12月21日，兆易創(chuàng)新在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司目前在中芯國際代工的產(chǎn)品并不涉及10nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)，且公司產(chǎn)品的銷售不受該實(shí)體清單限制。同時(shí)，公司供應(yīng)鏈管理采取多元化布局，以目前情況看公司不會(huì)受到較大影響。

此前，中芯國際被美國列入“實(shí)體清單”后，針對(duì)適用于美國《出口管制條例》的產(chǎn)品或技術(shù)，供應(yīng)商須獲得美國商務(wù)部的出口許可才能向中芯國際供應(yīng)；對(duì)用于10nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)（包括極紫外光技術(shù)）的產(chǎn)品或技術(shù)，美國商務(wù)部會(huì)采取“推定拒絕”的審批政策進(jìn)行審核。中芯國際公告稱，該事項(xiàng)對(duì)其短期內(nèi)運(yùn)營無重大不利影響。

資料顯示，兆易創(chuàng)新的產(chǎn)品主要包括存儲(chǔ)器（NOR Flash、NAND Flash和正在研發(fā)的DRAM）、微控制器（MCU）以及傳感器（Sensor）三大類。

在存儲(chǔ)器領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新已經(jīng)成為全球排名第一的無晶圓廠NOR Flash供應(yīng)商，SPI NOR Flash領(lǐng)域市占率國內(nèi)第一、全球第三。目前，兆易創(chuàng)新55nm的NOR Flash已經(jīng)量產(chǎn)，且產(chǎn)能不斷提升，將逐步替換65nm的NOR Flash，預(yù)計(jì)明年55nm的業(yè)務(wù)占比會(huì)提升；其目前主流SLC NAND Flash產(chǎn)品采取38nm工藝，24nm的SLC NAND Flash進(jìn)入量產(chǎn)導(dǎo)入階段。

DRAM是兆易創(chuàng)新的一項(xiàng)新業(yè)務(wù)，是存儲(chǔ)器市場(chǎng)占比最大的產(chǎn)品類型。公司已完成DRAM芯片自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的43億元定增募資，目前以19nm工藝的DRAM產(chǎn)品為主，未來將研發(fā)17nm的DRAM產(chǎn)品。
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