存儲器分為兩大類：RAM和ROM，RAM就不講了，主要討論ROM。 ROM最初是不能編程的，出廠什么內(nèi)容就永遠什么內(nèi)容，不靈活。 后來出現(xiàn)了PROM，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機上下了一個程序之后發(fā)現(xiàn)有個地方需要加一句話，為此你要把單片機放紫外燈下照半小時，然后才能再下一次，這么折騰一天也改不了幾次。

歷史的車輪不斷前進，偉大的EEPROM出現(xiàn)了，拯救了一大批程序員，終于可以隨意的修改ROM中的內(nèi)容了。 EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的ROM來講的。但是今天已經(jīng)存在多種EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統(tǒng)稱。

狹義的EEPROM：

這種ROM的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節(jié)，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。具有較高的可靠性，但是電路復(fù)雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的，絕少有超過512K的。 例如我們常見的24C02：

廣義的EEPROM：

FLASH屬于廣義的EEPROM，因為它也是電擦除的ROM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。

flash做的改進就是擦除時不再以字節(jié)為單位，而是以塊為單位，一次簡化了電路，數(shù)據(jù)密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。如W25Q128JVSIQ：

flash分為nor flash和nand flash。

nor flash：

nor flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實現(xiàn)ram一樣的隨機尋址功能，可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。依然W25Q128JVSIQ

nand flash：

nand flash同樣是按塊擦除，但是數(shù)據(jù)線和地址線復(fù)用，不能利用地址線隨機尋址。讀取只能按頁來讀取。（nandflash按塊來擦除，按頁來讀，nor flash沒有頁），例如：W29N01HVSINA

由于nand flash引腳上復(fù)用，因此讀取速度比nor flash慢一點，但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand flash內(nèi)部電路更簡單，因此數(shù)據(jù)密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。 使用壽命上，nand flash的擦除次數(shù)是nor的數(shù)倍。而且nand flash可以標記壞塊，從而使軟件跳過壞塊。nor flash 一旦損壞便無法再用。

因為nor flash可以進行字節(jié)尋址，所以程序可以在nor flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。

責(zé)任編輯：xj

原文標題：EEPROM和FLASH，NAND FLASH和NOR FLASH有什么區(qū)別？

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