隨著5G、AI、IoT等技術帶來的消費電子和大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展，市場對存儲的需求將越發(fā)白熱化。

“我們相信DRAM已走出行業(yè)周期的最低谷。隨著全球持續(xù)的數(shù)字化經濟發(fā)展，以及在人工智能、云計算、5G和智能邊緣（包括智能汽車）的推動下，預計2021年（自然年）DRAM將有所改善?！苯眨拦饪萍糃EO Sanjay Mehrotra在2021財年第一財季（截至2020年12月3日）財報會上表示。

自2016年以來，存儲器價格持續(xù)上漲曾令三星打敗英特爾，成為全球最大的半導體廠商。從2018年9月起，存儲器開始走下坡路。直到2019年第三季度跌至低谷后，存儲器市場又開始回暖，成為半導體行業(yè)成長最快的細分領域。

第三方機構預計，2021年存儲器市場規(guī)模將達1353億美元，同比增加13％。

需求回暖背后

存儲器約占全球半導體產值的三分之一，主要分為易失存儲器和非易失存儲器，前者包括DRAM和SRAM，后者主要包括NAND Flash和 NOR Flash。DRAM和NAND Flash是存儲器的兩大支柱產業(yè)，廣泛用于智能手機、PC、服務器和消費電子等應用。

Sanjay表示，在2020年第四季度，雖然PC、移動、汽車和圖形領域的非存儲器件供應短缺，但大多數(shù)終端市場的總體需求仍然強勁。

DRAM是規(guī)模最大的存儲產品，市場高度集中于三星、海力士和美光三大廠。集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2020年第三季度，三星、海力士和美光占據(jù)全球DRAM市場份額的94.6%。

集邦咨詢半導體研究中心信息顯示，在各大應用中，PC DRAM占總供給位元數(shù)13%、Server DRAM34%、Mobile DRAM40%、Graphics DRAM5%以及Consumer DRAM8%，手機和服務器需求最大。

SK海力士CFO車晨錫（CHA JIN SEOK）在2020年三季度財報會上表示，在第三季度的存儲器市場中，由于主要的數(shù)據(jù)中心客戶顯示出庫存調整的跡象，Server DRAM和SSD的采購減弱并且價格持續(xù)疲軟。但三季度末，受傳統(tǒng)旺季影響，智能手機廠商紛紛發(fā)布新手機，而且中國5G手機開始普及，這彌補了計算產品相對低迷的需求。此外，新推出的游戲機DRAM容量增加，并且首次采用SSD，也有助于增加需求。

也正是因為主要受益于存儲器和傳感器的增長，WSTS （世界半導體貿易統(tǒng)計協(xié)會）報告顯示，2020年全球半導體市場增長5.1%，達4331億美元。該機構預計，2021年全球半導體將增長8.4%，市場規(guī)模達4694億美元。

市場調研機構IC Insights最新報告也顯示，2020年存儲依舊是半導體成長最快的品類。其中，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）市場預計為652億美元，在31種集成電路產品中名列第一，NAND閃存以551.5億美元位列第二，但漲幅最高，達25%。

存儲器市場回暖的背后，中國大陸近年來也開始推動存儲器行業(yè)，長江存儲和合肥長鑫被寄予厚望。有媒體報道稱，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產量提高至10萬片，并且計劃最早于2021年中試產192層3D NAND閃存芯片。

對此，長江存儲1月13日發(fā)布聲明稱，公司發(fā)現(xiàn)個別境外媒體通過多種渠道刊登、散布關于公司產能建設、產品銷售等不實言論。“長江存儲自2016年7月成立至今，始終秉承守法合規(guī)的經營理念，在國內外各項實際工作中，長江存儲嚴格遵守當?shù)氐姆煞ㄒ?guī)，所提供的產品與服務面向商用及民用客戶。關于公司下一步建設計劃具體情況請以公司官方渠道為準?！?/p>

存儲器將繼續(xù)領漲

展望2021年，Sanjay稱，DRAM價格已走出谷底，“主要的終端市場供應都非常緊張。因此，我們已經看到2021年第一季度（自然年），部分市場價格開始上漲。預計2021年DRAM行業(yè)的位元需求將增長17%-19%（high-teens），而DRAM行業(yè)的供應將低于需求。行業(yè)需求強于預期已消耗了供應商DRAM庫存?！?/p>

Sanjay表示，低庫存再加上2020年主要廠商嚴控資本支出，以及疫苗研發(fā)進展，將促使DRAM市場在2021年進一步趨緊。與此同時，5G手機使用的內存更高。

集邦咨詢也表示，在經歷兩季度的庫存調整后，為減緩預期后續(xù)漲價所造成的成本上升，2021年第一季預計買方將開始提高庫存，整體DRAM的平均銷售單價將止跌回穩(wěn)，甚至有微幅上漲的可能。

NAND閃存主要用在手機、固態(tài)硬盤和服務器。集邦咨詢認為，2021年NAND Flash各類產品總需求位元數(shù)包含Client SSD（31%）、Enterprise SSD（20%）、UFS與eMMC（41%）與NAND Wafer（8%），由于供貨商數(shù)量遠高于DRAM，加上供應位元成長的幅度居高不下，預計2021年價格仍將逐季下跌。

NAND閃存壟斷度雖不如DRAM，但主要市場由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、海力士、美光、英特爾等廠商占據(jù)，其中三星一家就占三分之一的市場份額。

展望2021年第一季，在三星、長江存儲（YMTC）、SK海力士與英特爾（Intel）對位元產出皆較為積極的情況下，NAND Flash供過于求態(tài)勢將更加明顯，位元產出的季增幅達6%，預估價格將季跌約10~15%。

Sanjay預計，2021年NAND的位元需求增長約為30％，而供應可能更高。 NAND市場在短期內具有挑戰(zhàn)性，但是，需求將逐漸改善。“我們認為，如果供應商減緩產量增長，市場將在2021年穩(wěn)定下來?！?/p>

海力士方面也表示，目前來自智能手機的需求正在持續(xù)增長，“隨著手機廠商繼續(xù)爭奪市場份額，以及5G技術的持續(xù)普及，我們相信對移動產品的需求以及PC市場的需求將持續(xù)到2021年。”

2020年下半年，因為庫存調整，服務器端對閃存需求有所減少，不過目前這一需求也在回升。海力士認為，NAND的供求將在2021年下半年的某個時候達到動態(tài)平衡。

此外，半導體漲價潮也延伸至NOR Flash。2020年下半年，NOR Flash芯片供不應求情形加劇，預計2021年價格將持續(xù)上漲。
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