAFNNNE電容為例，其額定電壓為25V，但在實(shí)際電路中，若施加接近額定電壓的直流電壓，其電容值可能因
爆！三星退出SATA SSD業(yè)務(wù)！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）2025年12月14日，知名硬件爆料人Tom(YouTube頻道Moore's Law Is Dead)爆料稱，三星計(jì)劃在2026年初預(yù)計(jì)CES展會(huì)后，宣布逐步退出
【瑞薩RA6E2地奇星開發(fā)板試用】+ 5.瑞薩RA6E2地奇星開發(fā)板coremark跑分測(cè)試313分
*/
hal_systick_init();
UART0_Init();
uint8_t txData;
printf(\"地奇星RA6E2 coremark跑分測(cè)試：===\\\\r\\\\n\"
發(fā)表于 12-09 17:18
三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold
2025年12月2日，三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold，進(jìn)一步鞏固了三星在移動(dòng)AI時(shí)代中針對(duì)形態(tài)創(chuàng)新的行業(yè)優(yōu)勢(shì)。
三星貼片電容耐壓值匹配原則？
工作電壓)應(yīng)至少為電路實(shí)際工作電壓的1.5倍，極端情況下(如電壓波動(dòng)大、高溫環(huán)境)需提升至2倍。例如： 5V電路 ：優(yōu)先選擇耐壓值10V或16V的電容(如三星CL21A106KOQNNNE，0805封裝，10μF/16V)，避免
三星最新消息：三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 三星和海力士不會(huì)被征收100%關(guān)稅
給大家?guī)?b class='flag-5'>三星的最新消息： 三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋果公司的下一代芯片。而蘋果公司在新聞稿中也印證了這個(gè)一消息，在新聞稿中
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
我們來看看三星的最新消息： 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱，三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測(cè)試階段，計(jì)劃在今年10月完成基于HPB（High
預(yù)定破百萬！三星推出史上最輕薄折疊手機(jī)，破解市場(chǎng)放緩魔咒
ZFold7變薄、變輕和變大。三星Galaxy Z Fold7比三星Galaxy S25 Ultra更輕，重量?jī)H為215克。比較一周前發(fā)布的榮耀Magic V5輕2克。折疊狀態(tài)下，
看點(diǎn)：三星電子Q2利潤預(yù)計(jì)重挫39% 星動(dòng)紀(jì)元宣布完成近5億元A輪融資
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星電子Q2利潤預(yù)計(jì)重挫39% 由于三星向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片延遲，三星預(yù)計(jì)將公布4-6月營業(yè)利潤為6.3萬億韓元（約46.2億美元；三星電子打算在周二公布
評(píng)論