近日，晶越半導體傳來重大喜訊，在半導體材料研發(fā)領域取得了新的里程碑式突破。繼 2025 年上半年成功量產(chǎn) 8 英寸碳化硅襯底后，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，不斷優(yōu)化工藝，于 7 月 21 日成功研制出高品質(zhì)的 12 英寸 SiC 晶錠，這一成果標志著晶越半導體正式邁入 12 英寸 SiC 襯底的先進梯隊。

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在大尺寸晶體生長過程中，諸多難題如熱場分布不均、籽晶對位困難、厚度控制精度不足以及晶體缺陷風險增大等，一直是行業(yè)內(nèi)亟待攻克的難關。面對這些挑戰(zhàn)，晶越半導體團隊展現(xiàn)出了卓越的科研實力與創(chuàng)新精神。他們系統(tǒng)性地對熱場結構設計進行優(yōu)化，精準調(diào)整籽晶粘接工藝參數(shù)，運用先進技術提升厚度均勻性控制方法，并在缺陷抑制方面取得了顯著成效。通過對這些核心環(huán)節(jié)的協(xié)同優(yōu)化，晶越成功實現(xiàn)了 12 英寸 SiC 晶體的高質(zhì)量生長。

浙江晶越半導體有限公司成立于 2020 年 7 月 21 日，位于浙江省嵊州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，由海外歸國博士創(chuàng)立。公司通過整合海外創(chuàng)新技術與國內(nèi)產(chǎn)業(yè)資源，組建了一支技術領先的專業(yè)團隊?，F(xiàn)階段，公司主要專注于 6 - 8 英寸導電型碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。此次 12 英寸 SiC 晶錠的成功研制，不僅是晶越半導體自身發(fā)展的重大飛躍，也為國內(nèi)半導體材料行業(yè)注入了一劑強心針。

隨著半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，SiC 作為第三代半導體材料的代表，因其具有高禁帶寬度、高硬度和耐磨性、高熱導率等優(yōu)異特性，成為制造高壓、高溫、高頻功率器件的理想材料。大尺寸 SiC 晶體的制備一直是全球技術難題，此前行業(yè)主流量產(chǎn)尺寸仍為 6 - 8 英寸襯底。晶越半導體此次成功研制出 12 英寸 SiC 晶錠，大幅提升了晶圓的有效可用面積，能夠快速降低芯片單位成本，為國產(chǎn) SiC 材料在新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)、5G及AI/AR智能眼鏡等行業(yè)的快速規(guī)?；瘧锰峁┝丝赡堋?/p>

在未來，晶越半導體表示將持續(xù)投入研發(fā)，專注于打磨產(chǎn)品、提高良率和優(yōu)化參數(shù)，努力打造成為國內(nèi)領先的碳化硅材料提供商。此次技術突破，也將進一步推動我國半導體產(chǎn)業(yè)在關鍵基礎材料領域?qū)崿F(xiàn)從 “追趕者” 向 “領跑者” 的角色轉(zhuǎn)變，助力我國半導體產(chǎn)業(yè)在全球競爭中占據(jù)更有利的地位。

來源：半導體芯科技

審核編輯 黃宇