SK海力士已開始安裝EUV光刻機，以量產(chǎn)10nm 1a DRAM
據(jù)etnews報道，SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機，以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。
此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM，不過并未透露ASML EUV光刻機的引進方式、確切時間等。
因此業(yè)內(nèi)人士有諸多揣測，包括將研究大樓R3的2臺EUV光刻機轉(zhuǎn)移至該產(chǎn)線，并計劃于今年2月開始安裝新購買的設(shè)備等?，F(xiàn)在看來，SK海力士新設(shè)備的購買和安裝速度快于業(yè)界預(yù)期。
該報道指出，EUV光刻機的安裝時程需要3-6個月，因此SK海力士最快可以在今年上半年量產(chǎn)第一批產(chǎn)品。
據(jù)悉，ASML是EUV光刻機的獨家供應(yīng)商，單臺的售價超過1.35億美元。
責(zé)任編輯：xj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
41文章
2403瀏覽量
189634 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1015瀏覽量
41942 -
EUV光刻機
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
129瀏覽量
15870
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
192GB，SK海力士開始為英偉達(dá)Vera Rubin量產(chǎn)SOCAMM2
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文 / 吳子鵬）日前，SK 海力士宣布正式量產(chǎn)基于第六代 10 納米級（1c）LPDDR5X
中國打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)！
其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例，這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進制程芯片 時代，不僅需要EUV
俄羅斯亮劍：公布EUV光刻機路線圖，挑戰(zhàn)ASML霸主地位？
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）?在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中，光刻機被譽為 “半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠”，而極紫外（EUV）光刻技術(shù)更是先進制程芯片制造的核心。長期以來，荷蘭 ASML 公司幾乎壟斷
SK海力士正式量產(chǎn)基于1c LPDDR5X的192GB容量SOCAMM2
SK海力士20日宣布，正式量產(chǎn)基于第六代10納米級（1c）LPDDR5X低功耗DRAM的192G
壟斷 EUV 光刻機之后，阿斯麥劍指先進封裝
能量產(chǎn) EUV 光刻機的廠商，早已憑借這一壟斷地位，深度綁定臺積電等頭部芯片制造商，左右著全球最先進 AI 芯片的產(chǎn)能與迭代節(jié)奏。如今，這家巨頭正跳出 EUV 的舒適區(qū)，將目光投向先進
SK海力士HBS存儲技術(shù)，基于垂直導(dǎo)線扇出VFO封裝工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃，該技術(shù)
SK海力士ZUFS 4.1閃存，手機端AI運行時間縮短47%！
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布，已正式向客戶供應(yīng)其全球率先實現(xiàn)量產(chǎn)的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK
SK海力士宣布量產(chǎn)HBM4芯片，引領(lǐng)AI存儲新變革
在人工智能（AI）技術(shù)迅猛發(fā)展的當(dāng)下，數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進一步飛躍的關(guān)鍵因素。2025 年 9 月 12 日，韓國半導(dǎo)體巨頭 SK 海力士宣布，已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產(chǎn)品
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)
%。至少將GAA納米片提升幾個工藝節(jié)點。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機與其他競爭技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點的高端半導(dǎo)
發(fā)表于 09-15 14:50
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡稱NAND
SK海力士在微細(xì)工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實力
SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術(shù)的支撐，其中最令人矚目的便是“微細(xì)工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細(xì)電路進行更為精細(xì)化的處理，SK海力士憑借壓倒性的技術(shù)實力，引領(lǐng)著全球半導(dǎo)體
ASML官宣：更先進的Hyper NA光刻機開發(fā)已經(jīng)啟動
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，ASML 技術(shù)高級副總裁 Jos Benschop 表示，ASML 已攜手光學(xué)組件獨家合作伙伴蔡司，啟動了 5nm 分辨率的 Hyper NA 光刻機開發(fā)。這一舉措標(biāo)志著
發(fā)表于 06-29 06:39
?2165次閱讀
SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于
SK海力士以基于AI/DT的智能工廠推動HBM等核心產(chǎn)品的營收增長
近日，SK海力士宣布，在首爾江南區(qū)韓國科學(xué)技術(shù)會館舉行的“2025年科學(xué)?信息通訊日紀(jì)念儀式”上，公司數(shù)字化轉(zhuǎn)型組織的都承勇副社長榮獲了科學(xué)技術(shù)信息通信部頒發(fā)的銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極
電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極
隨著科技進步，對電子顯微鏡的精度要求越來越高。電子直寫光刻機的精度與電子波長和電子束聚焦后的焦點直徑有關(guān)，電子波長可通過增加加速電極電壓來減小波長，而電子束聚焦后
發(fā)表于 05-07 06:03
評論