近日，濱松光電開發(fā)了新型半導體故障分析系統(tǒng)：PHEMOS-X C15765-01，該系統(tǒng)利用可見光到近紅外光來分析缺陷。之所以能在單體設計中實現(xiàn)這一點，是因為采用了新型多波長激光掃描儀，并結(jié)合了該公司“獨特的內(nèi)部光學設計技術(shù)”。

濱松方面稱：“通過應用本公司內(nèi)部的光學設計技術(shù)，我們從頭開始重新設計了分析系統(tǒng)的部件，如用激光束掃描半導體器件的激光掃描儀、定位半導體器件的光學臺、寬視場觀察的微距鏡頭等。這樣一來，靈敏度、分辨率、準確度和易用性都更高了，這些功能與我們目前的系統(tǒng)相比都有了很大的提高?！?/p>

濱松新型半導體測試儀

設計和操作

PHEMOS-X是一種半導體故障分析系統(tǒng)，可配備多達5個激光器，輸出波長從可見光到近紅外光不等。PHEMOS-X僅用一臺設備就可以高靈敏度、高分辨率地定位故障。

當對半導體設備施加電壓時，半導體設備中的故障點會發(fā)出光和熱。在對半導體器件施加電壓時，用激光束掃描半導體器件，會使故障點的電流和工作狀態(tài)發(fā)生變化。

利用這些特性，通過檢測代表施加電壓引起的半導體器件變化的信號，進行激光掃描，并將這些信號以圖像的形式可視化，就可以估算出故障位置。

光損耗抑制

該公司補充說，傳統(tǒng)的激光掃描儀是專門為波長為1300納米的近紅外光設計的。通過PHEMOS-X，我們重新設計了激光掃描儀的光學系統(tǒng)，它可以抑制五種激光器中的光學損耗。

“因此，只需一臺設備就可以進行半導體故障分析，利用從532納米的可見光到1340納米的近紅外光的多波長激光束。相比之前使用波長較短的激光，可以更詳細地觀察半導體器件。它還能確保高靈敏度，以尋找和觀察功率半導體的故障點，這些故障點對可見光有反應，而非普通半導體的紅外光?！?br />
濱松在發(fā)布公告中表示，PHEMOS-X將于2021年4月1日面向日本本土和國際半導體設備制造商開始銷售。

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