日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

FerroTec 銀川工廠成功拉制出 620mm(24 英寸)高品質(zhì)大尺寸單晶硅棒

工程師鄧生 ? 來(lái)源:IT之家 ? 作者:騎士 ? 2021-01-23 10:31 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)上海漢虹官方宣布,近日,F(xiàn)erroTec 銀川工廠成功拉制出 620mm(24 英寸)高品質(zhì)大尺寸單晶硅棒。

Ferrotec 集團(tuán)下屬寧夏銀和新能源科技有限公司和上海漢虹精密機(jī)械有限公司實(shí)現(xiàn)了大尺寸、高品質(zhì)單晶硅棒拉制成功的重大突破。

晶棒要變身成為硅晶圓片可不容易,從晶棒截?cái)唷⑶衅?,到研磨、拋光、洗凈,在進(jìn)入最后的包裝運(yùn)輸環(huán)節(jié)之前,共需要經(jīng)歷 12 道關(guān)卡的考驗(yàn)。

IT之家獲悉,F(xiàn)erroTec 集團(tuán)是全球知名半導(dǎo)體產(chǎn)品與解決方案供應(yīng)商,集團(tuán)在全球投資半導(dǎo)體相關(guān)材料、裝備、應(yīng)用服務(wù)等行業(yè),中國(guó)市場(chǎng)是 FerroTec 集團(tuán)在全球業(yè)務(wù)的重中之重。

責(zé)任編輯:PSY

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 硅晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    276

    瀏覽量

    22195
  • 大尺寸
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    7

    瀏覽量

    7139
  • 單晶硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    194

    瀏覽量

    29422
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    突破!本土企業(yè)成功研制14英寸SiC單晶

    需求。 ? 早在2024年11月,天岳先進(jìn)率先出手,發(fā)布了行業(yè)首款12英寸碳化硅襯底;一個(gè)月后,爍科晶體也宣布成功研制差距12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底,并同期研制
    的頭像 發(fā)表于 03-23 00:43 ?2815次閱讀

    國(guó)產(chǎn)劃片機(jī)自主研發(fā)突圍 實(shí)現(xiàn)單晶硅與BT基板一體化切割

    國(guó)產(chǎn)劃片機(jī)自主研發(fā)突圍實(shí)現(xiàn)單晶硅與BT基板一體化切割在半導(dǎo)體后道封裝領(lǐng)域,微米級(jí)精密劃片機(jī)是決定芯片良率與終端可靠性的核心裝備,其技術(shù)壁壘橫跨精密機(jī)械制造、高速主軸技術(shù)、機(jī)器視覺(jué)校準(zhǔn)等多個(gè)維度
    的頭像 發(fā)表于 02-28 21:39 ?565次閱讀
    國(guó)產(chǎn)劃片機(jī)自主研發(fā)突圍 實(shí)現(xiàn)<b class='flag-5'>單晶硅</b>與BT基板一體化切割

    Wolfspeed成功制造出單晶300mm碳化硅晶圓

    球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國(guó)紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 今日宣布了一項(xiàng)重大行業(yè)里程碑:成功制造出單晶 300 mm(12英寸)碳化硅晶圓。憑借著
    的頭像 發(fā)表于 01-16 09:21 ?2674次閱讀

    鈣鈦礦/非晶/單晶硅等光伏板 + 光伏微能量收集管理芯片| 場(chǎng)景化推廣方案

    光伏板+MKS系列微能量收集管理芯片:重新定義新能源供電的黃金組合。方案核心定位以“材質(zhì)特性匹配芯片優(yōu)勢(shì)”為核心邏輯,針對(duì)單晶硅、非晶、鈣鈦礦、碲化鎘(CdTe)、銅銦硒(CIGS)、有機(jī)光伏
    的頭像 發(fā)表于 12-12 17:17 ?1410次閱讀
    鈣鈦礦/非晶<b class='flag-5'>硅</b>/<b class='flag-5'>單晶硅</b>等光伏板 + 光伏微能量收集管理芯片| 場(chǎng)景化推廣方案

    存儲(chǔ)芯片制造全流程大揭秘!原來(lái)小小芯片背后藏著這么多門(mén)道

    你以為手機(jī)里的存儲(chǔ)芯片只是簡(jiǎn)單的硅片? 從一粒沙子到能存下你所有照片的芯片,中間經(jīng)歷了怎樣驚心動(dòng)魄的旅程? 從沙子到晶圓 沙子中的二氧化硅經(jīng)過(guò)高溫還原變成高純度,再拉制成單晶硅。
    的頭像 發(fā)表于 11-25 08:41 ?1148次閱讀

    半導(dǎo)體六大制程工藝

    1.晶圓制備(WaferPreparation)核心目標(biāo):從高純度多晶出發(fā),通過(guò)提純、單晶生長(zhǎng)和精密加工獲得高度平整的圓形硅片(晶圓)。具體包括直拉法或區(qū)熔法拉制單晶錠,切片后進(jìn)行研磨、拋光處理
    的頭像 發(fā)表于 10-28 11:47 ?1858次閱讀
    半導(dǎo)體六大制程工藝

    一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

    天然沙子里富含二氧化硅(SiO?),人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅,以此制造集成電路。單晶硅對(duì)純度要求極高,需達(dá)到99.9999999%(即9個(gè)9)以上,且原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時(shí),就能形成
    的頭像 發(fā)表于 09-17 16:13 ?1884次閱讀
    一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

    深入剖析單晶硅的生長(zhǎng)方法

    科技進(jìn)步和對(duì)高效智能產(chǎn)品需求的增長(zhǎng)進(jìn)一步奠定了集成電路產(chǎn)業(yè)在國(guó)家發(fā)展中的核心地位。而半導(dǎo)體硅單晶作為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展基石,其對(duì)促進(jìn)技術(shù)革新和經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)起到至關(guān)重要的作用。
    的頭像 發(fā)表于 08-21 10:43 ?2138次閱讀
    深入剖析<b class='flag-5'>單晶硅</b>的生長(zhǎng)方法

    太赫茲頻段的光學(xué)特性

    目前,在太赫茲(遠(yuǎn)紅外)頻段最透明的絕緣材料就是高阻的浮區(qū)(FZ)單晶硅。這是科研人員不斷的經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)并分析得出的結(jié)果。
    的頭像 發(fā)表于 08-12 10:45 ?1838次閱讀
    太赫茲頻段<b class='flag-5'>硅</b>的光學(xué)特性

    晶越半導(dǎo)體研制高品質(zhì)12英寸SiC晶錠

    高品質(zhì)的 12 英寸 SiC 晶錠,這一成果標(biāo)志著晶越半導(dǎo)體正式邁入 12 英寸 SiC 襯底的先進(jìn)梯隊(duì)。 ? ? 在大尺寸晶體生長(zhǎng)過(guò)程中,諸多難題如熱場(chǎng)分布不均、籽晶對(duì)位困難、厚度控
    的頭像 發(fā)表于 07-25 16:54 ?1056次閱讀

    單晶硅清洗廢液處理方法有哪些

    很多人接觸過(guò),或者是存在好奇與疑問(wèn),很想知道的是單晶硅清洗廢液處理方法有哪些?那今天就來(lái)給大家解密一下,主流的單晶硅清洗廢液處理方法詳情。物理法過(guò)濾:可去除廢液中的大顆粒懸浮物、固體雜質(zhì)等,常采用砂
    的頭像 發(fā)表于 06-30 13:45 ?775次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>清洗廢液處理方法有哪些

    半導(dǎo)體IPO:產(chǎn)能爬坡,300mm硅片三年貢獻(xiàn)14.2億元

    。此次IPO,公司擬募資49.65億元,用于“集成電路用 300 毫米薄層外延片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目”“高端半導(dǎo)體材料研發(fā)項(xiàng)目”和“補(bǔ)充流動(dòng)資金”。 三年?duì)I收達(dá)31億元,300mm硅片貢獻(xiàn)14.2億元 半導(dǎo)體硅片根據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 06-16 09:09 ?6664次閱讀
    超<b class='flag-5'>硅</b>半導(dǎo)體IPO:產(chǎn)能爬坡,300<b class='flag-5'>mm</b>硅片三年貢獻(xiàn)14.2億元

    12英寸SiC,再添新玩家

    科晶體也宣布成功研制差距12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底,并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶
    的頭像 發(fā)表于 05-21 00:51 ?8076次閱讀

    高精度測(cè)量尺寸,深視智能SRI系列一體式3D輪廓測(cè)量?jī)x助力半導(dǎo)體質(zhì)量管控

    項(xiàng)目背景在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尺寸的精準(zhǔn)度直接影響后續(xù)切片工序的硅片質(zhì)量。開(kāi)方后的可能存在外觀裂紋、空洞、氣泡及內(nèi)部雜質(zhì)等缺陷,因此對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 05-19 08:17 ?1038次閱讀
    高精度測(cè)量<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>棒</b><b class='flag-5'>尺寸</b>,深視智能SRI系列一體式3D輪廓測(cè)量?jī)x助力半導(dǎo)體質(zhì)量管控

    單晶片電阻率均勻性的影響因素

    直拉硅單晶生長(zhǎng)的過(guò)程是熔融的多晶逐漸結(jié)晶生長(zhǎng)為固態(tài)的單晶硅的過(guò)程,沒(méi)有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高,幾乎不會(huì)導(dǎo)電,沒(méi)有市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值,因此通過(guò)人為的摻雜進(jìn)行雜質(zhì)引入,我們可以改變、控制
    的頭像 發(fā)表于 05-09 13:58 ?2061次閱讀
    硅<b class='flag-5'>單晶</b>片電阻率均勻性的影響因素
    团风县| 锡林浩特市| 天镇县| 福鼎市| 蒙城县| 新巴尔虎右旗| 沛县| 清河县| 罗城| 仁寿县| 都昌县| 田东县| 尼勒克县| 左贡县| 嘉定区| 通州市| 微山县| 溧阳市| 泰来县| 定襄县| 张北县| 育儿| 射阳县| 萝北县| 镇安县| 新沂市| 凤城市| 施秉县| 巴马| 昌平区| 宁津县| 乐山市| 绍兴市| 沙雅县| 基隆市| 秦皇岛市| 宁南县| 汉阴县| 城固县| 太白县| 鄂州市|