100v低壓MOS管HG1006D參數(shù) DFN3X3
參數(shù)：100V 25A
封裝：DFN3333
內(nèi)阻：25mR(Vgs=10V)
30mR(Vgs=4.5V)
結(jié)電容：839pF
開啟電壓：1.7V
應(yīng)用領(lǐng)域：車燈照明、車載電子、電動車應(yīng)用、LED去頻閃、LED升降壓照明、太陽能源、舞臺燈照明、加濕器、美容儀等電壓開關(guān)應(yīng)用。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
場效應(yīng)管
+關(guān)注
關(guān)注
47文章
1294瀏覽量
71838 -
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
111文章
2814瀏覽量
77974 -
MOS
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1764瀏覽量
101279
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
XZ5131輸入電壓2.7-40V，2.7V啟動電壓，配套XZ1018,100V,40A,NMOS，XZ10L100，10A 100V MOS管 DEMO板
<14mΩ
RDS(ON)：@4.5V<19mΩ
XZ10L100，10A 100V MOS管
發(fā)表于 04-17 10:08
MOS管在24V無刷電機(jī)風(fēng)扇應(yīng)用參數(shù)詳解與選型指南
GINKGO MICRO MOS管在24V無刷電機(jī)風(fēng)扇應(yīng)用參數(shù)詳解與選型指南應(yīng)用背景與拓?fù)浞桨?4V無刷電機(jī)風(fēng)扇主流采用三相半橋6
發(fā)表于 03-30 16:29
?1次下載
探索TMUX861x：高性能100V模擬開關(guān)的卓越之旅
探索TMUX861x：高性能100V模擬開關(guān)的卓越之旅 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高性能模擬開關(guān)是實(shí)現(xiàn)精確信號控制和切換的關(guān)鍵組件。今天，我們將深入探討TI推出的TMUX861x系列100V模擬
SL2516D降壓恒流耐壓100V電動車車燈 輸出15W功率 內(nèi)置MOS管
SL2516D：耐壓100V降壓恒流驅(qū)動器，為15W電動車車燈提供高可靠照明方案?
在現(xiàn)代電動車照明系統(tǒng)中，高效、穩(wěn)定且耐用的驅(qū)動方案是保障行車安全與體驗(yàn)的關(guān)鍵。森利威爾原廠SL2516D作為一款
發(fā)表于 01-05 10:45
安世PESD3V3X4UHM國產(chǎn)化替代
講解雷卯PESD3V3X4UHM是一款3.3V低鉗位電壓的ESD二極管，封裝為DFN1309-6L。PESD3V3X4UHM可以完全替代替代
PD快充MOS管高性能低內(nèi)阻SGT工藝場效應(yīng)管HG5511D應(yīng)用方案
、33W 等主流快充功率段的終端項(xiàng)目中實(shí)現(xiàn)應(yīng)用，其性能表現(xiàn)可覆蓋電源驅(qū)動（DC-DC 轉(zhuǎn)換）、同步整流、開關(guān)線路等場景，適用范圍包括小家電、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
HG5511D參數(shù)特點(diǎn)
【HG5511D】SGT工藝NMOS，高頻率大
發(fā)表于 11-03 09:28
ZK100G325P深度應(yīng)用解析：SGT工藝賦能的中低壓MOS管大功率場景革新
中科微電ZK100G325P作為N溝道功率MOS管，以100V耐壓、超300A持續(xù)電流的硬核參數(shù)，融合SGT（屏蔽柵晶體
中低壓MOS管：功率電子領(lǐng)域的“高效開關(guān)”核心
在電力電子系統(tǒng)中，從手機(jī)充電器到工業(yè)電機(jī)驅(qū)動，從智能家居設(shè)備到新能源汽車低壓輔助系統(tǒng)，都離不開一款關(guān)鍵器件——中低壓MOS管。作為電壓等級在100V
中科微電ZK100G200P：100V大電流MOS管的性能突破與場景革命
在功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化浪潮中，ZK100G200P憑借“性能對標(biāo)進(jìn)口、成本更具優(yōu)勢”的特點(diǎn)，成為打破國際品牌壟斷的關(guān)鍵力量。其100V/205A參數(shù)組合、SGT工藝帶來的高頻低損耗特性。
PD快充MOS管HG5511D高性能低內(nèi)阻SGT工藝應(yīng)用方案 內(nèi)阻僅11mΩ 小尺寸DFN封裝
的一款高性能低內(nèi)阻SGT工藝MOS管HG5511D可應(yīng)用于PD快充充電器同步整流位置，內(nèi)阻僅11mΩ，可以解決充電器功耗大發(fā)熱的問題；超低的Ciss（550pF）能夠較大限度地降低開關(guān)損耗，提高轉(zhuǎn)換效率
發(fā)表于 09-10 09:24
SL3036芯片耐壓100V內(nèi)置MOS管3A電流 支持恒壓恒流輸出
一、芯片核心特性?
SL3036是一款高性能開關(guān)降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換芯片，其核心優(yōu)勢在于：
?寬電壓輸入范圍?：支持8V-90V輸入，適應(yīng)復(fù)雜電源環(huán)境。
?高集成度設(shè)計(jì)?：內(nèi)置100V/5A功率
發(fā)表于 08-08 10:55
支持60V70V80V100V45A大電流方案N通道MOS管HC025N10L高性價比高效率穩(wěn)定
。
惠海半導(dǎo)體MOS管包含20V 30V 40V 60V 1
發(fā)表于 07-10 14:03
DK5V100R10VN 東科集成100V功率NMOS管同步整流芯片
DK5V100R10VN是一款簡單高效率的同步整流芯片。芯片內(nèi)部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗，提高整機(jī)效率，取代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基整流二極
發(fā)表于 07-05 15:53
?0次下載
AP3P10MI 永源微100V p溝道增強(qiáng)模式MOSFET
描述AP3P10MI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的rds (ON)，低柵極電荷和在低至5V的柵極電壓下工作。這裝置適合作為電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。一般特征vds = -100v I d
發(fā)表于 06-30 09:46
?0次下載
【產(chǎn)品介紹】DFN1006和DFN0603 封裝——5V 超低電容帶回掃ESD
上海雷卯推出兩款5V，小封裝（DFN1006和DFN0603），帶回掃，低鉗位電壓VCmax的防靜電二極管：ULC0521CLV、ULC0542CLV。帶回掃ESD和普通ESD二極
評論